SIC
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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F8G08ABABAWP-ITX:B Micron Technology Inc. MT29F8G0808808ABABABAWP-ITX：b -
RFQ
 ECAD 9421 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFB16A3WC1 -
RFQ
 ECAD 3859 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F256G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.5V〜3.6V 死ぬ - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1 333 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT47H64M8CB-5E:B TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-5E：B Tr -
RFQ
 ECAD 8940 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,000 200 MHz 揮発性 512mbit 600 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT29F64G08CBEFBWP-M:F Micron Technology Inc. MT29F64G08CBEFBWP-M：F -
RFQ
 ECAD 9758 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 未定義のベンダー 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT35XU02GCBA2G12-0AUT Micron Technology Inc. MT35XU02GCBA2G12-0AUT 49.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 24-tbga mt35xu02 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 200 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 xccelaバス -
MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AFAAAWP-ITZ：a 87.1200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT28EW128ABA1HPN-0SIT Micron Technology Inc. MT28EW128ABA1HPN-0SIT -
RFQ
 ECAD 4501 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-VFBGA MT28EW128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,560 不揮発性 128mbit 95 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 60ns
MT48LC8M32B2F5-7 IT TR Micron Technology Inc. mt48lc8m32b2fff5-7 it tr -
RFQ
 ECAD 1640 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48LC8M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 143 MHz 揮発性 256mbit 6 ns ドラム 8m x 32 平行 14ns
MT40A2G8FSE-093E:A Micron Technology Inc. MT40A2G8FSE-093E：a -
RFQ
 ECAD 8494 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9.5x13 - 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 1.066 GHz 揮発性 16gbit ドラム 2g x 8 平行 -
MT46V32M8P-5B IT:M TR Micron Technology Inc. MT46V32M8P-5B IT：M TR -
RFQ
 ECAD 6854 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
M28W640HST70ZA6F TR Micron Technology Inc. M28W640HST70ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 3731 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TFBGA M28W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TFBGA（10.5x6.39） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,500 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 4m x 16 平行 70ns
EDF4432ACPE-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF4432ACPE-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDF4432 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES：E Tr -
RFQ
 ECAD 5084 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 267 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT28F008B5VG-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F008B5VG-8 TET TR -
RFQ
 ECAD 5969 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F008B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 40-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8mbit 80 ns フラッシュ 1m x 8 平行 80ns
MT46H8M16LFCF-10 TR Micron Technology Inc. MT46H8M16LFCF-10 TR -
RFQ
 ECAD 3713 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-VFBGA MT46H8M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.9V 60-VFBGA （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 104 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT42L256M64D4LD-18 WT:A Micron Technology Inc. MT42L256M64D4LD-18 WT：a -
RFQ
 ECAD 1275 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 220-VFBGA MT42L256M64 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 220-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
MT41K256M16TW-107 AAT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AAT：P Tr 9.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT TR -
RFQ
 ECAD 8619 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C2G24 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 2GBIT （NAND）、1GBIT （LPDRAM） フラッシュ、ラム 256m x 8 平行 -
MTEDFAE4SCA-1P2IT Micron Technology Inc. mtedfae4sca-1p2it -
RFQ
 ECAD 5781 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ アクティブ mtedfae4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 150
EDY4016AABG-GX-F-D Micron Technology Inc. EDY4016AABG-GX-FD -
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA EDY4016 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,980 1.33 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
RC28F640P30T85A Micron Technology Inc. RC28F640P30T85A -
RFQ
 ECAD 6739 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F640 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 64mbit 85 ns フラッシュ 4m x 16 平行 85ns
ECF00453ZCN-Y3 Micron Technology Inc. ECF00453ZCN-Y3 -
RFQ
 ECAD 9079 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ ECF00453 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1
MT48LC2M32B2P-6:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6：G TR -
RFQ
 ECAD 9819 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC2M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 12ns
M29W320DT70ZE6E Micron Technology Inc. M29W320DT70ZE6E -
RFQ
 ECAD 8853 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -M29W320DT70ZE6E 3A991B1A 8542.32.0071 187 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
M29F800AB70M1 Micron Technology Inc. M29F800AB70M1 -
RFQ
 ECAD 2486 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-SOIC （0.525 "、13.34mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 16 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F4G16666ABBEAH4-IT：E TR -
RFQ
 ECAD 3555 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT -
RFQ
 ECAD 1045 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 64m x 16 平行 -
MT48LC2M32B2B5-7 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2B5-7 IT：G TR -
RFQ
 ECAD 1062 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48LC2M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 14ns
MT29F256G08CKCABH2-12:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCABH2-12：a -
RFQ
 ECAD 6862 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-TBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-tbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT41K512M8DA-107 XIT:P Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 XIT：P 10.6400
RFQ
 ECAD 978 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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