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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAH4-IT：e -
RFQ
 ECAD 5756 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MTFC64GAOAMEA-WT TR Micron Technology Inc. MTFC64GAOAMEA-WT TR 21.1200
RFQ
 ECAD 9789 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ mtfc64 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,000
N25Q064A13EW94ME Micron Technology Inc. N25Q064A13EW94ME -
RFQ
 ECAD 7726 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ - - N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F768G08EECBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F768G08EECBBJ4-37ES：B Tr -
RFQ
 ECAD 4890 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F768G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 768GBIT フラッシュ 96g x 8 平行 -
MT47H512M4EB-25E:C Micron Technology Inc. MT47H512M4EB-25E：c -
RFQ
 ECAD 1979年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H512M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,320 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 512m x 4 平行 15ns
M45PE20-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M45PE20-VMN6TP TR -
RFQ
 ECAD 1434 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M45PE20 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 15ms、3ms
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NZ-046 WT：e 98.1150
RFQ
 ECAD 1247 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA MT53D1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA（14x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
EDB8164B4PT-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB8164B4PT-1D-FR TR -
RFQ
 ECAD 6576 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 216-WFBGA EDB8164 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 216-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 8gbit ドラム 128m x 64 平行 -
MT40A256M16GE-083E IT:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E IT：B Tr -
RFQ
 ECAD 6838 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB4-6 AAT：C Tr -
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 ECAD 1234 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48H32M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T TR -
RFQ
 ECAD 4595 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C - - mt29tzzz8 フラッシュnand、dram -lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 不揮発性、揮発性 64GBIT （NAND ）、8GBIT「LPDDR3） フラッシュ、ラム 68g x 8 MMC 、LPDRAM -
MT49H16M18BM-33 Micron Technology Inc. MT49H16M18BM-33 -
RFQ
 ECAD 9844 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0028 1,000 300 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
MT28F640J3RG-115 GMET TR Micron Technology Inc. MT28F640J3RG-115 GMET TR -
RFQ
 ECAD 2199 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F640J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64mbit 115 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 -
MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-AATX：E Tr 5.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT TR Micron Technology Inc. mt29c4g48mayb​​ baks-48 it tr 11.8650
RFQ
 ECAD 6806 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ MT29C4G48 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 208 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 512m x 8 平行 -
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT TR Micron Technology Inc. mt29c1g12maacaeamd-6 it tr -
RFQ
 ECAD 8902 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
MT29F8G08ABACAM71M3WC1 Micron Technology Inc. MT29F8G08ABACAM71M3WC1 -
RFQ
 ECAD 5250 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT -
RFQ
 ECAD 6126 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-VFBGA MT29C4G48 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-VFBGA（13x10.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 208 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 512m x 8 平行 -
MTFC32GAMALAM-WT ES TR Micron Technology Inc. mtfc32gamalam-wt es tr -
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ - - mtfc32g フラッシュ -ナンド - - - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
N25Q128A11ESECFF TR Micron Technology Inc. N25Q128A11ESECFF TR -
RFQ
 ECAD 5197 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） N25Q128A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-sop2 - ROHS3準拠 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,500 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MTFC2GMDEA-0M WT A Micron Technology Inc. mtfc2gmdea-0m wt a -
RFQ
 ECAD 9099 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc2g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC2GMDEA-0MWTA 廃止 8542.32.0071 152 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 MMC -
N2M400FDB311A3CE Micron Technology Inc. N2M400FDB311A3CE -
RFQ
 ECAD 2717 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga N2M400 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 588 52 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
N25Q512A83G12H0F Micron Technology Inc. N25Q512A83G12H0F -
RFQ
 ECAD 3749 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q512A83 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 2,500 108 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 128m x 4 spi 8ms、5ms
MT48LC16M8A2FB-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2FB-75：G TR -
RFQ
 ECAD 3945 0.00000000 Micron Technology Inc. - カットテープ（CT） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-FBGA MT48LC16M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 60-FBGA （8x16） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 16m x 8 平行 15ns
MT46V32M16P-6T L:F Micron Technology Inc. MT46V32M16P-6T L：F -
RFQ
 ECAD 1785 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT48LC4M16A2TG-6:G Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-6：g -
RFQ
 ECAD 7712 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 4m x 16 平行 12ns
MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB4-6 AAT：c -
RFQ
 ECAD 9091 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48H32M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
M29W160ET7AN6F TR Micron Technology Inc. M29W160ET7AN6F TR -
RFQ
 ECAD 6924 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR -
RFQ
 ECAD 2476 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-VFBGA MT29C4G48 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-VFBGA（13x10.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 256m x 16 平行 -
MT28GU512AAA2EGC-0AAT Micron Technology Inc. MT28GU512AAA2EGC-0AAT -
RFQ
 ECAD 5737 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-TBGA MT28GU512 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA （10x8） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,800 133 MHz 不揮発性 512mbit 96 ns フラッシュ 64m x 8 平行 -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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