画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PC28F256M29EWLD | - | ![]() | 1788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | PC28F256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 100ns | ||||
![]() | MT29F8T08GULBEM4:B TR | - | ![]() | 5305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | - | MT29F8T08 | - | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-MT29F8T08GULBEM4:BTR | 廃止 | 2,000 | ||||||||||||||
![]() | MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR | - | ![]() | 6002 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-VBGA | MT29E768G08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 768GBIT | フラッシュ | 96g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | mt49h8m36bm-33 tr | - | ![]() | 4854 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H8M36 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga(18.5x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 300 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 8m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | MT29F256G08AKEBBH7-12:b | - | ![]() | 1035 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 152-TBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand(slc) | 2.5V〜3.6V | 152-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 83 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:c | - | ![]() | 1934年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | - | - | ||||
M29F800FT55M3E2 | - | ![]() | 8498 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) | M29F800 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-1581 | ear99 | 8542.32.0071 | 240 | 不揮発性 | 8mbit | 55 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 55ns | |||
![]() | M29F200BB70N6 | - | ![]() | 4810 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29F200 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 2mbit | 70 ns | フラッシュ | 256K x 8、128K x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | MT53B384M16D1Z0APWC1 | - | ![]() | 4477 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 揮発性 | 6gbit | ドラム | 384m x 16 | - | - | ||||
![]() | MT48LC4M16A2B4-7E:J TR | - | ![]() | 5244 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 14ns | ||
![]() | MT53B768M64D8NK-053 WT:d | - | ![]() | 3498 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 366-WFBGA | MT53B768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (15x15) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.866 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - | |||
![]() | M29W320EB70N6F TR | - | ![]() | 3815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29W320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | N25Q256A13ESFH0F TR | - | ![]() | 6594 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | N25Q256A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 64m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
![]() | MT29FEN64GDKCAAXDQ-10:a | - | ![]() | 5342 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | MT29FEN64 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | |||||||||||||||||
![]() | MT53D1536M64D8EG-046 WT:A TR | 55.8750 | ![]() | 7921 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 557-MT53D1536M64D8EG-046WT:ATR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT42L64M64D2LL-18 WT:c | - | ![]() | 8533 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 216-WFBGA | MT42L64M64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 216-FBGA(12x12) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,008 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 64m x 64 | 平行 | - | ||||
![]() | N2M400GDB321A3CF TR | - | ![]() | 5585 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | - | N2M400 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | EDB432BBBJ-1D-FD | - | ![]() | 5543 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 134-wfbga | EDB4432 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-FBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,100 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | 平行 | - | |||
![]() | MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR | - | ![]() | 9803 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 168-wfbga | MT29C4G48 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 168-WFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit(nand | フラッシュ、ラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR | - | ![]() | 4824 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 256-WFBGA | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | 256-FBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | ||||
![]() | MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:a | - | ![]() | 6198 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA(12x18) | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,120 | 83 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | MT29F2G080808ABAFAH4-IT:f | - | ![]() | 9052 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,260 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | MT44K32M36RB-107E:a | 64.4550 | ![]() | 1759 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K32M36 | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-BGA(13.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 933 MHz | 揮発性 | 1.125Gbit | 8 ns | ドラム | 32m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | M28W320HSB70ZA6E | - | ![]() | 7018 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TFBGA | M28W320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TFBGA(10.5x6.39) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 816 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | MT29F512G08AUCBBH8-6IT:b | - | ![]() | 1675 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 152-lbga | MT29F512G08 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 152-lbga | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | MT41K256M8HX-187E:d | - | ![]() | 1566 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K256M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.125 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | - | ||
![]() | mt46v64m8p-75z:d | - | ![]() | 9030 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | - | ROHS3準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 750 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | M29F200BT70N1 | - | ![]() | 1802 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29F200 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 2mbit | 70 ns | フラッシュ | 256K x 8、128K x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | MT46H32M32LFJG-6:TR | - | ![]() | 4026 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 168-VFBGA | MT46H32M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 32m x 32 | 平行 | 15ns | ||
![]() | MT40A512M16LY-075:E TR | 6.0000 | ![]() | 7168 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA (7.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.33 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - |
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