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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
PC28F256M29EWLD Micron Technology Inc. PC28F256M29EWLD -
RFQ
ECAD 1788 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-lbga PC28F256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA (11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 184 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 100ns
MT29F8T08GULBEM4:B TR Micron Technology Inc. MT29F8T08GULBEM4:B TR -
RFQ
ECAD 5305 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 - - MT29F8T08 - - 3 (168 時間) 影響を受けていない 557-MT29F8T08GULBEM4:BTR 廃止 2,000
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR Micron Technology Inc. MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR -
RFQ
ECAD 6002 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 132-VBGA MT29E768G08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 768GBIT フラッシュ 96g x 8 平行 -
MT49H8M36BM-33 TR Micron Technology Inc. mt49h8m36bm-33 tr -
RFQ
ECAD 4854 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H8M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga(18.5x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 300 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 平行 -
MT29F256G08AKEBBH7-12:B Micron Technology Inc. MT29F256G08AKEBBH7-12:b -
RFQ
ECAD 1035 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 152-TBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand(slc) 2.5V〜3.6V 152-TBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 980 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:c -
RFQ
ECAD 1934年年 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
M29F800FT55M3E2 Micron Technology Inc. M29F800FT55M3E2 -
RFQ
ECAD 8498 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 557-1581 ear99 8542.32.0071 240 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 55ns
M29F200BB70N6 Micron Technology Inc. M29F200BB70N6 -
RFQ
ECAD 4810 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29F200 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 2mbit 70 ns フラッシュ 256K x 8、128K x 16 平行 70ns
MT53B384M16D1Z0APWC1 Micron Technology Inc. MT53B384M16D1Z0APWC1 -
RFQ
ECAD 4477 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜85°C (TC) - - MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 揮発性 6gbit ドラム 384m x 16 - -
MT48LC4M16A2B4-7E:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2B4-7E:J TR -
RFQ
ECAD 5244 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-VFBGA MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 14ns
MT53B768M64D8NK-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53B768M64D8NK-053 WT:d -
RFQ
ECAD 3498 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 366-WFBGA MT53B768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 366-WFBGA (15x15) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
M29W320EB70N6F TR Micron Technology Inc. M29W320EB70N6F TR -
RFQ
ECAD 3815 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
N25Q256A13ESFH0F TR Micron Technology Inc. N25Q256A13ESFH0F TR -
RFQ
ECAD 6594 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) N25Q256A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT29FEN64GDKCAAXDQ-10:A Micron Technology Inc. MT29FEN64GDKCAAXDQ-10:a -
RFQ
ECAD 5342 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 MT29FEN64 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT53D1536M64D8EG-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53D1536M64D8EG-046 WT:A TR 55.8750
RFQ
ECAD 7921 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ - 557-MT53D1536M64D8EG-046WT:ATR 2,000
MT42L64M64D2LL-18 WT:C Micron Technology Inc. MT42L64M64D2LL-18 WT:c -
RFQ
ECAD 8533 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 216-WFBGA MT42L64M64 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 216-FBGA(12x12) - ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0036 1,008 533 MHz 揮発性 4gbit ドラム 64m x 64 平行 -
N2M400GDB321A3CF TR Micron Technology Inc. N2M400GDB321A3CF TR -
RFQ
ECAD 5585 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント - N2M400 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 52 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
EDB4432BBBJ-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB432BBBJ-1D-FD -
RFQ
ECAD 5543 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 134-wfbga EDB4432 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-FBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,100 533 MHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR -
RFQ
ECAD 9803 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 168-wfbga MT29C4G48 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 168-WFBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit(nand フラッシュ、ラム 512m x 8 平行 -
MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR -
RFQ
ECAD 4824 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 256-WFBGA MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V 256-FBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,000 933 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:a -
RFQ
ECAD 6198 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-TBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand (mlc) 2.7V〜3.6V 100-TBGA(12x18) - 1 (無制限) 廃止 0000.00.0000 1,120 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT29F2G08ABAFAH4-IT:F Micron Technology Inc. MT29F2G080808ABAFAH4-IT:f -
RFQ
ECAD 9052 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA (9x11) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,260 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT44K32M36RB-107E:A Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-107E:a 64.4550
RFQ
ECAD 1759 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 168-TBGA MT44K32M36 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-BGA(13.5x13.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 933 MHz 揮発性 1.125Gbit 8 ns ドラム 32m x 36 平行 -
M28W320HSB70ZA6E Micron Technology Inc. M28W320HSB70ZA6E -
RFQ
ECAD 7018 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TFBGA M28W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TFBGA(10.5x6.39) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 816 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B Micron Technology Inc. MT29F512G08AUCBBH8-6IT:b -
RFQ
ECAD 1675 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 152-lbga MT29F512G08 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 152-lbga - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT41K256M8HX-187E:D Micron Technology Inc. MT41K256M8HX-187E:d -
RFQ
ECAD 1566 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 2Gbit 13.125 ns ドラム 256m x 8 平行 -
MT46V64M8P-75Z:D Micron Technology Inc. mt46v64m8p-75z:d -
RFQ
ECAD 9030 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop - ROHS3準拠 4 (72 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
M29F200BT70N1 Micron Technology Inc. M29F200BT70N1 -
RFQ
ECAD 1802 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29F200 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 2mbit 70 ns フラッシュ 256K x 8、128K x 16 平行 70ns
MT46H32M32LFJG-6:A TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFJG-6:TR -
RFQ
ECAD 4026 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 168-VFBGA MT46H32M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-VFBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 32m x 32 平行 15ns
MT40A512M16LY-075:E TR Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-075:E TR 6.0000
RFQ
ECAD 7168 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫