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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT53D1024M32D4DT-046 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-046 WT：d -
RFQ
 ECAD 5950 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53D1024M32D4DT-046WT：d ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT28F008B5VG-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F008B5VG-8 TET TR -
RFQ
 ECAD 5969 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F008B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 40-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8mbit 80 ns フラッシュ 1m x 8 平行 80ns
MT47H32M16CC-5E L:B TR Micron Technology Inc. MT47H32M16CC-5E L：B TR -
RFQ
 ECAD 8678 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA（12x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 600 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT48LC8M8A2P-6A:J Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2P-6A：J -
RFQ
 ECAD 3718 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,080 167 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 8m x 8 平行 12ns
MT29F1T08GBLBEJ4:B Micron Technology Inc. MT29F1T08GBLBEJ4：b -
RFQ
 ECAD 2667 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 557-MT29F1T08GBLBEJ4：b 廃止 1,120 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行
EDFA112A2PD-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFA112A2PD-GD-FD -
RFQ
 ECAD 1976年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDFA112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,190 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 128m x 128 平行 -
MT40A512M16HA-083E IT:A Micron Technology Inc. MT40A512M16HA-083E IT：a -
RFQ
 ECAD 6927 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 1.2 GHz 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 平行 -
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A TR Micron Technology Inc. MT53B192M64D2SG-062 WT ES：A TR -
RFQ
 ECAD 9982 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B192 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,000 1.6 GHz 揮発性 12gbit ドラム 192m x 64 - -
MT41J128M16HA-125 IT:D Micron Technology Inc. MT41J128M16HA-125 IT：d -
RFQ
 ECAD 8866 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 128m x 16 平行 -
JS28F640P30T85A Micron Technology Inc. JS28F640P30T85A -
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F640P30 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 不揮発性 64mbit 85 ns フラッシュ 4m x 16 平行 85ns
MT29F2G08AABWP-ET TR Micron Technology Inc. MT29F2G08AABWP-ET TR -
RFQ
 ECAD 6677 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT25QL512ABB8ESF-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8ESF-0SIT -
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT62F2G64D8EK-026 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-026 AIT：B TR 114.9600
RFQ
 ECAD 2637 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F2G64D8EK-026AIT：BTR 2,000 3.2 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 2g x 64 平行 -
MT46V128M4P-6T:F TR Micron Technology Inc. mt46v128m4p-6t：f tr -
RFQ
 ECAD 3260 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V128M4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 128m x 4 平行 15ns
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F4G16666ABBEAH4-IT：E TR -
RFQ
 ECAD 3555 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
MT48LC8M8A2P-75:G Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2P-75：g -
RFQ
 ECAD 3778 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 8m x 8 平行 15ns
MT53B768M32D4TT-062 WT:B Micron Technology Inc. MT53B768M32D4TT-062 WT：b -
RFQ
 ECAD 1065 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,680 1.6 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
MT53D512M32D2NP-046 WT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 WT：d -
RFQ
 ECAD 3782 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR Micron Technology Inc. MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR -
RFQ
 ECAD 9786 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） - - MT53B192 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 揮発性 6gbit ドラム 192m x 32 - -
MT43A4G40200NFA-S15:A Micron Technology Inc. MT43A4G40200NFA-S15：a 600.0000
RFQ
 ECAD 2901 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ MT43A4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 240
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D Micron Technology Inc. EDB5432BEPA-1DAAT-FD -
RFQ
 ECAD 4066 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 168-wfbga EDB5432 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 168-WFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,680 533 MHz 揮発性 512mbit ドラム 16m x 32 平行 -
M58BW016FB7D150T TR Micron Technology Inc. M58BW016FB7D150T TR -
RFQ
 ECAD 5422 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 - - - M58BW016 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 512K x 32 平行 -
MT28F320J3FS-11 ET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3FS-11 et tr -
RFQ
 ECAD 4040 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-FBGA MT28F320J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 64-FBGA （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32mbit 110 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 -
MT46H64M16LFBF-5 AAT:B Micron Technology Inc. MT46H64M16LFBF-5 AAT：b -
RFQ
 ECAD 9716 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 60-VFBGA MT46H64M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） - 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,782 200 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT49H32M18CBM-18:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18CBM-18：B Tr -
RFQ
 ECAD 3504 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H32M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 533 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 32m x 18 平行 -
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR Micron Technology Inc. MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR -
RFQ
 ECAD 5817 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-VFBGA MT38M5041 Flash- nor、psram 1.7V〜1.95V 56-VFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 2,500 133 MHz 不揮発性、揮発性 512mbit フラッシュ、ラム 32m x 16、8m x 16 平行 -
MT47H64M16HR-25 IT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25 IT：H TR -
RFQ
 ECAD 8404 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT53D2048M32D8QD-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D2048M32D8QD-062 WT ES：D TR -
RFQ
 ECAD 8058 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT53D2048 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCCBH7-6R：C Tr -
RFQ
 ECAD 5981 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-TBGA MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 152-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
M29W010B70N1 Micron Technology Inc. M29W010B70N1 -
RFQ
 ECAD 6108 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W010 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 32-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 156 不揮発性 1mbit 70 ns フラッシュ 128k x 8 平行 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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