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ICS ）（10403）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M29F400BB70N6T TR | - |  | 1154 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29F400 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | mt29az5a3chhwd-18ait.84f tr | - | | 2150 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 162-VFBGA | mt29az5a3 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.9V | 162-VFBGA（10.5x8） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 533 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit（nand | フラッシュ、ラム | 512m x 8 | 平行 | - | |||
 | M25P20-VMP6GB | - | | 7214 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25P20 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-VFQFPN （6x5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
 | TE28F128J3D75B TR | - | | 7068 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | 28F128J3 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 128mbit | 75 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 75ns | |||
 | NAND128W3A0BN6F TR | - | | 9483 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | NAND128 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 128mbit | 50 ns | フラッシュ | 16m x 8 | 平行 | 50ns | |||
 | MTFC4GMWDM-3M AIT | - | | 9105 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | ||||||
| M29W128FL70N6E | - | | 1640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 497-5530 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 70ns | ||
 | MT53D512M32D2DS-053 AAT：d | 23.6700 | | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 前回購入します | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||
 | MT4A1G16KNR-75：E TR | - | | 1640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | MT4A1 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 2,000 | |||||||||||||||||
| M29W640GL70ZF3F TR | - | | 1316 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| MT53D4DFSB-DC | - | | 3899 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | - | - | mt53d4 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,190 | 揮発性 | ドラム | |||||||||||
| MT41K256M16HA-125 V：e | - | | 4947 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （9x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||
 | mt28f004b3vg-8 t | - | | 7815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 40-tfsop （0.724 "、18.40mm | MT28F004B3 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 40-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 80ns | |||
 | MT29F256G08CMCDBJ5-6R：D TR | - | | 6716 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | - | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 132-TBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT58L64L36DT-7 | 5.5100 | | 140 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 2mbit | sram | 64k x 36 | 平行 | - | ||||
| mtfc32gaoalea-wt es tr | - | | 1015 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | mtfc32g | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||
 | MT48LC8M16A2B4-6A XIT：L | - | | 8851 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0002 | 1,560 | 167 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 12ns | ||
| EDFA364A3MA-GD-FR TR | - | | 2825 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDFA364 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | 平行 | - | |||
 | MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR | 6.8100 | | 7778 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | MT28EW256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lbga（11x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 256mbit | 75 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 60ns | |||
 | mtfc32gapalbh-ait | - | | 1496 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 前回購入します | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | 153-TFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | ||||
| JR28F064M29EWHA | - | | 2007年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JR28F064M29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT48LC128M4A2TG-75：C Tr | - | | 6833 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC128M4A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 4 （72 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 128m x 4 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F8G08ADBDAH4-IT：D TR | - | | 3575 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F8G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | ||||
| M29DW323DB70ZE6F TR | - | | 8965 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29DW323 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
| MT28EW256ABA1HPC-1SIT | - | | 2858 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | MT28EW256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lbga（11x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | 不揮発性 | 256mbit | 75 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 60ns | |||
| M29W800DB70N6F TR | - | | 7500 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT53B384M32D2NP-062 XT：B TR | - | | 8494 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | - | - | |||
 | MTFC16GJDEC-4M IT | - | | 4997 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-WFBGA | mtfc16g | フラッシュ -ナンド | 1.65v〜3.6V | 169-WFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||
 | PC28F128P33TF60E TR | - | | 7747 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F128 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 60 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 60ns | |||
 | mtfc8gamalna-aittr | - | | 3659 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-TBGA | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | - | 100-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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