SIC
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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
M29F800DT70M6E Micron Technology Inc. M29F800DT70M6E -
RFQ
 ECAD 2837 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.525 "、13.34mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 16 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
MT46V64M4FG-5B:G TR Micron Technology Inc. MT46V64M4FG-5B：G Tr -
RFQ
 ECAD 9116 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-FBGA mt46v64m4 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-fbga （8x14） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 64m x 4 平行 15ns
MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CECDBJ4-6ITR：D TR -
RFQ
 ECAD 7523 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 166 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT -
RFQ
 ECAD 8797 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-TFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-TFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 166 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F32G08ABCABH1-10ITZ：a 46.5700
RFQ
 ECAD 418 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-VBGA MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT53D2048M32D8QD-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D2048M32D8QD-053 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 8575 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT53D2048 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
MT25QL01GBBB8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB8E12-0AAT 21.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT25QL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F32G08AECCBH1-10:C Micron Technology Inc. MT29F32G08AECCBH1-10：c -
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1 100 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT47H64M8CB-3:B TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-3：B TR -
RFQ
 ECAD 6568 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT28F400B3SG-8 BET Micron Technology Inc. MT28F400B3SG-8ベット -
RFQ
 ECAD 7797 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） MT28F400B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 44-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
MT53E1536M64D8HJ-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046AAT：C Tr 90.3150
RFQ
 ECAD 4118 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT53E1536M64D8HJ-046AAT：CTR 2,000
MT29F128G08CBECBH6-12M:C TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBECBH6-12M：C TR -
RFQ
 ECAD 5450 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT48H32M16LFB4-6 AT:C Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB4-6 at：c -
RFQ
 ECAD 8860 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H32M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,560 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
MTFC32GAPALNA-AIT ES TR Micron Technology Inc. mtfc32gapalna-it es tr -
RFQ
 ECAD 8704 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-TBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド - 100-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
M50FLW040AK5TG TR Micron Technology Inc. M50FLW040AK5TG TR -
RFQ
 ECAD 2326 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -20°C〜85°C（Ta） 表面マウント 32-lcc M50FLW040 フラッシュ - 3V〜3.6V 32-PLCC（11.35x13.89） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 750 33 MHz 不揮発性 4mbit 250 ns フラッシュ 512k x 8 平行 -
MT58L64L36FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L36FT-7.5 5.1700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 113 MHz 揮発性 2mbit 7.5 ns sram 64k x 36 平行 -
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NZ-046 WT：e 98.1150
RFQ
 ECAD 1247 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA MT53D1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA（14x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
MTFC128GAJAECE-IT Micron Technology Inc. mtfc128gajaece-it -
RFQ
 ECAD 1814年年 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-lfbga MTFC128 フラッシュ -ナンド - 169-lfbga - 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
MT53E512M64D2NW-046 IT:B Micron Technology Inc. MT53E512M64D2NW-046 IT：b -
RFQ
 ECAD 8123 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 表面マウント 432-VFBGA MT53E512 432-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E512M64D2NW-046IT：b 1,360
MT29F4T08GLLCEG7-QB:C Micron Technology Inc. MT29F4T08GLLCEG7-QB：c 78.1500
RFQ
 ECAD 9217 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F4T08GLLCEG7-QB：c 1
MT46V256M4TG-75:A Micron Technology Inc. MT46V256M4TG-75：a -
RFQ
 ECAD 7113 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V256M4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 133 MHz 揮発性 1gbit 750 PS ドラム 256m x 4 平行 15ns
MT47H128M4CB-37E:B TR Micron Technology Inc. MT47H128M4CB-37E：B Tr -
RFQ
 ECAD 3196 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H128M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 267 MHz 揮発性 512mbit 500 PS ドラム 128m x 4 平行 15ns
MTFC64GAPALHT-AIT Micron Technology Inc. mtfc64gapalht-ait -
RFQ
 ECAD 9898 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ mtfc64 フラッシュ -ナンド - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC64GAPALHT-AIT 8542.32.0071 980 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
MT48LC2M32B2TG-6:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2TG-6：G TR -
RFQ
 ECAD 1677 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC2M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 12ns
M58LR256KB70ZQ5F TR Micron Technology Inc. M58LR256KB70ZQ5F TR -
RFQ
 ECAD 5690 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C（TA） 表面マウント 88-TFBGA M58LR256 フラッシュ - 1.7V〜2V 88-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66 MHz 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 16m x 16 平行 70ns
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F Micron Technology Inc. MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F -
RFQ
 ECAD 8666 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 mt29vzzzac8 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,520
MT29F1G16ABBEAH4:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAH4：E TR -
RFQ
 ECAD 9086 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 64m x 16 平行 -
MT46V16M8P-6T IT:D TR Micron Technology Inc. MT46V16M8P-6T IT：D Tr -
RFQ
 ECAD 5189 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V16M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 128mbit 700 ps ドラム 16m x 8 平行 15ns
M29W064FT70N3E Micron Technology Inc. M29W064FT70N3E -
RFQ
 ECAD 9080 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT53B512M32D2DS-062 XT:C Micron Technology Inc. MT53B512M32D2DS-062 XT：c -
RFQ
 ECAD 2353 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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