SIC
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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
N25Q032A11EF640F TR Micron Technology Inc. N25Q032A11EF640F TR -
RFQ
 ECAD 1516 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q032A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G Micron Technology Inc. MT29F2G08888ABAGAH4-AAT：g 2.7962
RFQ
 ECAD 7359 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F2G08ABAGAH4-AAT：g 8542.32.0071 1,260 不揮発性 2Gbit 20 ns フラッシュ 256m x 8 平行 20ns
MT48V8M32LFB5-10 IT Micron Technology Inc. MT48V8M32LFB5-10 IT -
RFQ
 ECAD 6315 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA mt48v8m32 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 90-VFBGA （8x13 - ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 100 MHz 揮発性 256mbit 7 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
MT29F8G08ABABAWP-ITX:B Micron Technology Inc. MT29F8G0808808ABABABAWP-ITX：b -
RFQ
 ECAD 9421 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCCBH7-6ITR：C TR -
RFQ
 ECAD 1295 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 152-TBGA MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 152-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M16D1DS-046AAT：B TR 9.9600
RFQ
 ECAD 8260 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） MT53E256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E256M16D1DS-046AAT：BTR 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 - -
MT29F64G08AMABAC5-IT:B Micron Technology Inc. MT29F64G08AMABAC5-IT：b -
RFQ
 ECAD 3605 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 52-VLGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 52-VLGA（18x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT53D384M64D4KA-046 XT:E Micron Technology Inc. MT53D384M64D4KA-046 XT：e 36.7950
RFQ
 ECAD 3804 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜105°C（TC） - - MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,140 2.133 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F Micron Technology Inc. MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F -
RFQ
 ECAD 8666 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 mt29vzzzac8 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,520
MT29E4T08CTHBBM5-3:B Micron Technology Inc. MT29E4T08CTHBBM5-3：b -
RFQ
 ECAD 9210 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29E4T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V - - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 平行 -
MT25QU256ABA1EW7-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU256ABA1EW7-0SIT 6.4700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MT25QU256 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-wpdfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT47H64M16NF-25E IT:M TR Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E IT：M TR 3.7664
RFQ
 ECAD 1126 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT47H64M16NF-25EIT：MTR ear99 8542.32.0032 2,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT48H8M32LFF5-8 Micron Technology Inc. MT48H8M32LFF5-8 -
RFQ
 ECAD 6187 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48H8M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 125 MHz 揮発性 256mbit 7 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08888ABADAH4-IT：D TR 5.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT41K1G8RKB-107:N Micron Technology Inc. MT41K1G8RKB-107：n -
RFQ
 ECAD 6512 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 - 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,440 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 -
MT46V64M8TG-5B:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-5B：D Tr -
RFQ
 ECAD 2802 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-062 AIT：c -
RFQ
 ECAD 2580 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT48V8M16LFF4-8:G TR Micron Technology Inc. MT48V8M16LFF4-8：G TR -
RFQ
 ECAD 4831 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA mt48v8m16 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 54-VFBGA ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
M29W800DB70M6 Micron Technology Inc. M29W800DB70M6 -
RFQ
 ECAD 4504 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.525 "、13.34mm 幅） M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 16 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
M28W320HSU70ZB6E Micron Technology Inc. M28W320HSU70ZB6E -
RFQ
 ECAD 3952 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 47-TFBGA M28W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 47-TFBGA （6.39x6.37 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,380 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-M 5.7700
RFQ
 ECAD 5227 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
M25P20-VMN6T TR Micron Technology Inc. M25P20-VMN6T TR -
RFQ
 ECAD 5587 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25P20 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS非準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 50 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 15ms、5ms
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NK-062 WT ES：b -
RFQ
 ECAD 6937 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT29F32G08CBADBWP-12IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADBWP-12IT：D TR 6.7400
RFQ
 ECAD 3002 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
RC28F256M29EWLA Micron Technology Inc. RC28F256M29EWLA -
RFQ
 ECAD 5820 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga RC28F256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 1,104 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 100ns
MTFC8GLDEA-1M WT TR Micron Technology Inc. mtfc8gldea-1m wt tr -
RFQ
 ECAD 8567 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT29F32G08QAAWP:A TR Micron Technology Inc. MT29F32G08QAAWP：TR -
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F3T08EUHBBM4-3RES：B TR -
RFQ
 ECAD 6669 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F3T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 3tbit フラッシュ 384g x 8 平行 -
MT48LC64M4A2P-75 L:D Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2P-75 L：d -
RFQ
 ECAD 2939 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC64M4A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 64m x 4 平行 15ns
MT41K512M16VRN-107 AIT:P Micron Technology Inc. MT41K512M16VRN-107 AIT：p 19.1550
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT41K512M16VRN-107AIT：p ear99 8542.32.0036 1,368 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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