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ICS ）（10403）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mtfc4gmtea-4m it tr | - |  | 2750 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga（11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT48LC16M16A2B4-6A：G TR | 5.6850 | | 3654 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,000 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 12ns | ||
 | MT46V32M16P-6T L：F | - | | 1785 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F2G08ABAEAH4：e | - | | 2848 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
 | PC28F064M29EWLX | - | | 3051 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | PC28F064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 不揮発性 | 64mbit | 60 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
| MT29F256G08EBHAFB16A3WC1 | - | | 3859 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F256G08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.5V〜3.6V | 死ぬ | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 333 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||||
 | M29W160EB90N6 | - | | 5224 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W160 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 16mbit | 90 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 90ns | |||
| M29W128GH7AZS6E | - | | 4969 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | M29W128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT25QU128ABA1ESF-0SIT TR | - | | 4531 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25QU128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 16-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
| MT41K256M16HA-125 AIT：E TR | - | | 6673 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （9x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||
| mtfc64gbcaqtc-aat tr | 24.5000 | | 6064 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MTFC64GBCAQTC-AATTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT53B384M64D4NK-062 WT ES：b | - | | 6012 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 366-WFBGA | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA （15x15） | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | |||||
| MT29F2T08CUCBBK9-37：b | - | | 6772 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F2T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,120 | 267 MHz | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | ||||
 | mt29c1g12maacaeamd-6 it tr | - | | 8902 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 130-VFBGA | MT29C1G12 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 130-VFBGA （8x9） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit（nand | フラッシュ、ラム | 128m x 8 | 平行 | - | |||
| MT47H128M8SH-25E AIT：M TR | - | | 6047 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT47H128M8SH-25EAIT：MTR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MTFC512GBCAVHE-WT | 63.8550 | | 3070 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MTFC512GBCAVHE-WT | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29F8T08GULCEM4-QM：C Tr | 156.3000 | | 1050 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F8T08GULCEM4-QM：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT57W512H36JF-4 | 28.0100 | | 235 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | MT57W512H | SRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 4 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
 | MT47H16M16BG-5E：b | - | | 8465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-FBGA | MT47H16M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 600 PS | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F32G08ABEABM73A3WC1P | - | | 2721 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT53E128M32D2FW-046 IT：a | 7.4714 | | 9836 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E128M32D2FW-046IT：a | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
 | MT48H32M16LFBF-75：B TR | - | | 5319 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H32M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA （6x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| EDFA164A2PM-JD-FR TR | - | | 4805 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDFA164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | 平行 | - | ||||
| M29W640GH70ZS6E | - | | 8408 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | M29W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 160 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| MT29F4T08CTHBBM5-3R：b | - | | 3227 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F4T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | - | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 4tbit | フラッシュ | 512g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT25QL512ABB8E12-0AUT | 13.2500 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT25QL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -MT25QL512ABB8E12-0AUT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||
| MT29F1G08ABCHC-ET：C Tr | - | | 2766 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT29F8G01ADAFD12-AATES：F Tr | - | | 3299 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | - | MT29F8G01 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 8g x 1 | spi | - | ||||
| MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P | - | | 1214 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
 | PC28F640P33BF60D | - | | 8040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F640 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 52 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 60 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 60ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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