SIC
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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT41J512M4HX-187E:D Micron Technology Inc. MT41J512M4HX-187E：d -
RFQ
 ECAD 6711 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41J512M4 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 2Gbit 13.125 ns ドラム 512m x 4 平行 -
N25Q064A13EF640F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13EF640F TR -
RFQ
 ECAD 3655 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT53E2G32D4DE-046 AIT:C Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AIT：c 51.3600
RFQ
 ECAD 3421 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E2G32D4DE-046AIT：c 1 2.133 GHz 揮発性 64gbit 3.5 ns ドラム 2g x 32 平行 18ns
MT46V16M8P-6T:D Micron Technology Inc. mt46v16m8p-6t：d -
RFQ
 ECAD 1170 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V16M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 128mbit 700 ps ドラム 16m x 8 平行 15ns
MT47H256M8EB-25E:C TR Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-25E：C Tr 11.4150
RFQ
 ECAD 6589 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H256M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
N25Q128A13ESFH0F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13ESFH0F TR -
RFQ
 ECAD 3809 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MTFC16GJVEC-WT Micron Technology Inc. MTFC16GJVEC-WT -
RFQ
 ECAD 7389 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ バルク 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント - mtfc16g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT48LC8M32LFF5-8 TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32LFF5-8 TR -
RFQ
 ECAD 5804 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC8M32 SDRAM- lPSDR 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 125 MHz 揮発性 256mbit 7 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
MT48LC16M16A2BG-7E:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2BG-7E：D TR -
RFQ
 ECAD 5760 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA （8x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 14ns
MT25QL512ABA8E12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL512ABA8E12-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 3436 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT46H128M16LFB7-6 IT:B Micron Technology Inc. MT46H128M16LFB7-6 IT：b -
RFQ
 ECAD 1636 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H128M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga （10x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
MTFC4GLGDQ-AIT Micron Technology Inc. mtfc4glgdq-ait -
RFQ
 ECAD 3173 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT28F400B5WG-8 BET TR Micron Technology Inc. MT28F400B5WG-8 BET TR -
RFQ
 ECAD 2821 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F400B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
MT41K512M16VRP-107 AIT:P Micron Technology Inc. MT41K512M16VRP-107 AIT：p 16.7550
RFQ
 ECAD 7511 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie™ トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT41K512M16VRP-107AIT：p 1,224 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
MT62F768M64D4EJ-031 WT:A TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EJ-031 WT：TR 77.2200
RFQ
 ECAD 8950 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ MT62F768 - 影響を受けていない 557-MT62F768M64D4EJ-031WT：ATR 1,500
MT48V8M16LFF4-10 IT:G Micron Technology Inc. MT48V8M16LFF4-10 IT：G -
RFQ
 ECAD 8796 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA mt48v8m16 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 54-VFBGA ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 100 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT29F32G08ABAAAM73A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F32G08ABAAAM73A3WC1P -
RFQ
 ECAD 8470 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-IT：E TR -
RFQ
 ECAD 7736 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MTFC32GJVED-4M IT Micron Technology Inc. mtfc32gjved-4m it -
RFQ
 ECAD 6364 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 169-VFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8523.51.0000 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CECBBH6-6R：B TR -
RFQ
 ECAD 7550 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 152-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT46V32M4P-5B:D Micron Technology Inc. MT46V32M4P-5B：d -
RFQ
 ECAD 6556 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M4 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 200 MHz 揮発性 128mbit 700 ps ドラム 32m x 4 平行 15ns
MT48V8M16LFB4-10 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48V8M16LFB-10 IT：G TR -
RFQ
 ECAD 5301 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA mt48v8m16 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 100 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT48LC2M32B2TG-6 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2TG-6 IT：G -
RFQ
 ECAD 3376 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC2M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 12ns
MT41K512M16VRP-107 IT:P Micron Technology Inc. MT41K512M16VRP-107 IT：p 15.2250
RFQ
 ECAD 4361 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie™ バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 557-MT41K512M16VRP-107IT：p 1,224 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
N25Q032A13ESEC0E Micron Technology Inc. N25Q032A13ESEC0E -
RFQ
 ECAD 5577 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） N25Q032A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-sop2 - ROHS3準拠 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,800 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 8ms、5ms
NAND512R3A2SZAXE Micron Technology Inc. NAND512R3A2SZAXE -
RFQ
 ECAD 8535 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-TFBGA NAND512 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 512mbit 50 ns フラッシュ 64m x 8 平行 50ns
MT29F2G08ABBGAH4-AATES:G Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBGAH4-AATE：g 7.7000
RFQ
 ECAD 1560 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 8542.32.0071 1 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 30ns
M58WR064KB7AZB6F TR Micron Technology Inc. M58WR064KB7AZB6F TR -
RFQ
 ECAD 9614 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-VFBGA M58WR064 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-VFBGA （7.7x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66 MHz 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 4m x 16 平行 70ns
MT40A16G4WPF-062H:B Micron Technology Inc. MT40A16G4WPF-062H：b 194.0100
RFQ
 ECAD 3015 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC MT40A16G4 SDRAM -DDR4 - - 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT40A16G4WPF-062H：b 8542.32.0071 152 1.6 GHz 揮発性 64gbit ドラム 16g x 4 - -
EDY4016AABG-GX-F-D Micron Technology Inc. EDY4016AABG-GX-FD -
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA EDY4016 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,980 1.33 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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