SIC
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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
JS28F256P30T95A Micron Technology Inc. JS28F256P30T95A -
RFQ
 ECAD 3272 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F256P30 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 40 MHz 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 16m x 16 平行 95ns
MT66R7072A10ACUXZW.ZCA TR Micron Technology Inc. MT66R7072A10ACUXZW.ZCA TR -
RFQ
 ECAD 1146 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 121-WFBGA MT66R7072 PCM -LPDDR2、MCP -LPDDR2 1.14V〜1.95V 121-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 不揮発性 1GBIT （PCM ラム 128m x 8（PCM 平行 -
MT49H16M18FM-25:B Micron Technology Inc. MT49H16M18FM-25：b -
RFQ
 ECAD 2659 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
MT46V64M16TG-6T:A TR Micron Technology Inc. MT46V64M16TG-6T：TR -
RFQ
 ECAD 6784 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 167 MHz 揮発性 1gbit 700 ps ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT48LC8M16A2TG-75:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2TG-75：g -
RFQ
 ECAD 2535 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT48V4M32LFB5-8 IT:G Micron Technology Inc. MT48V4M32LFB5-8 IT：g -
RFQ
 ECAD 3895 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA mt48v4m32 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
MT48V4M32LFB5-8 XT:G Micron Technology Inc. MT48V4M32LFB5-8 XT：g -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -20°C〜75°C（TA） 表面マウント 90-VFBGA mt48v4m32 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
MT41J128M16JT-093 J:K Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-093 J：k -
RFQ
 ECAD 8668 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 100 1.066 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT40A1G16KD-062E:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G16KD-062E：E TR -
RFQ
 ECAD 7469 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x13） - ROHS3準拠 影響を受けていない 557-MT40A1G16KD-062E：ETR 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 1g x 16 平行 15ns
MT62F2G64D8EK-026 WT:C Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-026 WT：c 90.4650
RFQ
 ECAD 6295 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F2G64D8EK-026WT：c 1 3.2 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 2g x 64 平行 -
MTFC64GBCAQDQ-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc64gbcaqdq-aat tr 29.4000
RFQ
 ECAD 6519 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MTFC64GBCAQDQ-AATTR 1,500
MT49H32M18FM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18FM-25：B TR -
RFQ
 ECAD 5843 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H32M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 32m x 18 平行 -
MT46V32M16TG-6T:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-6T：C Tr -
RFQ
 ECAD 8804 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop - ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CECBBH6-6R：B TR -
RFQ
 ECAD 7550 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 152-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
M29F800FT55N3F2 TR Micron Technology Inc. M29F800FT55N3F2 TR -
RFQ
 ECAD 2810 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 55ns
MTFC128GAXAUEA-WT Micron Technology Inc. mtfc128gaxauea-wt 14.0250
RFQ
 ECAD 1322 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MTFC128GAXAUEA-WT 1
MT29F1T08CUCABH8-6:A Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCABH8-6：a -
RFQ
 ECAD 7270 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT47H64M8CB-25:B TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-25：B TR -
RFQ
 ECAD 7630 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT40A2G8FSE-093E:A Micron Technology Inc. MT40A2G8FSE-093E：a -
RFQ
 ECAD 8494 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9.5x13 - 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 1.066 GHz 揮発性 16gbit ドラム 2g x 8 平行 -
NAND512R3A2SZAXE Micron Technology Inc. NAND512R3A2SZAXE -
RFQ
 ECAD 8535 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-TFBGA NAND512 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 512mbit 50 ns フラッシュ 64m x 8 平行 50ns
MT28F640J3RG-115 MET TR Micron Technology Inc. MT28F640J3RG-115 Met Tr -
RFQ
 ECAD 2213 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F640J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64mbit 115 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 -
M29W800DB70N6F TR Micron Technology Inc. M29W800DB70N6F TR -
RFQ
 ECAD 7500 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
MT29F4T08EUHBFM4-T:B Micron Technology Inc. MT29F4T08EUHBFM4-T：b -
RFQ
 ECAD 4224 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F4T08 フラッシュ-Nand （TLC） 1.7V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F4T08EUHBFM4-T：b 廃止 8542.32.0071 1,120 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 平行 -
RD48F2000P0ZBQ0A Micron Technology Inc. RD48F2000P0ZBQ0A -
RFQ
 ECAD 5416 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 88-TFBGA 、CSPBGA RD48F2000 フラッシュ - 1.7V〜2V 88-scsp（ 8x10） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52 MHz 不揮発性 64mbit 85 ns フラッシュ 4m x 16 平行 85ns
MT46V64M8TG-75Z:D Micron Technology Inc. mt46v64m8tg-75z：d -
RFQ
 ECAD 7916 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop - ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT48LC2M32B2TG-6 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2TG-6 IT：G -
RFQ
 ECAD 3376 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC2M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 12ns
MT47H128M8BT-3 L:A Micron Technology Inc. MT47H128M8BT-3 L：a -
RFQ
 ECAD 4519 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 92-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA （11x19） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT40A16G4WPF-062H:B Micron Technology Inc. MT40A16G4WPF-062H：b 194.0100
RFQ
 ECAD 3015 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC MT40A16G4 SDRAM -DDR4 - - 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT40A16G4WPF-062H：b 8542.32.0071 152 1.6 GHz 揮発性 64gbit ドラム 16g x 4 - -
MTFC16GAKAEJP-4M IT Micron Technology Inc. mtfc16gakaejp-4m it -
RFQ
 ECAD 3087 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA MTFC16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.9V 153-VFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
M58WR032KB7AZB6F TR Micron Technology Inc. M58WR032KB7AZB6F TR -
RFQ
 ECAD 1563 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-VFBGA M58WR032 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-VFBGA （7.7x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66 MHz 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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