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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT53D768M64D8WF-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D8WF-053 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 5251 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA（14x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
MTFC32GAPALBH-AIT Micron Technology Inc. mtfc32gapalbh-ait -
RFQ
 ECAD 1496 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 前回購入します -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド - 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMHGBJ4-3R：G TR -
RFQ
 ECAD 3990 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
ECF00453ZCN-Y3 Micron Technology Inc. ECF00453ZCN-Y3 -
RFQ
 ECAD 9079 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ ECF00453 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1
MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-AATX：E Tr 5.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT53B768M32D4DT-062 AIT:B Micron Technology Inc. MT53B768M32D4DT-062 AIT：b -
RFQ
 ECAD 3178 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53B768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
MT48LC16M16A2BG-7E IT:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2BG-7E IT：d -
RFQ
 ECAD 9941 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA （8x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 14ns
JS28F128P33T85A Micron Technology Inc. JS28F128P33T85A -
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 ECAD 7504 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F128p33 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-AITX：e 5.1300
RFQ
 ECAD 880 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT48LC8M16A2P-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A：g -
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
MT46H64M16LFT68MWC2 Micron Technology Inc. MT46H64M16LFT68MWC2 -
RFQ
 ECAD 3452 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - MT46H64M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V - 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行
MT48LC8M32B2F5-7 IT TR Micron Technology Inc. mt48lc8m32b2fff5-7 it tr -
RFQ
 ECAD 1640 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48LC8M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 143 MHz 揮発性 256mbit 6 ns ドラム 8m x 32 平行 14ns
MT46V64M8P-6T IT:F Micron Technology Inc. mt46v64m8p-6t IT：f -
RFQ
 ECAD 6233 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT48LC8M32LFF5-10 Micron Technology Inc. MT48LC8M32LFF5-10 -
RFQ
 ECAD 5162 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC8M32 SDRAM- lPSDR 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 - ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 100 MHz 揮発性 256mbit 7 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
MT29F4G08ABADAWP-ITX:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-ITX：D TR 6.5300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT52L1G32D4PG-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L1G32D4PG-107 WT：B TR 53.9550
RFQ
 ECAD 4733 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 178-VFBGA MT52L1G32 SDRAM- lpddr3 1.2V 178-FBGA（12x11.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT28F800B5SG-8 BET TR Micron Technology Inc. MT28F800B5SG-8 BET TR -
RFQ
 ECAD 2795 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） MT28F800B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 8mbit 80 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 80ns
MT46V128M4FN-5B:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4FN-5B：D TR 21.1800
RFQ
 ECAD 981 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 128m x 4 平行 15ns
MT28F128J3RG-12 MET Micron Technology Inc. MT28F128J3RG-12 MET -
RFQ
 ECAD 1157 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F128J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128mbit 120 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 -
MT42L128M32D1U80MWC2 Micron Technology Inc. MT42L128M32D1U80MWC2 -
RFQ
 ECAD 4915 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C（TC） - - MT42L128M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
N25Q128A13ESEDFF TR Micron Technology Inc. N25Q128A13ESEDFF TR -
RFQ
 ECAD 5010 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,500 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MT25QL512ABB8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8ESF-0AAT 8.1150
RFQ
 ECAD 8817 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -791-MT25QL512ABB8ESF-0AAT 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F1HT08ELHBBG1-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1HT08ELHBBG1-3RES：B TR -
RFQ
 ECAD 6702 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 272-VFBGA MT29F1HT08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 272-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 1.5tbit フラッシュ 192g x 8 平行 -
MT48LC4M32B2TG-6:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2TG-6：G TR -
RFQ
 ECAD 5478 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 4m x 32 平行 12ns
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT -
RFQ
 ECAD 8393 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
MT29F2T08EELCHD4-QA:C Micron Technology Inc. MT29F2T08EELCHD4-QA：c 41.9550
RFQ
 ECAD 3601 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F2T08EELCHD4-QA：c 1
MT40A512M8HX-083E:A Micron Technology Inc. MT40A512M8HX-083E：a -
RFQ
 ECAD 2718 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 1.2 GHz 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
N25Q256A13E1241E Micron Technology Inc. N25Q256A13E1241E -
RFQ
 ECAD 5661 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q256A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 187 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F8G08ABABAWP:B TR Micron Technology Inc. MT29F8G080808ABABAWP：B TR -
RFQ
 ECAD 2466 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B512M64D8HR-053 WT ES：b -
RFQ
 ECAD 5506 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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