SIC
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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
N25Q128A11BSF40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11BSF40F TR -
RFQ
 ECAD 4304 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q128A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、5ms
MT44K32M18RB-093E:B Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-093E：b -
RFQ
 ECAD 6253 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K32M18 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,190 1.066 GHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 32m x 18 平行 -
N25Q032A13EV741 Micron Technology Inc. N25Q032A13EV741 -
RFQ
 ECAD 7579 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜125°C（タタ - - N25Q032A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 8ms、5ms
M29W128GSL70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29W128GSL70ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 1976年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA （10x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
M45PE40S-VMN6P Micron Technology Inc. M45PE40S-VMN6P -
RFQ
 ECAD 8308 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M45PE40 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 2,000 75 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、3ms
MT46H128M16LFCK-5 IT:A Micron Technology Inc. MT46H128M16LFCK-5それ：a -
RFQ
 ECAD 9742 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H128M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
MT58L64L18DT-10 Micron Technology Inc. MT58L64L18DT-10 7.0500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 500 100 MHz 揮発性 1mbit 5 ns sram 64k x 18 平行 -
MT48LC8M16A2P-6A AAT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A AAT：L TR -
RFQ
 ECAD 8663 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
MT46V32M16BN-5B IT:F Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-5B IT：F -
RFQ
 ECAD 8119 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MTFC8GLTEA-1F WT Micron Technology Inc. mtfc8gltea-1f wt -
RFQ
 ECAD 5986 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT29F16T08GWLCEM5-QB:C Micron Technology Inc. MT29F16T08GWLCEM5-QB：c 312.5850
RFQ
 ECAD 4181 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F16T08GWLCEM5-QB：c 1
MT48LC64M8A2P-75 IT:C TR Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2P-75 IT：C Tr -
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC64M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EMHAFJ4-3R：TR -
RFQ
 ECAD 8071 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAWP-ITS：F TR -
RFQ
 ECAD 2271 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT53E384M64D4NK-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53E384M64D4NK-053 WT：e -
RFQ
 ECAD 8561 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53E384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 557-MT53E384M64D4NK-053WT：e 廃止 119 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
MT29C1G12MAADVAKC-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADVAKC-5 IT -
RFQ
 ECAD 1427 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 107-TFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 107-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 64m x 16 平行 -
MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAGAWP-AAT：G TR 2.7962
RFQ
 ECAD 2441 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F2G16ABAGAWP-AAT：GTR 1,000
RD48F2000P0ZBQ0A Micron Technology Inc. RD48F2000P0ZBQ0A -
RFQ
 ECAD 5416 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 88-TFBGA 、CSPBGA RD48F2000 フラッシュ - 1.7V〜2V 88-scsp（ 8x10） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52 MHz 不揮発性 64mbit 85 ns フラッシュ 4m x 16 平行 85ns
MT48H4M16LFB4-75 IT:H Micron Technology Inc. MT48H4M16LFB4-75 IT：h -
RFQ
 ECAD 8846 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H4M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 6 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
JS28F320J3D75E Micron Technology Inc. JS28F320J3D75E -
RFQ
 ECAD 3804 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F320J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 32mbit 75 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 75ns
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCCBH7-6R：C Tr -
RFQ
 ECAD 5981 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-TBGA MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 152-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MTFC64GBCAQDQ-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc64gbcaqdq-aat tr 29.4000
RFQ
 ECAD 6519 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MTFC64GBCAQDQ-AATTR 1,500
M29W010B70N1 Micron Technology Inc. M29W010B70N1 -
RFQ
 ECAD 6108 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W010 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 32-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 156 不揮発性 1mbit 70 ns フラッシュ 128k x 8 平行 70ns
MT46V64M8FN-6:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8FN-6：D TR -
RFQ
 ECAD 8481 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT42L256M64D4LM-18 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L256M64D4LM-18 WT：TR -
RFQ
 ECAD 3717 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 216-VFBGA MT42L256M64 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 216-FBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
MT53D768M64D8SQ-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D8SQ-046 WT：E TR -
RFQ
 ECAD 7471 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 556-VFBGA MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 556-VFBGA（12.4x12.4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
MT47H32M8BP-37E:B TR Micron Technology Inc. MT47H32M8BP-37E：B Tr -
RFQ
 ECAD 3095 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H32M8B SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA （8x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 267 MHz 揮発性 256mbit 500 PS ドラム 32m x 8 平行 15ns
N25Q256A13EF8A0F TR Micron Technology Inc. N25Q256A13EF8A0F TR -
RFQ
 ECAD 9869 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q256A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F768G08EEHBBJ4-3R：B TR -
RFQ
 ECAD 8240 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F768G08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 768GBIT フラッシュ 96g x 8 平行 -
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR -
RFQ
 ECAD 8952 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 64m x 16 平行 -
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    毎日の平均RFQボリューム

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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