SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT25QU256ABA8E12-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8E12-1SIT TR 6.7800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga MT25QU256 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B TR -
RFQ
ECAD 9834 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V - 1 (無制限) ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT29F8T08ESLCEG4-R:C Micron Technology Inc. MT29F8T08ESLCEG4-R:c 242.1750
RFQ
ECAD 2295 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ - 557-MT29F8T08ESLCEG4-R:c 1
MT49H64M9FM-25:B Micron Technology Inc. MT49H64M9FM-25:b -
RFQ
ECAD 1432 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C (TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H64M9 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga(18.5x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 64m x 9 平行 -
MT29F128G08AKCABH2-10:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AKCABH2-10:TR -
RFQ
ECAD 1320 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-TBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-tbga(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR -
RFQ
ECAD 4792 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) - - MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,000 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
M29F200BB70M6E Micron Technology Inc. M29F200BB70M6E -
RFQ
ECAD 1524 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) M29F200 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 16 不揮発性 2mbit 70 ns フラッシュ 256K x 8、128K x 16 平行 70ns
MT46V8M16TG-6T:D TR Micron Technology Inc. MT46V8M16TG-6T:D Tr -
RFQ
ECAD 4250 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT46V8M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 128mbit 700 ps ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT62F1536M32D4DS-026 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-026 AIT:b 43.5300
RFQ
ECAD 6163 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 アクティブ - 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 - 200-WFBGA (10x14.5 - 557-MT62F1536M32D4DS-026AIT:b 1 3.2 GHz 揮発性 48gbit ドラム 1.5GX 32 平行 -
MT29F16G08ABCBBM62B3WC1 Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCBBM62B3WC1 -
RFQ
ECAD 9848 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 死ぬ MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT48LC16M8A2BB-75 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2BB-75 IT:g -
RFQ
ECAD 7700 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-FBGA MT48LC16M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 60-FBGA (8x16) ダウンロード ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 16m x 8 平行 15ns
MT47H128M8SH-187E:M Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-187E:m -
RFQ
ECAD 8463 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga (8x10) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,518 533 MHz 揮発性 1gbit 350 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT53B256M64D2TP-062 L XT ES:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2TP-062 L XT ES:C -
RFQ
ECAD 8723 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C(TC) - - MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,120 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHAFJ4-3R:TR -
RFQ
ECAD 6420 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-Nand (TLC) 2.5V〜3.6V 132-VBGA(12x18) - 557-MT29F512G08EBHAFJ4-3R:ATR 廃止 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B Micron Technology Inc. MT53E256M64D4NZ-053 WT:b -
RFQ
ECAD 2628 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C (TC) MT53E256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない MT53E256M64D4NZ-053WT:b ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
M25PE10-VMN3TPB TR Micron Technology Inc. M25PE10-VMN3TPB TR -
RFQ
ECAD 1574 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) M25PE10 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi 15ms、3ms
MT41K128M16JT-107 IT:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-107 IT:K Tr 6.4300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (8x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT48LC4M16A2P-75:G Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-75:g -
RFQ
ECAD 2332 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない MT48LC4M16A2P75G ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
MT53B768M32D4DT-062 AIT:B Micron Technology Inc. MT53B768M32D4DT-062 AIT:b -
RFQ
ECAD 3178 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 200-VFBGA MT53B768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR 8.4750
RFQ
ECAD 6072 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT28EW512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 512mbit 95 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 60ns
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABBFD12-AATES:f -
RFQ
ECAD 3067 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 24-tbga MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
N25Q064A13ESF41F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF41F TR -
RFQ
ECAD 1407 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MTFC32GASAONS-AIT Micron Technology Inc. mtfc32gasaons-ait 21.1800
RFQ
ECAD 9495 0.00000000 Micron Technology Inc. AEC-Q104 アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 153-TFBGA フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 153-TFBGA (11.5x13 - 557-MTFC32GASAONS-AIT 1 52 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 UFS2.1 -
MT53E128M32D2DS-046 AUT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-046 AUT:a 12.1200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 200-WFBGA MT53E128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない MT53E128M32D2DS-046AUT:a ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT TR Micron Technology Inc. mt29c1g12maadafamd-6 it tr -
RFQ
ECAD 7859 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA (8x9) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit(nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
MT49H8M36FM-25 TR Micron Technology Inc. MT49H8M36FM-25 TR -
RFQ
ECAD 9416 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H8M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA(18.5x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 平行 -
M29W400BT70N6 Micron Technology Inc. M29W400BT70N6 -
RFQ
ECAD 6371 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29W400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 497-1716 ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 4mbit 70 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 70ns
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C Micron Technology Inc. MT46H64M32LFBQ-48 IT:c 9.6750
RFQ
ECAD 4109 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA (8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,440 208 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 14.4ns
MT42L128M64D4KJ-3 IT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D4KJ-3それ:a -
RFQ
ECAD 2555 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 216-VFBGA MT42L128M64 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 216-FBGA(12x12) - ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0036 1,000 333 MHz 揮発性 8gbit ドラム 128m x 64 平行 -
N25Q128A13E1241E Micron Technology Inc. N25Q128A13E1241E -
RFQ
ECAD 8870 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫