画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MT25QU256ABA8E12-1SIT TR | 6.7800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT25QU256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||||
![]() | MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B TR | - | ![]() | 9834 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | - | 1 (無制限) | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | ||||||||
![]() | MT29F8T08ESLCEG4-R:c | 242.1750 | ![]() | 2295 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F8T08ESLCEG4-R:c | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT49H64M9FM-25:b | - | ![]() | 1432 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H64M9 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga(18.5x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 64m x 9 | 平行 | - | ||
![]() | MT29F128G08AKCABH2-10:TR | - | ![]() | 1320 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-tbga(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR | - | ![]() | 4792 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||
![]() | M29F200BB70M6E | - | ![]() | 1524 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) | M29F200 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 16 | 不揮発性 | 2mbit | 70 ns | フラッシュ | 256K x 8、128K x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | MT46V8M16TG-6T:D Tr | - | ![]() | 4250 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT46V8M16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 128mbit | 700 ps | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | MT62F1536M32D4DS-026 AIT:b | 43.5300 | ![]() | 6163 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 200-WFBGA (10x14.5 | - | 557-MT62F1536M32D4DS-026AIT:b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 1.5GX 32 | 平行 | - | ||||||||
![]() | MT29F16G08ABCBBM62B3WC1 | - | ![]() | 9848 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 死ぬ | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | MT48LC16M8A2BB-75 IT:g | - | ![]() | 7700 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-FBGA | MT48LC16M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-FBGA (8x16) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | MT47H128M8SH-187E:m | - | ![]() | 8463 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga (8x10) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,518 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | 350 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | MT53B256M64D2TP-062 L XT ES:C | - | ![]() | 8723 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,120 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||
![]() | MT29F512G08EBHAFJ4-3R:TR | - | ![]() | 6420 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | 557-MT29F512G08EBHAFJ4-3R:ATR | 廃止 | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | MT53E256M64D4NZ-053 WT:b | - | ![]() | 2628 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | MT53E256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT53E256M64D4NZ-053WT:b | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.866 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||||
![]() | M25PE10-VMN3TPB TR | - | ![]() | 1574 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | M25PE10 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi | 15ms、3ms | ||||
MT41K128M16JT-107 IT:K Tr | 6.4300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | MT48LC4M16A2P-75:g | - | ![]() | 2332 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT48LC4M16A2P75G | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | MT53B768M32D4DT-062 AIT:b | - | ![]() | 3178 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53B768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 768m x 32 | - | - | |||
![]() | MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR | 8.4750 | ![]() | 6072 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT28EW512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 512mbit | 95 ns | フラッシュ | 64m x 8、32m x 16 | 平行 | 60ns | |||
MT29F4G01ABBFD12-AATES:f | - | ![]() | 3067 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 24-tbga | MT29F4G01 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 4g x 1 | spi | - | |||||
![]() | N25Q064A13ESF41F TR | - | ![]() | 1407 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SO | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
![]() | mtfc32gasaons-ait | 21.1800 | ![]() | 9495 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | AEC-Q104 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA (11.5x13 | - | 557-MTFC32GASAONS-AIT | 1 | 52 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
![]() | MT53E128M32D2DS-046 AUT:a | 12.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT53E128M32D2DS-046AUT:a | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | ||
mt29c1g12maadafamd-6 it tr | - | ![]() | 7859 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 130-VFBGA | MT29C1G12 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 130-VFBGA (8x9) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit(nand | フラッシュ、ラム | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MT49H8M36FM-25 TR | - | ![]() | 9416 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H8M36 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA(18.5x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 8m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | M29W400BT70N6 | - | ![]() | 6371 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29W400 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 497-1716 | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 70ns | ||
![]() | MT46H64M32LFBQ-48 IT:c | 9.6750 | ![]() | 4109 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA (8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,440 | 208 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 14.4ns | ||
![]() | MT42L128M64D4KJ-3それ:a | - | ![]() | 2555 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 216-VFBGA | MT42L128M64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 216-FBGA(12x12) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 128m x 64 | 平行 | - | ||||
![]() | N25Q128A13E1241E | - | ![]() | 8870 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q128A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫