SIC
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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT46V64M16TG-6T:A TR Micron Technology Inc. MT46V64M16TG-6T：TR -
RFQ
 ECAD 6784 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 167 MHz 揮発性 1gbit 700 ps ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT48LC8M16A2TG-75:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2TG-75：g -
RFQ
 ECAD 2535 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT48V4M32LFB5-8 IT:G Micron Technology Inc. MT48V4M32LFB5-8 IT：g -
RFQ
 ECAD 3895 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA mt48v4m32 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
M36W0R6050T4ZAQF TR Micron Technology Inc. M36W0R6050T4ZAQF TR -
RFQ
 ECAD 2280 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 M36W0R6050 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,500
MT29F2T08EMLKEM4-ITF:K Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLKEM4-ITF：k 64.8000
RFQ
 ECAD 3384 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F2T08EMLKEM4-ITF：k 1
MT53E128M16D1DS-053 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-053 AIT：a -
RFQ
 ECAD 9219 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） MT53E128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT53E128M16D1DS-053AIT：a 廃止 1,360 1.866 GHz 揮発性 2Gbit ドラム 128m x 16 - -
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D8TZ-053 WT：B TR -
RFQ
 ECAD 3350 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT53E256M32D2DS-046 IT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 IT：B TR 12.8100
RFQ
 ECAD 8131 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E256M32D2DS-046IT：Btr ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCCBH7-6ITR：c -
RFQ
 ECAD 7986 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 152-TBGA MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 152-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
M29W400BB90N6 Micron Technology Inc. M29W400BB90N6 -
RFQ
 ECAD 3927 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 4mbit 90 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 90ns
MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W.9B7 Micron Technology Inc. MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W.9B7 -
RFQ
 ECAD 3261 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,520
NAND128W3A2BN6F TR Micron Technology Inc. NAND128W3A2BN6F TR -
RFQ
 ECAD 3759 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND128 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 128mbit 50 ns フラッシュ 16m x 8 平行 50ns
MTFC128GAPALNS-AAT ES Micron Technology Inc. mtfc128gapalns-aat es -
RFQ
 ECAD 6716 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 153-TFBGA MTFC128 フラッシュ -ナンド - 153-TFBGA （11.5x13 - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F Micron Technology Inc. mt29f1g01abafdsf-aat：f 2.9984
RFQ
 ECAD 6142 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT29F1G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 16-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 不揮発性 1gbit フラッシュ 1g x 1 spi -
MT29F32G08CBCDBJ4-10:D TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBCDBJ4-10：D TR -
RFQ
 ECAD 1049 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 100 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT46V32M16P-5B:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B：F Tr -
RFQ
 ECAD 1051 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29F4T08GLLCEG7-QB:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08GLLCEG7-QB：C Tr 78.1500
RFQ
 ECAD 6433 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F4T08GLLCEG7-QB：CTR 2,000
MT41K512M8DA-093:P Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-093：p -
RFQ
 ECAD 5054 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,440 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 -
MT41K256M16LY-107:N TR Micron Technology Inc. MT41K256M16LY-107：N TR -
RFQ
 ECAD 9961 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MTFC32GJUEF-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc32gjuef-ait tr -
RFQ
 ECAD 7288 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-TFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 169-TFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
M25P40-VMN3TPB TR Micron Technology Inc. M25P40-VMN3TPB TR -
RFQ
 ECAD 8712 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25P40 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、5ms
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-046 WT：e -
RFQ
 ECAD 9233 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 556-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 556-WFBGA（12.4x12.4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT46V64M16P-75:A TR Micron Technology Inc. MT46V64M16P-75：TR -
RFQ
 ECAD 7154 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 133 MHz 揮発性 1gbit 750 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT46V32M16BN-6:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-6：F Tr -
RFQ
 ECAD 6532 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
M58LR256KB70ZC5F TR Micron Technology Inc. M58LR256KB70ZC5F TR -
RFQ
 ECAD 5076 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C（TA） 表面マウント 79-VFBGA M58LR256 フラッシュ - 1.7V〜2V 79-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66 MHz 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 16m x 16 平行 70ns
MT48H4M16LFF4-8 IT Micron Technology Inc. MT48H4M16LFF4-8 IT -
RFQ
 ECAD 9077 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H4M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 54-VFBGA ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 64mbit 6 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EUHAFM4-3T：TR -
RFQ
 ECAD 2536 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F4T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 平行 -
MT53B768M32D4TT-062 WT:B Micron Technology Inc. MT53B768M32D4TT-062 WT：b -
RFQ
 ECAD 1065 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,680 1.6 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
MT53D384M64D4NY-046 XT ES:D Micron Technology Inc. MT53D384M64D4NY-046 XT ES：D -
RFQ
 ECAD 1569 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
M50FW080NB5G Micron Technology Inc. M50FW080NB5G -
RFQ
 ECAD 9285 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -20°C〜85°C（Ta） 表面マウント 32-TFSOP （0.488 "、幅 12.40mm） M50FW080 フラッシュ - 3V〜3.6V 32-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 208 33 MHz 不揮発性 8mbit 250 ns フラッシュ 1m x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

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    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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