画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MT48LC4M16A2FF4-7E:G TR | - | ![]() | 5184 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 14ns | |||
![]() | MT53D768M64D8RG-053 WT:d | - | ![]() | 5669 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | - | - | MT53D768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.866 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - | |||
M29F160FB5AN6F2 TR | - | ![]() | 5917 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29F160 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 16mbit | 55 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | MT40A512M16AD-062E AUT:e | 11.6400 | ![]() | 6256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | ダウンロード | 557-MT40A512M16AD-062EAUT:e | 1 | |||||||||||||||||||||
MT48V8M16LFB-10 IT:G TR | - | ![]() | 5301 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | mt48v8m16 | SDRAM- lPSDR | 2.3V〜2.7V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 100 MHz | 揮発性 | 128mbit | 7 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | MT44K32M36RB-107E:a | 64.4550 | ![]() | 1759 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K32M36 | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-BGA(13.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 933 MHz | 揮発性 | 1.125Gbit | 8 ns | ドラム | 32m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | M28W320HSB70ZA6E | - | ![]() | 7018 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TFBGA | M28W320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TFBGA(10.5x6.39) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 816 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | MT29F512G08AUCBBH8-6IT:b | - | ![]() | 1675 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 152-lbga | MT29F512G08 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 152-lbga | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||||
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT | - | ![]() | 1045 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 130-VFBGA | MT29C1G12 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 130-VFBGA (8x9) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit(nand | フラッシュ、ラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||||
![]() | MT53D1024M32D4DT-053 AIT:d | 35.5500 | ![]() | 6354 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 前回購入します | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||
![]() | MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR | - | ![]() | 7269 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | ||||
![]() | MT41K256M8HX-187E:d | - | ![]() | 1566 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K256M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.125 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | - | ||
![]() | MT29F64G08AMCBBH2-12:B TR | - | ![]() | 2084 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-tbga(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MT46V32M16FN-5B:F Tr | - | ![]() | 4293 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-FBGA (10x12.5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | M29F400FT55M3F2 TR | - | ![]() | 4962 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) | M29F400 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 55ns | |||
![]() | MT29F2G16ABBEAH4:E TR | - | ![]() | 9372 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | MT52L256M32D1PD-107 WT:B TR | - | ![]() | 3271 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -30°C〜85°C (TC) | - | - | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | |||
![]() | MT46V32M8FG-75E:G TR | - | ![]() | 7470 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-FBGA | MT46V32M8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-fbga (8x14) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 750 PS | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | MTFC64GAOAMEA-WT ES | - | ![]() | 2002年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | mtfc64 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,520 | |||||||||||||||||||
MT46V32M16BN-6:F Tr | - | ![]() | 6532 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA (10x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | MT53E128M32D2DS-053 WT:TR | 6.5700 | ![]() | 6912 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT53E128M32D2DS-053WT:ATR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | ||
![]() | MT28F400B5WG-8テット | - | ![]() | 4578 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT28F400B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 80ns | |||
MT48LC4M32B2F5-7 IT:G TR | - | ![]() | 3103 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48LC4M32B2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-VFBGA (8x13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.5 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 14ns | |||
![]() | M29W640GB60ZA6E | - | ![]() | 1849 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 不揮発性 | 64mbit | 60 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR | 23.6850 | ![]() | 3060 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53E768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT53E768M32D4DT-053WT:ETR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 768m x 32 | - | - | ||
![]() | PC28F256M29EWLD | - | ![]() | 1788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | PC28F256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 100ns | ||||
![]() | MT29F8T08GULBEM4:B TR | - | ![]() | 5305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | - | MT29F8T08 | - | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-MT29F8T08GULBEM4:BTR | 廃止 | 2,000 | ||||||||||||||
MT48H8M32LFB5-6:h | - | ![]() | 1510 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA (8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | |||
![]() | MT48LC128M4A2P-75:c | - | ![]() | 6167 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT48LC128M4A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 128m x 4 | 平行 | 15ns | ||
![]() | N25Q064A11ESECFE | - | ![]() | 9867 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | N25Q064A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-SO | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,800 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms |
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