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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT48LC4M16A2F4-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2FF4-7E:G TR -
RFQ
ECAD 5184 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-VFBGA MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS非準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 14ns
MT53D768M64D8RG-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D768M64D8RG-053 WT:d -
RFQ
ECAD 5669 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C (TC) - - MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
M29F160FB5AN6F2 TR Micron Technology Inc. M29F160FB5AN6F2 TR -
RFQ
ECAD 5917 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29F160 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 16mbit 55 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 55ns
MT40A512M16AD-062E AUT:E Micron Technology Inc. MT40A512M16AD-062E AUT:e 11.6400
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ECAD 6256 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ ダウンロード 557-MT40A512M16AD-062EAUT:e 1
MT48V8M16LFB4-10 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48V8M16LFB-10 IT:G TR -
RFQ
ECAD 5301 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-VFBGA mt48v8m16 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 100 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT44K32M36RB-107E:A Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-107E:a 64.4550
RFQ
ECAD 1759 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 168-TBGA MT44K32M36 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-BGA(13.5x13.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 933 MHz 揮発性 1.125Gbit 8 ns ドラム 32m x 36 平行 -
M28W320HSB70ZA6E Micron Technology Inc. M28W320HSB70ZA6E -
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ECAD 7018 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TFBGA M28W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TFBGA(10.5x6.39) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 816 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B Micron Technology Inc. MT29F512G08AUCBBH8-6IT:b -
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ECAD 1675 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 152-lbga MT29F512G08 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 152-lbga - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT -
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ECAD 1045 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA (8x9) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit(nand フラッシュ、ラム 64m x 16 平行 -
MT53D1024M32D4DT-053 AIT:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-053 AIT:d 35.5500
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ECAD 6354 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 前回購入します -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 200-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR -
RFQ
ECAD 7269 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) - - MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,000 1.6 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
MT41K256M8HX-187E:D Micron Technology Inc. MT41K256M8HX-187E:d -
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ECAD 1566 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 2Gbit 13.125 ns ドラム 256m x 8 平行 -
MT29F64G08AMCBBH2-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AMCBBH2-12:B TR -
RFQ
ECAD 2084 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-TBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-tbga(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT46V32M16FN-5B:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-5B:F Tr -
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ECAD 4293 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA (10x12.5 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
M29F400FT55M3F2 TR Micron Technology Inc. M29F400FT55M3F2 TR -
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ECAD 4962 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
MT29F2G16ABBEAH4:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAH4:E TR -
RFQ
ECAD 9372 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA (9x11) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MT52L256M32D1PD-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PD-107 WT:B TR -
RFQ
ECAD 3271 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -30°C〜85°C (TC) - - MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT46V32M8FG-75E:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8FG-75E:G TR -
RFQ
ECAD 7470 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) sicで中止されました 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-FBGA MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-fbga (8x14) ダウンロード ROHS非準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 750 PS ドラム 32m x 8 平行 15ns
MTFC64GAOAMEA-WT ES Micron Technology Inc. MTFC64GAOAMEA-WT ES -
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ECAD 2002年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - sicで中止されました mtfc64 - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,520
MT46V32M16BN-6:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-6:F Tr -
RFQ
ECAD 6532 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA (10x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT53E128M32D2DS-053 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 WT:TR 6.5700
RFQ
ECAD 6912 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 200-WFBGA MT53E128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない MT53E128M32D2DS-053WT:ATR ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
MT28F400B5WG-8 TET Micron Technology Inc. MT28F400B5WG-8テット -
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ECAD 4578 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT28F400B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
MT48LC4M32B2F5-7 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2F5-7 IT:G TR -
RFQ
ECAD 3103 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48LC4M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA (8x13 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 4m x 32 平行 14ns
M29W640GB60ZA6E Micron Technology Inc. M29W640GB60ZA6E -
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ECAD 1849 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 187 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR 23.6850
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ECAD 3060 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 200-VFBGA MT53E768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない MT53E768M32D4DT-053WT:ETR ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
PC28F256M29EWLD Micron Technology Inc. PC28F256M29EWLD -
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ECAD 1788 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-lbga PC28F256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA (11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 184 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 100ns
MT29F8T08GULBEM4:B TR Micron Technology Inc. MT29F8T08GULBEM4:B TR -
RFQ
ECAD 5305 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 - - MT29F8T08 - - 3 (168 時間) 影響を受けていない 557-MT29F8T08GULBEM4:BTR 廃止 2,000
MT48H8M32LFB5-6:H Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-6:h -
RFQ
ECAD 1510 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-VFBGA MT48H8M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA (8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
MT48LC128M4A2P-75:C Micron Technology Inc. MT48LC128M4A2P-75:c -
RFQ
ECAD 6167 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT48LC128M4A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 128m x 4 平行 15ns
N25Q064A11ESECFE Micron Technology Inc. N25Q064A11ESECFE -
RFQ
ECAD 9867 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) N25Q064A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-SO - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,800 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫