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ICS ）（10403）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mt48lc8m32b2fff5-7 it tr | - |  | 1640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48LC8M32B2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 6 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 14ns | ||
 | mt46v64m8p-6t IT：f | - | | 6233 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 4 （72 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT48LC8M32LFF5-10 | - | | 5162 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48LC8M32 | SDRAM- lPSDR | 3V〜3.6V | 90-VFBGA （8x13 | - | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 100 MHz | 揮発性 | 256mbit | 7 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F4G08ABADAWP-ITX：D TR | 6.5300 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT52L1G32D4PG-107 WT：B TR | 53.9550 | | 4733 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 178-VFBGA | MT52L1G32 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | 178-FBGA（12x11.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||
| mt53b2darn-dc tr | - | | 8860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 2,000 | ||||||||||||||||||||
 | MT28F800B5SG-8 BET TR | - | | 2795 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） | MT28F800B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 不揮発性 | 8mbit | 80 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 80ns | |||
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 | MT28F128J3RG-12 MET | - | | 1157 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28F128J3 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128mbit | 120 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | - | |||
| MT42L128M32D1U80MWC2 | - | | 4915 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C（TC） | - | - | MT42L128M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | 平行 | - | |||||
 | N25Q128A13ESEDFF TR | - | | 5010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | N25Q128A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
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| MT29F1HT08ELHBBG1-3RES：B TR | - | | 6702 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 272-VFBGA | MT29F1HT08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 272-VBGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 1.5tbit | フラッシュ | 192g x 8 | 平行 | - | |||
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 | MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT | - | | 8393 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 130-VFBGA | MT29C1G12 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 130-VFBGA （8x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit（nand | フラッシュ、ラム | 128m x 8 | 平行 | - | |||
| MT29F2T08EELCHD4-QA：c | 41.9550 | | 3601 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F2T08EELCHD4-QA：c | 1 | |||||||||||||||||||||
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| M50FLW080BNB5G | - | | 8689 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -20°C〜85°C（Ta） | 表面マウント | 32-TFSOP （0.488 "、幅 12.40mm） | M50FLW080 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 32-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 33 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 250 ns | フラッシュ | 1m x 8 | 平行 | - | ||
 | N25Q256A13E1241E | - | | 5661 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q256A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 64m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
| MT29F128G08EBEBBB95A3WC1 | - | | 9997 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT29F8G080808ABABAWP：B TR | - | | 2466 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F8G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT53B512M64D8HR-053 WT ES：b | - | | 5506 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||||
| MT41J256M16HA-125：e | - | | 6496 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J256M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （9x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||
| mt48h8m32lff5-10 it tr | - | | 8277 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 100 MHz | 揮発性 | 256mbit | 7 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | ||
 | MT55L256V36PT-6 | 8.2400 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | SRAM -ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 8mbit | 3.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
 | mtfc8gakajcn-1m wt | - | | 8013 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT53B128M32D1NP-062 WT：TR | - | | 2434 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | |||
 | MT29F512G08CKCCBH7-6R：C Tr | - | | 5981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-TBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT47H16M16BG-3E：b | - | | 8756 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-FBGA | MT47H16M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 256mbit | 450 PS | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT45W1MW16BAFB-706 WT TR | - | | 1133 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT45W1MW16 | psram（pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA （6x9） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 16mbit | 70 ns | psram | 1m x 16 | 平行 | 70ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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