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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F2G16ABAEAWP:E TR Micron Technology Inc. mt29f2g16abaeawp:e tr -
RFQ
ECAD 8332 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F2G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MT48LC8M16A2P-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A:g -
RFQ
ECAD 3650 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
MT29F4G16ABADAH4-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABADAH4-IT:D TR -
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ECAD 6680 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA (9x11) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
EDB4432BBBH-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB4432BBBH-1D-FD -
RFQ
ECAD 1112 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 134-wfbga EDB4432 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-FBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,680 533 MHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
MTFC2GMUEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc2gmuea-wt tr -
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ECAD 5451 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ&リール( tr) 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント - mtfc2g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 MMC -
MT48LC4M16A2TG-7E IT:G Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-7E IT:g -
RFQ
ECAD 8819 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 14ns
EDW2032BBBG-6A-F-D Micron Technology Inc. EDW2032BBBG-6A-FD -
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ECAD 9770 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 170-TFBGA EDW2032 sgram -gddr5 1.31V〜1.65V 170-FBGA(12x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0036 1,440 1.5 GHz 揮発性 2Gbit ラム 64m x 32 平行 -
PC28F512P30TFB TR Micron Technology Inc. PC28F512P30TFB TR -
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ECAD 1335 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F512 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 100ns
MT46V128M8TG-6T:A TR Micron Technology Inc. MT46V128M8TG-6T:TR -
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ECAD 8208 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT46V128M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 5 (48 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 167 MHz 揮発性 1gbit 700 ps ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR -
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ECAD 8952 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA (8x9) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit(nand フラッシュ、ラム 64m x 16 平行 -
MT41K512M16HA-107 IT:A TR Micron Technology Inc. MT41K512M16HA-107 IT:A TR -
RFQ
ECAD 4075 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (9x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 -
MT46V64M16TG-75:A TR Micron Technology Inc. MT46V64M16TG-75:TR -
RFQ
ECAD 3502 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) mt46v64m16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 5 (48 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 133 MHz 揮発性 1gbit 750 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
M25P80-VMN3TP/4 TR Micron Technology Inc. M25P80-VMN3TP/4 TR -
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ECAD 7289 0.00000000 Micron Technology Inc. - カットテープ(CT) 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) M25P80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
MT25QL01GBBB8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB8ESF-0AAT 18.1100
RFQ
ECAD 6341 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) MT25QL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない -791-MT25QL01GBBB8ESF-0AAT 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT46V32M8FG-6:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8FG-6:G TR -
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ECAD 2651 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-FBGA MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-fbga (8x14) ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT44K32M18RB-093E:A Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-093E:a -
RFQ
ECAD 9450 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 168-TBGA MT44K32M18 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA(13.5x13.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,190 1.066 GHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 32m x 18 平行 -
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCCBH7-6R:C Tr -
RFQ
ECAD 5981 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 152-TBGA MT29F512G08 フラッシュ-nand (mlc) 2.7V〜3.6V 152-TBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT47H64M8CB-5E:B TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-5E:B Tr -
RFQ
ECAD 8940 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 5 (48 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,000 200 MHz 揮発性 512mbit 600 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR -
RFQ
ECAD 3990 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand (mlc) 2.5V〜3.6V 132-VBGA(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
M29W640GL70NA6F TR Micron Technology Inc. M29W640GL70NA6F TR -
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ECAD 9035 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
M29W640FB70N6E Micron Technology Inc. M29W640FB70N6E -
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ECAD 5353 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT47H256M4HQ-5E:E TR Micron Technology Inc. MT47H256M4HQ-5E:E Tr 27.6200
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ECAD 900 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 60-FBGA MT47H256M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA (8x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 200 MHz 揮発性 1gbit 600 PS ドラム 256m x 4 平行 15ns
MT28F800B3SG-9 B Micron Technology Inc. MT28F800B3SG-9 b -
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ECAD 3340 0.00000000 Micron Technology Inc. - 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) MT28F800B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 44-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 8mbit 90 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 90ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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