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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT28F400B5SG-8 T TR Micron Technology Inc. mt28f400b5sg-8 t tr -
RFQ
ECAD 3459 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) MT28F400B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
M58LT128KST8ZA6E Micron Technology Inc. M58LT128KST8ZA6E -
RFQ
ECAD 2815 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA M58LT128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA (10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B TR -
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ECAD 7061 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 132-VBGA MT29F1HT08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 1.5tbit フラッシュ 192g x 8 平行 -
MT29F32G08ABAAAWP:A TR Micron Technology Inc. MT29F32G08ABAAAWP:TR -
RFQ
ECAD 4400 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT40A1G8SA-075:E Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-075:e 7.9500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA (7.5x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 1.33 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
MTFC16GAKAEEF-O1 AIT Micron Technology Inc. mtfc16gakaeef-o1 ait -
RFQ
ECAD 2231 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 169-TFBGA MTFC16 フラッシュ -ナンド - 169-TFBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT29VZZZAD9FQFSM-046 W.G9K Micron Technology Inc. MT29VZZZAD9FQFSM-046 W.G9K -
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ECAD 3010 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 mt29vzzzad9 - ROHS3準拠 557-MT29VZZZAD9FQFSM-046W.G9K 廃止 152
MT41K512M8DA-107 IT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 IT:P Tr 5.7000
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ECAD 9214 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない MT41K512M8DA-107IT:PTR ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
MT40A512M8RH-075E IT:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075E IT:b -
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ECAD 7374 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA (9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 1.33 GHz 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
MT53D8DANZ-DC TR Micron Technology Inc. mt53d8danz-dc tr -
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ECAD 5271 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) sicで中止されました mt53d8 - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,000
EDF8164A3PK-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF8164A3PK-GD-FD -
RFQ
ECAD 1522 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 216-WFBGA EDF8164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V 216-FBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,680 800 MHz 揮発性 8gbit ドラム 128m x 64 平行 -
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT -
RFQ
ECAD 7994 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA (8x9) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit(nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
EDFP112A3PF-JDTJ-F-D Micron Technology Inc. EDFP112A3PF-JDTJ-FD -
RFQ
ECAD 1612 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C(TC) - - EDFP112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0036 1,190 933 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 192m x 128 平行 -
EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP112A3PF-JDTJ-FR TR -
RFQ
ECAD 7866 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜105°C(TC) - - EDFP112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 192m x 128 平行 -
MT29F4G08BABWP TR Micron Technology Inc. mt29f4g08babwp tr -
RFQ
ECAD 7955 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MTFC128GAOANAM-WT Micron Technology Inc. mtfc128gaoanam-wt -
RFQ
ECAD 4466 0.00000000 Micron Technology Inc. - sicで中止されました MTFC128 - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,520
MT49H16M18CBM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18CBM-25:B TR -
RFQ
ECAD 9843 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga(18.5x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
MT40A1G8WE-083E AAT:B Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-083EAAT:b -
RFQ
ECAD 2286 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA (8x12) ダウンロード 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,900 1.2 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
MT41K256M16TW-107 AIT:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AIT:p 8.1700
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (8x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR -
RFQ
ECAD 4397 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 200-WFBGA MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA (11x14.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT40A512M16HA-083E:A TR Micron Technology Inc. MT40A512M16HA-083E:TR -
RFQ
ECAD 1989年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA (9x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 平行 -
M25PX80-VMP6G Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6G -
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ECAD 7561 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25PX80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-VFQFPN (6x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 490 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
MT41K1G4DA-107:P TR Micron Technology Inc. MT41K1G4DA-107:P Tr -
RFQ
ECAD 6532 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない MT41K1G4DA-107:PTR ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 1g x 4 平行 -
MT48H4M16LFB4-10 Micron Technology Inc. MT48H4M16LFB4-10 -
RFQ
ECAD 7031 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H4M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 104 MHz 揮発性 64mbit 7 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
N25Q128A13B1241F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13B1241F TR -
RFQ
ECAD 5344 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、5ms
MT28F640J3BS-115 ET Micron Technology Inc. MT28F640J3BS-115 ET -
RFQ
ECAD 2537 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-FBGA MT28F640J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 64-FBGA (10x13) ダウンロード ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64mbit 115 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 -
N25Q128A11TSF40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11TSF40F TR -
RFQ
ECAD 8608 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) N25Q128A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、5ms
PF38F4050M0Y3CFA Micron Technology Inc. PF38F4050M0Y3CFA -
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ECAD 2645 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C(TA) 表面マウント 107-TFBGA 、CSPBGA 38F4050M0 フラッシュ - 1.7V〜2V 107フラッシュscsp - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 不揮発性 256mbit 96 ns フラッシュ 16m x 16 平行 96ns
MT29F16G08CBACBWP-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08CBACBWP-12:C Tr -
RFQ
ECAD 5421 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT41K256M16TW-093 IT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-093 IT:P Tr -
RFQ
ECAD 3170 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (8x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫