画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | mt28f400b5sg-8 t tr | - | ![]() | 3459 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) | MT28F400B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 80ns | |||
![]() | M58LT128KST8ZA6E | - | ![]() | 2815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | |||
![]() | MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B TR | - | ![]() | 7061 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1HT08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | 不揮発性 | 1.5tbit | フラッシュ | 192g x 8 | 平行 | - | |||
MT29F32G08ABAAAWP:TR | - | ![]() | 4400 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | ||||||
MT40A1G8SA-075:e | 7.9500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.33 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 1g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | mtfc16gakaeef-o1 ait | - | ![]() | 2231 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 169-TFBGA | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | - | 169-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT29VZZZAD9FQFSM-046 W.G9K | - | ![]() | 3010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | mt29vzzzad9 | - | ROHS3準拠 | 557-MT29VZZZAD9FQFSM-046W.G9K | 廃止 | 152 | ||||||||||||||||||
![]() | MT41K512M8DA-107 IT:P Tr | 5.7000 | ![]() | 9214 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT41K512M8DA-107IT:PTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | MT40A512M8RH-075E IT:b | - | ![]() | 7374 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.33 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | |||
![]() | mt53d8danz-dc tr | - | ![]() | 5271 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | mt53d8 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||
![]() | EDF8164A3PK-GD-FD | - | ![]() | 1522 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 216-WFBGA | EDF8164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | 216-FBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,680 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 128m x 64 | 平行 | - | ||||
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT | - | ![]() | 7994 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 130-VFBGA | MT29C1G12 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 130-VFBGA (8x9) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit(nand | フラッシュ、ラム | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | EDFP112A3PF-JDTJ-FD | - | ![]() | 1612 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | EDFP112 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 933 MHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 192m x 128 | 平行 | - | ||||
![]() | EDFP112A3PF-JDTJ-FR TR | - | ![]() | 7866 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | EDFP112 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 192m x 128 | 平行 | - | ||||
![]() | mt29f4g08babwp tr | - | ![]() | 7955 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | mtfc128gaoanam-wt | - | ![]() | 4466 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | MTFC128 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,520 | |||||||||||||||||||
![]() | MT49H16M18CBM-25:B TR | - | ![]() | 9843 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H16M18 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga(18.5x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 16m x 18 | 平行 | - | ||
MT40A1G8WE-083EAAT:b | - | ![]() | 2286 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (8x12) | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,900 | 1.2 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 1g x 8 | 平行 | - | ||||||
MT41K256M16TW-107 AIT:p | 8.1700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR | - | ![]() | 4397 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (11x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | |||
![]() | MT40A512M16HA-083E:TR | - | ![]() | 1989年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA (9x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | M25PX80-VMP6G | - | ![]() | 7561 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25PX80 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-VFQFPN (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
![]() | MT41K1G4DA-107:P Tr | - | ![]() | 6532 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | mt41k1g4 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT41K1G4DA-107:PTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 4 | 平行 | - | |
MT48H4M16LFB4-10 | - | ![]() | 7031 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.9V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 104 MHz | 揮発性 | 64mbit | 7 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | N25Q128A13B1241F TR | - | ![]() | 5344 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q128A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、5ms | |||
![]() | MT28F640J3BS-115 ET | - | ![]() | 2537 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-FBGA | MT28F640J3 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (10x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64mbit | 115 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | N25Q128A11TSF40F TR | - | ![]() | 8608 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | N25Q128A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、5ms | |||
PF38F4050M0Y3CFA | - | ![]() | 2645 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C(TA) | 表面マウント | 107-TFBGA 、CSPBGA | 38F4050M0 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 107フラッシュscsp | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 96 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 96ns | |||
MT29F16G08CBACBWP-12:C Tr | - | ![]() | 5421 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | |||||
MT41K256M16TW-093 IT:P Tr | - | ![]() | 3170 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫