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ICS ）（10403）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT58L64L36PT-5 | 5.7500 |  | 197 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | MT58L64L36 | sram | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 2mbit | 3.5 ns | sram | 64k x 36 | 平行 | - | ||
 | MT47H32M16NF-25E AUT：H TR | - | | 6979 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT38Q50DEB10DBDXAU.Y74 | 21.4200 | | 4449 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | mt38q50 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,360 | |||||||||||||||||
| MT44K32M36RB-093E：TR | 80.5650 | | 3189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K32M36 | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-BGA（13.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1.125Gbit | 8 ns | ドラム | 32m x 36 | 平行 | - | ||
| MT58L512L18PS-7.5TR | 10.2600 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | 揮発性 | 8mbit | 4 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | |||
 | MT53E512M32D1NP-046 WT：b | 11.7600 | | 3507 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E512 | 200-WFBGA （10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT53E512M32D1NP-046WT：b | 1,360 | ||||||||||||||
| M58LR128KB70ZB5F TR | - | | 7105 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C（TA） | 表面マウント | 56-VFBGA | M58LR128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 56-VFBGA （7.7x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 66 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 70ns | ||
 | MT40A512M16TD-062E AUT：R TR | - | | 9159 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | 96-TFBGA | 96-FBGA （7.5x13 | - | 影響を受けていない | 557-MT40A512M16TD-062EAUT：RTR | 1 | |||||||||||||||||
 | MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR | - | | 9982 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xu02 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | xccelaバス | - | |||
 | MT40A256M16TB-062E：g | - | | 2992 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT40A256M16TB-062E：g | 廃止 | 1,080 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 19 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |||
| MT62F1G32D2DS-026 WT：B TR | 22.8450 | | 1853 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D2DS-026WT：BTR | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| mtfc8glzdm-1m wt | - | | 7366 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | - | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | |||||
| MT29F64G08CBABAL84A3WC1 | - | | 9918 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||||||
| MT29F8T08EWLCEM5-QJ：c | 242.1750 | | 9688 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F8T08EWLCEM5-QJ：c | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29VZZZBD81SLSL-046 W.22D TR | 33.7950 | | 1054 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29VZZZBD81SLSL-046W.22DTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT53B256M32D1GZ-062 WT：b | - | | 1302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （11x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | ||||
| MT58L64L18FT-8.5TR | 9.1100 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | 揮発性 | 1mbit | 8.5 ns | sram | 64k x 18 | 平行 | - | |||
| MT42L128M32D1GU-25 WT：A TR | - | | 2093 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 134-wfbga | MT42L128M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 134-FBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | 平行 | - | |||
 | MT58L64L32DT-7.5TR | 5.3200 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | 揮発性 | 2mbit | 4 ns | sram | 64k x 32 | 平行 | - | |||
| MT53B384M64D4NK-062 XT：B TR | - | | 8517 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | 表面マウント | 366-WFBGA | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA （15x15） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | |||
| MT58L256L36FS-10TR | 13.7700 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 66 MHz | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
| EDFM432A1PH-GD-FD | - | | 4341 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C（TA） | 表面マウント | - | EDFM432 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | 168-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,680 | 800 MHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | 平行 | - | |||
| M29W320DB7AN6E | - | | 1730 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| MT46H64M32LFCX-48 WT：b | - | | 7049 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 208 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 14.4ns | |||
 | N25Q032A13ESC40F TR | - | | 9737 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | N25Q032A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
| M29W320DB70ZA3F TR | - | | 5741 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 63-TFBGA | M29W320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 63-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| mt29f4t08euleem4-t：e | 85.8150 | | 3009 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | 0°C〜70°C | 表面マウント | 132-BGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.6V〜3.6V | 132-lbga（12x18） | - | 557-MT29F4T08EULEEM4-T：e | 1 | 不揮発性 | 4tbit | フラッシュ | 512g x 8 | 平行 | - | |||||||||
 | M25P32-VMP6G | - | | 1631 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25p32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VFQFPN （6x5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,940 | 75 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
| N25Q064A13ESEH0F TR | - | | 7976 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO w | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
| MT62F768M64D4BG-036 WT：TR | - | | 7326 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F768M64D4BG-036WT：ATR | 廃止 | 2,000 | 2.75 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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