SIC
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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT62F1G32D2DS-023 WT ES:C Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 WT ES：c 22.8450
RFQ
 ECAD 9532 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D2DS-023WTES：c 1 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
MT53E1G32D2FW-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 WT：A TR 22.0050
RFQ
 ECAD 7894 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E1G32D2FW-046WT：ATR 2,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 18ns
MT40A256M16GE-075E:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-075E：B TR -
RFQ
 ECAD 5692 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT40A256M16GE-075E：Btr 廃止 2,000 1.33 GHz 揮発性 4gbit 19 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
MT29F64G08CBAAAWP-ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBAAAWP-ITZ：TR -
RFQ
 ECAD 7988 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT53E2G32D4DT-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DT-046 AAT：a 63.1350
RFQ
 ECAD 6496 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） MT53E2G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E2G32D4DT-046AAT：a 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
MT40A1G8SA-075:E Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-075：e 7.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 1.33 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
MT46H64M32LFT89MWC2-N1004 Micron Technology Inc. MT46H64M32LFT89MWC2-N1004 -
RFQ
 ECAD 2353 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V - 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 平行
MT46H64M32L2JG-5:A Micron Technology Inc. MT46H64M32L2JG-5：a -
RFQ
 ECAD 5757 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 168-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 15ns
MT48H16M32LFB5-75 IT:C Micron Technology Inc. MT48H16M32LFB5-75 IT：c -
RFQ
 ECAD 4652 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MT29F8G01ADAFD12-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F8G01ADAFD12-AATES：F -
RFQ
 ECAD 9404 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント - MT29F8G01 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 不揮発性 8gbit フラッシュ 8g x 1 spi -
MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBGAH4-AAT：G TR 2.7665
RFQ
 ECAD 3685 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F2G08ABBGAH4-AAT：GTR 8542.32.0071 2,000 不揮発性 2Gbit 30 ns フラッシュ 256m x 8 平行 30ns
MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046BAIT：B TR -
RFQ
 ECAD 1661 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E512M32D1ZW-046BAIT：BTR 1 2.133 GHz 揮発性 16gbit 3.5 ns ドラム 512m x 32 平行 18ns
MT29F128G08CBCEBL05B3WC1 Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBL05B3WC1 -
RFQ
 ECAD 6618 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
M36W0R6050L4ZSE Micron Technology Inc. M36W0R6050L4ZSE -
RFQ
 ECAD 7123 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C（TA） 表面マウント 56-TFBGA M36W0R フラッシュ 1.7V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -M36W0R6050L4ZSE 3A991B1A 8542.32.0071 384 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 4m x 16 平行 -
MT53E1G64D4NW-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E1G64D4NW-046 WT：c 47.0400
RFQ
 ECAD 3314 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 表面マウント 432-VFBGA mt53e1 432-VFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E1G64D4NW-046WT：c 1,360
MT29F4G08ABBFAM70A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBFAM70A3WC1 3.5200
RFQ
 ECAD 5166 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F4G08 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 死ぬ - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 8542.32.0071 1 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
M25PX64-VZM6TP TR Micron Technology Inc. M25PX64-VZM6TP TR -
RFQ
 ECAD 7101 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga M25PX64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi 15ms、5ms
RC28F128J3F75G Micron Technology Inc. RC28F128J3F75G -
RFQ
 ECAD 8189 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 864 不揮発性 128mbit 75 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 75ns
M25P64-VMF3PB Micron Technology Inc. M25P64-VMF3PB -
RFQ
 ECAD 3122 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） M25P64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 75 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi 15ms、5ms
MT41K256M8DA-107:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-107：K Tr 4.0302
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 -
MT46H4M32LFB5-6:K Micron Technology Inc. MT46H4M32LFB5-6：k -
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT46H4M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABBWP-12IT：B Tr -
RFQ
 ECAD 8201 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT29F32G08CBADBWP-12:D TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADBWP-12：D TR -
RFQ
 ECAD 6324 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 83 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D2G32D8QD-046 WT ES：E TR -
RFQ
 ECAD 5019 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53D2G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
MT62F768M64D4EK-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 AIT：B TR 43.5300
RFQ
 ECAD 3305 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C 表面マウント 441-TFBGA MT62F768 SDRAM- lpddr5 - 441-TFBGA - 557-MT62F768M64D4EK-023AIT：BTR 1,500 3.2 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 平行 -
MT62F1G32D4DS-031 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 WT：b 23.3100
RFQ
 ECAD 3803 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D4DS-031WT：b 1 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
MT28F320J3RP-11 MET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3RP-11 MET TR -
RFQ
 ECAD 9617 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F320J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32mbit 110 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 -
MT62F1G32D2DS-023 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 WT ES：B TR 40.9200
RFQ
 ECAD 7633 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D2DS-023WTES：BTR 2,000 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
M25P80-VMW6G Micron Technology Inc. M25P80-VMW6G -
RFQ
 ECAD 3068 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） M25P80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO w ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,800 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
MT58L64L18FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L18FT-7.5 7.6100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 1mbit 7.5 ns sram 64k x 18 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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