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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
murd530t4g	-	RFQ	3004	onsemi	SwitchMode™	テープ＆リール（ tr）	前回購入します			表面マウント	to-252-3	Murd530	標準		dpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500	高速回復= <500ns			300 V		1.05 V @ 5 a	50 ns	5 µA @ 300 V	-55°C〜175°C	5a	-
SDHF5KM	-	RFQ	4816	Semtech Corporation	-	バルク	sicで中止されました			穴を通して	モジュール	SDHF5	標準		-	-	ROHS非準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns			5000 V		14.4 V @ 1 a	150 ns	1 µA @ 5000 V	-55°C〜150°C	1a	-
ZY120	0.0986	RFQ	30	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-50°C〜150°C （TJ	穴を通して	DO-204AC 、DO-41、軸			2 W	DO-41/DO-204AC	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない		2796-ZY120TR		8541.10.0000	5,000								1 µA @ 60 V						120 v	80オーム
S1GAL	0.4200	RFQ	14	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	S1G	標準		sma	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000	標準回復> 500ns			400 V		1.1 V @ 1 a		1 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
SK24A	0.3000	RFQ	12	グッドアーク半導体	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA		ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns			40 v		550 mv @ 2 a		200 Na @ 40 V	-55°C〜150°C	2a	200pf @ 4V、1MHz
BZX84-A3V9,215	0.1000	RFQ	6867	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			250 MW	TO-236AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZX84-A3V9,215-954			1,304						900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 1 V						3.9 v	90オーム
BZX884-B3V0,315	0.3300	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-882	BZX884-B3V0		250 MW	DFN1006-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 Ma		10 µA @ 1 V						3 v	95オーム
VBE100-06NO7	31.4264	RFQ	6427	ixys	-	箱	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ECO-PAC2	VBE100	標準		ECO-PAC2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25						2.04 V @ 60 a		100 µA @ 4800 V		100 a		単相	600 V
1n6020ur/tr	3.7350	RFQ	9103	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-				150-1N6020UR/TR	ear99	8541.10.0050	264						1.1 V @ 200 mA								68 v
CZRL5262B-G	-	RFQ	5141	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	CZRL5262		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.25 V @ 200 mA		100 Na @ 39 v						51 v	125オーム
MDK950-12N1W	-	RFQ	2528	ixys	-	トレイ	アクティブ			シャーシマウント	モジュール	MDK950	標準		モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		1ペア共通カソード	1200 v	950A	880 mV @ 500 a	18 µs	50 mA @ 1200 v	-40°C〜150°C
BZX84W-C13-QF	0.0263	RFQ	7265	Nexperia USA Inc.	aec-q101、bzx84w-q	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.42％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323	BZX84W		275 MW	SOT-323	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1727-BZX84W-C13-QFTR	ear99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V						13.25 v	30オーム
VS-40CTQ150STRLPBF	-	RFQ	4940	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	40CTQ150	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	150 v	20a	1.16 V @ 40 a		50 µA @ 150 v	175°C （最大）
2KBP01M-E4/72	-	RFQ	7998	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	箱	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	2kbp01	標準		KBPM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	200						1.1 V @ 3.14 a		5 µA @ 100 V		2 a		単相	100 V
uh6pjhm3_a/i	-	RFQ	6109	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	uh6	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns			600 V		3 V @ 6 a	25 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	6a	30pf @ 4V、1MHz
SDT20100CTFP	0.5562	RFQ	6974	ダイオードが組み込まれています	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	SDT20100	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	100 V	10a	710 mv @ 10 a		80 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
R306060F	49.0050	RFQ	4898	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-R306060F			1
KBP04M-E4/51	-	RFQ	4193	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、kbpm	KBP04	標準		KBPM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600						1 V @ 1 a		5 µA @ 400 V		1.5 a		単相	400 V
B360-13-F-2477	-	RFQ	7361	ダイオードが組み込まれています	-	バルク	前回購入します			表面マウント	do-214ab 、mc		ショットキー		SMC	-				31-B360-13-F-2-2477			1	高速回復= <500ns			60 V		700 mV @ 3 a		100 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	3a	200pf @ 4V、1MHz
1N4475US	11.3550	RFQ	5310	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a	1N4475		1.5 w	a sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N4475USMS	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		50 Na @ 21.6 v						27 v	18オーム
VS-S1283	-	RFQ	5966	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					S1283				-				112-VS-S1283			1
ES1BHM2G	-	RFQ	6126	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AC、SMA	ES1B	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns			100 V		950 mv @ 1 a	35 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1a	16pf @ 4V、1MHz
SBR60A300CT	3.9200	RFQ	8521	ダイオードが組み込まれています	SBR®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	SBR60	スーパーバリア		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	SBR60A300CTDI	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	300 V	30a	940 mV @ 30 a	50 ns	100 µA @ 300 V	-65°C〜175°C
Hzu6.8b3trf-e	0.1200	RFQ	7	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0050	3,000
BZX384B6V2-E3-18	0.0360	RFQ	8840	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B6V2		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								3 µA @ 4 V						6.2 v	10オーム
UM4302d	-	RFQ	9847	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-		スタッド				-	-			影響を受けていない	150-UM4302DTR	ear99	8541.10.0060	1		15 W									2.2pf @ 100V、1MHz	ピン -シングル	200V			1.5OHM @ 100MA 、100MHz
BZD27B22P-HE3-18	0.1238	RFQ	9859	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27b	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B22		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 16 V						22 v	15オーム
ER2D_R1_00001	0.4400	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	er2d	標準		SMB （DO-214AA）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns			200 v		950 mv @ 2 a	35 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	2a	25pf @ 4V、1MHz
MBR4035PT	1.4100	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-3p-3、SC-65-3		ショットキー		to-3p	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	35 v	40a	700 mV @ 20 a		1 MA @ 35 v	-65°C〜150°C
nsf8jthe3_b/p	-	RFQ	9385	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	NSF8	標準		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	標準回復> 500ns			600 V		1.1 V @ 8 a		10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	8a	55pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²