画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | dr7429/tr | - | ![]() | 6834 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-DR7429/tr | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NRVTSM260EV2T3G | 0.1076 | ![]() | 8336 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-216AA | NRVTSM260 | ショットキー | パワーマイト | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 650 mv @ 2 a | 12 µA @ 60 V | -65°C〜175°C | 2a | - | |||||||||||||||
![]() | UF4006G | - | ![]() | 9562 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | UF400 | 標準 | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
jantx1n4106d-1/tr | 13.7389 | ![]() | 9662 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4106d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.2 v | 12 v | 200オーム | ||||||||||||||||||
![]() | vs-th380bl16p | - | ![]() | 3856 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | vs-th380 | - | ROHS3準拠 | 112-VS-TH380BL16P | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5936AE3/TR13 | - | ![]() | 9743 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5936 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 22.8 v | 30 V | 28オーム | ||||||||||||||||
![]() | MF200K12F5 | 35.7230 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | 標準 | F5 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MF200K12F5 | ear99 | 10 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 200a | 2.3 V @ 200 a | 110 ns | 1 MA @ 1200 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||
![]() | edzfjte616.8b | - | ![]() | 3230 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | edz | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -55°C〜125°C | 表面マウント | edzfjt | 100 MW | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-EDZFJTE616.8BTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
MSS60-848-E40 | 55.5300 | ![]() | 350 | 0.00000000 | マコムテクノロジーソリューション | MSS60-XXX-X | トレイ | アクティブ | -65°C〜150°C | E45 | MSS60 | E45 | ダウンロード | 1 (無制限) | 1465-MSS60-848-E40 | ear99 | 8541.10.0060 | 25 | 50 Ma | 100 MW | 0.41pf @ 0V、1MHz | ショットキー -リング | 6V | 13OHM @ 5MA、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | SB830F_T0_00001 | 0.2430 | ![]() | 6936 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | SB830 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-SB830F_T0_00001 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 30 V | 550 mv @ 8 a | 200 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 8a | - | ||||||||||||||
![]() | cdll5535/tr | 5.9052 | ![]() | 5440 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5535/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 12.5 v | 15 V | 100オーム | |||||||||||||||||
![]() | SFS1004G | 0.6044 | ![]() | 4383 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | SFS1004 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-SFS1004GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 975 mV @ 5 a | 35 ns | 1 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | 1N5820US/TR | 15.8850 | ![]() | 7158 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf b | ショットキー | B、sq-melf | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5820US/TR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 3 a | 100 µA @ 20 V | -65°C〜125°C | 3a | - | ||||||||||||||||
![]() | MBRB1035-TP | 0.4324 | ![]() | 7977 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB1035 | ショットキー | d2pak | ダウンロード | 353-MBRB1035-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 35 v | 840 mV @ 20 a | 500 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||||||||
![]() | MBRD20100CT-13 | 0.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | MBRD20100 | ショットキー | TO-252-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 840 mV @ 10 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | |||||||||||||||
![]() | VS-E5TX3012THN3 | 1.5098 | ![]() | 8593 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | 影響を受けていない | 112-VS-E5TX3012THN3 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.3 V @ 30 a | 80 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 30a | - | ||||||||||||||||
![]() | jan1n5804urs/tr | 19.6200 | ![]() | 8147 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/477 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | D-5a | - | 150-jan1n5804urs/tr | 100 | 高速回復= <500ns | 100 V | 875 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | RB550VM-30TE-17 | 0.3900 | ![]() | 91 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | RB550 | ショットキー | UMD2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 590 mV @ 500 Ma | 35 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 500mA | - | |||||||||||||||
![]() | SS38 | 0.0670 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-SS38TR | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AS3D030120P2 | 9.2100 | ![]() | 30 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | AS3D03012 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4530-AS3D030120P2 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 1200 v | 42a | 1.8 V @ 15 a | 0 ns | 20 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | ||||||||||||||
![]() | 1N4740A | 0.1642 | ![]() | 4253 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4740 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 10 µA @ 7.6 v | 10 v | 7オーム | |||||||||||||||||
![]() | S3JBHE3-TP | 0.4200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | S3J | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 353-S3JBHE3-TPTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.15 V @ 3 a | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 3a | 40pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | FFSD0665B-F085 | 2.6700 | ![]() | 58 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | FFSD0665 | sic (炭化シリコン)ショットキー | d-pak(to-252) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 9.1a | 259pf @ 1V 、100kHz | ||||||||||||||
![]() | BAT32LSYL | 0.3400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-882 | BAT32 | ショットキー | DFN1006BD-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 600 mV @ 200 mA | 2 µA @ 30 V | 150°C | 200mA | 20pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||
HER303G-TP | 0.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | HER303 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||
![]() | 1n4454ur/tr | 2.7900 | ![]() | 3200 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-213AA | 標準 | DO-213AA | - | 358 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 50 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 100 Na @ 50 V | -55°C〜175°C | 200mA | - | ||||||||||||||||||||
![]() | v8pm153-m3/i | 0.1800 | ![]() | 8718 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-V8PM153-M3/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 870 mV @ 8 a | 100 µA @ 150 V | -40°C〜175°C | 8a | 470pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | S15 | 0.0200 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-S15TR | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4936GP-TPS01 | - | ![]() | 7129 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4936 | 標準 | DO-41 | - | 353-1N4936GP-TPS01TR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | MBR1030-BP | 0.3300 | ![]() | 5908 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | MBR1030 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 353-MBR1030-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 30 V | 100 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 10a | 400pf @ 4V、1MHz |
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