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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
EGP30G-E3/73	-	RFQ	3213	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-201AA	EGP30	標準		GP20	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		400 V		1.25 V @ 3 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	3a	-
MDD220-08N1	-	RFQ	4810	ixys	-	箱	アクティブ			シャーシマウント	Y2-DCB	MDD220	標準		Y2-DCB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2		標準回復> 500ns	1ペアシリーズ接続	800 V	270a	1.4 V @ 600 a		40 mA @ 800 v	-40°C〜150°C
1 PMT4133E3/TR7	0.4950	RFQ	6312	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT4133		1 W	DO-216	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 66.12 v				87 v	250オーム
DZ23C39-E3-08	0.0415	RFQ	5090	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	DZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	DZ23		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通カソード							100 Na @ 29 v				39 v	90オーム
jantx1n5550/tr	6.7500	RFQ	5737	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/420	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	b 、軸		標準		b 、軸	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n5550/tr	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns		200 v		1.2 V @ 9 a	2 µs	1 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	5a	-
M7	0.0485	RFQ	15	MDD	SMA	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA		標準		SMA	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3372-M7TR	ear99	8542.39.0001	20,000		標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 1 a		5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 0V、1MHz
SMAJ4752CE3/TR13	0.6450	RFQ	3263	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAJ4752		2 W	DO-214AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 25.1 v				33 v	45オーム
jantxv1n4107ur-1	11.8350	RFQ	4678	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4107		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 9.9 v				13 v	200オーム
CD6761	14.1600	RFQ	1622	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/586	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	死ぬ		ショットキー		死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD6761	ear99	8541.10.0040	1		高速回復= <500ns		100 V		750 mv @ 1 a		100 µA @ 100 V	-55°C〜125°C	1a	-
janhca1n978d	-	RFQ	9475	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-janhca1n978d	ear99	8541.10.0050	100						1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 38.8 v				51 v	125オーム
BAS581-02V-HG3-08	0.0536	RFQ	6081	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-79、SOD-523		ショットキー		SOD-523	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	112-BAS581-02V-HG3-08TR	ear99	8541.10.0070	8,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		40 v		370 mV @ 1 Ma		500 NA @ 30 V	125°C	30ma	2PF @ 1V 、1MHz
VS-15CTQ045-1PBF	-	RFQ	8526	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	To-262-3 Long Leads	15CTQ045	ショットキー		TO-262-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS15CTQ0451PBF	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	15a	700 mV @ 15 a		800 µA @ 45 V	150°C （最大）
SMBG5341BE3/TR13	1.1400	RFQ	2971	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5341		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 1 a		1 µA @ 3 V				6.2 v	1オーム
PSDF1560L1_T0_00001	2.0100	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	PSDF1560	標準		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	3757-PSDF1560L1_T0_00001	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		600 V		1.8 V @ 15 a	110 ns	100 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	15a	-
1N4569/tr	67.5300	RFQ	1441	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4569/tr	ear99	8541.10.0050	100								2 µA @ 3 V				6.4 v	200オーム
PZS5210BCH_R1_00001	0.0351	RFQ	2381	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	PZS5210		500 MW	SOD-323HE	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,250,000								100 na @ 7.5 v				10 v	15オーム
plz30b-g3/h	0.3100	RFQ	25	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	plz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±3％	150°C	表面マウント	DO-219AC	plz30		500 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500						900 mV @ 10 Ma		200 Na @ 23 v				30 V	55オーム
SIDC03D60F6X1SA2	-	RFQ	8437	Infineon Technologies	-	バルク	廃止			表面マウント	死ぬ	SIDC03	標準		ホイル上の鋸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		600 V		1.6 V @ 6 a		27 µA @ 600 v	-40°C〜150°C	6a	-
BAT54SLT1	-	RFQ	6699	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-236-3	BAT54	ショットキー		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペアシリーズ接続	30 V	200MA （DC）	800 mV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	125°C （最大）
1N5926D	7.5450	RFQ	2598	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸	1N5926		1.25 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 8.4 v				11 v	5.5オーム
VS-18TQ045STRLHM3	1.3679	RFQ	6651	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	18tq045	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-18TQ045STRLHM3TR	ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		45 v		600 mV @ 18 a		2.5 MA @ 45 v	-55°C〜175°C	18a	1400pf @ 5V、1MHz
jan1n3326rb	-	RFQ	7756	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/358	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W	DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 10 a		10 µA @ 27.4 v				36 v	3.5オーム
jan1n6941utk3as/tr	408.7950	RFQ	5329	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	Thinkey™3		sic （炭化シリコン）ショットキー		Thinkey™3	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n6941utk3as/tr	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		30 V		500 mV @ 50 a		5 ma @ 30 v	-65°C〜175°C	150a	7500PF @ 5V、1MHz
PCFFS08120AF	5.1847	RFQ	6572	onsemi	-	トレイ	アクティブ			表面マウント	死ぬ	PCFFS08120	sic （炭化シリコン）ショットキー		死ぬ	-	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	488-PCFFS08120AF	ear99	8541.10.0080	1		回復時間なし> 500ma		1200 v		1.723 V @ 20 a	0 ns	200 µA @ 1200 v	175°C （最大）	8a	-
DSTF3060C	2.7900	RFQ	16	Littelfuse Inc.	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	DSTF3060	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	15a	700 mV @ 15 a		1.2 mA @ 60 v	-55°C〜150°C
1N5824	7.3340	RFQ	3758	Solid State Inc.	-	バルク	アクティブ			穴を通して	軸		ショットキー		軸	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N5824	ear99	8541.10.0080	10		高速回復= <500ns		30 V		370 mV @ 5 a		10 ma @ 30 v	-65°C〜125°C	15a	-
1n6017ur/tr	3.7350	RFQ	7101	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-				150-1N6017ur/tr	ear99	8541.10.0050	264						1.1 V @ 200 mA						51 v
BZX284-C47,115	-	RFQ	8530	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-10	BZX284		400 MW	SOD-10	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 32.9 v				47 v	90オーム
TFZGTR2.4B	0.0886	RFQ	2039	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-	-55°C〜150°C	表面マウント	2-SMD 、フラットリード	TFZGTR2.4		500 MW	tumd2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000												2.4 v
1N5527D	14.4450	RFQ	6543	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5527D	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 6.8 v				7.5 v	35オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²