| 画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMBZ5248BLT3G | 0.1400 | ![]() | 19 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5248 | 225 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 14 V | 18 v | 21オーム | |||||||||||
![]() | 1N5227DUR-1 | 7.1700 | ![]() | 5540 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-1N5227DUR-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 24オーム | |||||||||||||
| jantxv1n4108d-1/tr | 25.8153 | ![]() | 9775 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4108d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 10.7 v | 14 v | 200オーム | |||||||||||||
![]() | 1N4738AP-AP | 0.0797 | ![]() | 1640 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4738 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | 353-1N4738AP-AP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 6 V | 8.2 v | 4.5オーム | |||||||||||||
![]() | GBPC1204 | 4.9200 | ![]() | 465 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、GBPC | GBPC12 | 標準 | GBPC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | GBPC1204FS | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 400 V | 12 a | 単相 | 400 V | ||||||||||
| jantxv1n966b-1/tr | 3.2186 | ![]() | 7896 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n966b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 12 V | 16 v | 17オーム | |||||||||||||
| jans1n6337/tr | 140.2950 | ![]() | 5488 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jans1n6337/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 27 V | 36 v | 50オーム | ||||||||||||||
![]() | jantxv1n3825c-1 | 25.4250 | ![]() | 1843年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1 W | DO-41 | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n3825c-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 4.7 v | 8オーム | |||||||||||||
![]() | MD250S16M3 | 42.9217 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | 標準 | M3 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MD250S16M3 | ear99 | 6 | 1.6 V @ 300 a | 500 µA @ 1600 V | 250 a | 3フェーズ | 1.6 kV | |||||||||||||
![]() | jantx1n6633d | - | ![]() | 6961 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 5 W | E 、軸 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 µA @ 1 V | 3.6 v | 2.5オーム | |||||||||||||
| DZ23C7V5-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 1904年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | DZ23-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通カソード | 100 Na @ 5 V | 7.5 v | 7オーム | ||||||||||||
![]() | CD4627V | 4.1550 | ![]() | 5484 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-CD4627V | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 5 V | 6.2 v | 1200オーム | |||||||||||||
![]() | GBJL1006-BP | - | ![]() | 5876 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbjl | GBJL1006 | 標準 | gbjl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,200 | 1.05 V @ 5 a | 10 µA @ 600 V | 10 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||
![]() | DDZ9717Q-13 | - | ![]() | 4997 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | DDZ9717 | 500 MW | SOD-123 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 31-DZ9717Q-13TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 32.6 v | 43 v | |||||||||||
![]() | GBU2010 | 0.4470 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | GBU | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-GBU2010 | ear99 | 1,000 | 1.1 V @ 10 a | 5 µA @ 1000 v | 20 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||||
![]() | Jan1n3031cur-1 | 32.5950 | ![]() | 6888 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3031 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 22.8 v | 30 V | 40オーム | |||||||||||
![]() | BZX84C36S-7-F-79 | - | ![]() | 7748 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | * | テープ&リール( tr) | 廃止 | BZX84 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | BZX84C36S-7-F-79DI | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | DZ9F5V6S92-7 | 0.3500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-923 | DZ9F5 | 200 MW | SOD-923 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 2.5 v | 5.6 v | 60オーム | |||||||||||
![]() | 1N4739A BK TIN/LEAD | 0.0565 | ![]() | 6702 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 7 V | 9.1 v | 5オーム | ||||||||||||
![]() | AZ23C27 RFG | 0.0786 | ![]() | 8671 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 20 V | 27 v | 80オーム | |||||||||||
| jantx1n4971cus | 24.6000 | ![]() | 4001 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 1N4971 | 5 W | D-5B | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 27.4 v | 36 v | 11オーム | ||||||||||||
![]() | v3pm6-m3/h | 0.3700 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | v3pm6 | ショットキー | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 500 mV @ 1.5 a | 200 µA @ 60 V | -40°C〜175°C | 2.4a | 400pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | Z47-BO123-E3-08 | - | ![]() | 3035 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | SS16Q-LTP | 0.5000 | ![]() | 4495 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | 1 (無制限) | 5,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 1 a | 50 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 1a | 75pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | RD10JS-T1 | 0.0600 | ![]() | 84 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5250ELT3G | - | ![]() | 1370 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ52 | 225 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 15 V | 20 v | 25オーム | ||||||||||||
![]() | S1Z1SMB5919BT3G | 0.6800 | ![]() | 8052 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | S1Z1 | SMB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5923AG | 3.0300 | ![]() | 8156 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5923 | 1.25 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 6.5 v | 8.2 v | 3.5オーム | |||||||||||
![]() | gpp15b-e3/73 | - | ![]() | 4765 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | GPP15 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 1.5 a | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | 2EZ5.1D2/TR8 | - | ![]() | 9910 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 2ez5.1 | 2 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 5.1 v | 3.5オーム |

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