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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
BZD27C51PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C51PW 0.1092
RFQ
ECAD 1078 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜175°C 表面マウント SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 mA 1 µA @ 39 v 51 v 60オーム
CMHZ4680 BK TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CMHZ4680 BK TIN/LEAD -
RFQ
ECAD 3943 0.00000000 Corp - バルク アクティブ ±5% -65°C〜150°C 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード 影響を受けていない 1514-CMHZ4680BKTIN/LEAD ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 MA 4 µA @ 1 V 2.2 v
MB356W Diodes Incorporated MB356W -
RFQ
ECAD 7420 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4 平方、MB-W 標準 MB-W ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けた MB356WDI ear99 8541.10.0080 100 1.2 V @ 17.5 a 10 µA @ 600 V 35 a 単相 600 V
NTE5069A NTE Electronics, Inc NTE5069A 0.6000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 nte Electronics、Inc - バッグ アクティブ ±5% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1 W DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 2368-NTE5069A ear99 8541.10.0050 1 4.7 v 8オーム
CDLL985A Microchip Technology CDLL985A 2.9400
RFQ
ECAD 5391 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±10% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL985 500 MW DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 500 NA @ 76 v 100 V 500オーム
ZMY120B Diotec Semiconductor ZMY120B 0.0913
RFQ
ECAD 7691 0.00000000 diotec半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -50°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ 1.3 w melf do-213ab ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 未定義のベンダー 2796-ZMY120BTR 8541.10.0000 5,000 1 µA @ 60 V 120 v 80オーム
1N3039B-1/TR Microchip Technology 1N3039b-1/tr 7.4214
RFQ
ECAD 5275 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N3039 1 W do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 150-1N3039B-1/TR ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 47.1 v 62 v 125オーム
DF1506S-G Comchip Technology DF1506S-G 0.2210
RFQ
ECAD 7578 0.00000000 comchipテクノロジー - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 DF1506 標準 DFS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1.5 a 10 µA @ 600 V 1.5 a 単相 600 V
DF08S-G Comchip Technology DF08S-G -
RFQ
ECAD 9868 0.00000000 comchipテクノロジー - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 DF08 標準 DFS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 a 10 µA @ 800 V 1 a 単相 800 V
JAN1N973D-1/TR Microchip Technology jan1n973d-1/tr 5.7722
RFQ
ECAD 9842 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/117 テープ&リール( tr) アクティブ ±1% -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 (do-204ah) - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jan1n973d-1/tr ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 500 NA @ 25 V 33 v 58オーム
GS1AB Yangjie Technology GS1AB 0.0380
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Yangjieテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ - ROHS準拠 影響を受けていない 4617-GS1ABTR ear99 3,000
BZT52C39 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C39 0.0412
RFQ
ECAD 1106 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜150°C 表面マウント SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-BZT52C39TR ear99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 mA 45 Na @ 27.3 v 39 v 130オーム
GBLA02-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBLA02-M3/51 -
RFQ
ECAD 9724 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、GBL GBLA02 標準 GBL ダウンロード 1 (無制限) 112-GBLA02-M3/51 ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 4 a 5 µA @ 200 V 4 a 単相 200 v
CMKZ5258B TR Central Semiconductor Corp CMKZ5258B TR -
RFQ
ECAD 9353 0.00000000 Corp - テープ&リール( tr) 廃止 ±5% -65°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 200 MW SOT-363 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0050 3,000 3独立 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 27 V 36 v 70オーム
SMBZ5934B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5934B-E3/52 0.1676
RFQ
ECAD 7341 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMBZ5934 3 W do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 750 1.5 V @ 200 mA 1 µA @ 18.2 v 24 v 19オーム
ACZRW5246B-HF Comchip Technology ACZRW5246B-HF 0.0511
RFQ
ECAD 2739 0.00000000 comchipテクノロジー aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 350 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 641-ACZRW5246B-HFTR ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 na @ 12 v 16 v 17オーム
GBU608-G Comchip Technology GBU608-G 0.9200
RFQ
ECAD 6203 0.00000000 comchipテクノロジー - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU608 標準 GBU ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 3 a 10 µA @ 800 V 6 a 単相 800 V
GBU2502-G Comchip Technology GBU2502-G 1.1552
RFQ
ECAD 4136 0.00000000 comchipテクノロジー - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU2502 標準 GBU ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 12.5 a 10 µA @ 50 V 4.2 a 単相 200 v
G1JF Yangjie Technology G1JF 0.0160
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Yangjieテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ - ROHS準拠 影響を受けていない 4617-G1JFTR ear99 3,000
PMEG2005EJ,115 Nexperia USA Inc. PMEG2005EJ 115 0.4400
RFQ
ECAD 66 0.00000000 Nexperia USA Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-90、SOD-323F PMEG2005 ショットキー SOD-323F ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 20 v 390 mV @ 500 Ma 200 µA @ 20 V 150°C (最大) 500mA 66PF @ 1V、1MHz
BZT52H-C22-QX Nexperia USA Inc. BZT52H-C22-QX 0.0378
RFQ
ECAD 1929年年 0.00000000 Nexperia USA Inc. aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±5.67% 150°C (TJ) 表面マウント SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1727-BZT52H-C22-QXTR ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 15.4 v 22.05 v 25オーム
MBRF3045CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF3045CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 6353 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ MBRF3045 ショットキー ITO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 15a 600 mV @ 20 a 1 MA @ 45 v -65°C〜150°C
BR2506 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2506 2.7800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント 4 平方、BR-50 標準 BR-50 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-BR2506 8541.10.0000 50 1.1 V @ 12.5 a 10 µA @ 600 V 25 a 単相 600 V
CDBHM160L-G Comchip Technology CDBHM160L-G 0.2697
RFQ
ECAD 5953 0.00000000 comchipテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜125°C(TJ) 表面マウント TO-269AA CDBHM160 ショットキー MBS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2,500 650 mv @ 1 a 500 µA @ 60 V 1 a 単相 60 V
CDBHM180L-HF Comchip Technology CDBHM180L-HF 0.3002
RFQ
ECAD 6659 0.00000000 comchipテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-269AA CDBHM180 ショットキー MBS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2,500 850 mv @ 1 a 500 µA @ 80 V 1 a 単相 80 v
HZ3A1RE-E Renesas Electronics America Inc Hz3a1re-e 0.1000
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.10.0050 1
SVT10120V_R1_00001 Panjit International Inc. SVT10120V_R1_00001 0.2052
RFQ
ECAD 1434 0.00000000 Panjit International Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-277、3-POWERDFN SVT1012 ショットキー TO-277 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 85,500 高速回復= <500ns 120 v 800 mV @ 10 a 25 µA @ 120 v -55°C〜150°C 10a -
GBU604-G Comchip Technology GBU604-G 0.9200
RFQ
ECAD 2522 0.00000000 comchipテクノロジー - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU604 標準 GBU ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 3 a 10 µA @ 400 V 6 a 単相 400 V
DF2005ST-G Comchip Technology DF2005ST-G -
RFQ
ECAD 4712 0.00000000 comchipテクノロジー - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 DF2005 標準 DFS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 2 a 10 µA @ 50 V 2 a 単相 50 v
GBU1506-G Comchip Technology GBU1506-G 1.3800
RFQ
ECAD 550 0.00000000 comchipテクノロジー - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU1506 標準 GBU ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 7.5 a 10 µA @ 600 V 15 a 単相 600 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫