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ダイオード（166326）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） @ @ if、f 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
AZ23C10_R1_00001 Panjit International Inc. AZ23C10_R1_00001 0.0297
RFQ
 ECAD 9820 0.00000000 Panjit International Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 AZ23C10 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,252,000 1ペア共通アノード 100 na @ 7.5 v 10 v 15オーム
BZV90-C62,115 Nexperia USA Inc. BZV90-C62,115 0.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA BZV90-C62 1.5 w SOT-223 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,000 1 V @ 50 mA 50 Na @ 43.4 v 62 v 215オーム
CDBHM250L-G Comchip Technology CDBHM250L-G 0.3335
RFQ
 ECAD 7409 0.00000000 comchipテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜125°C（TJ） 表面マウント TO-269AA CDBHM250 ショットキー MBS-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 700 mV @ 2 a 1 MA @ 50 V 2 a 単相 50 v
BZT52-B16-QX Nexperia USA Inc. BZT52-B16-QX 0.0438
RFQ
 ECAD 9702 0.00000000 Nexperia USA Inc. aec-q101、bzt52-bq テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 11.2 v 16 v 20オーム
PM610_R2_00601 Panjit International Inc. PM610_R2_00601 0.6100
RFQ
 ECAD 9700 0.00000000 Panjit International Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - ROHS3準拠 1 （無制限） 2,000
RFN16T2DNZC9 Rohm Semiconductor RFN16T2DNZC9 2.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm Semiconductor - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3フルパック RFN16 標準 TO-220FN ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 846-RFN16T2DNZC9 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 16a 980 mV @ 8 a 30 ns 10 µA @ 200 v 150°C
CMOZ5L6 TR PBFREE Central Semiconductor Corp cmoz5l6 tr pbfree 0.6600
RFQ
 ECAD 5727 0.00000000 Corp - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 cmoz5 250 MW SOD-523 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 1 µA @ 2 V 5.6 v 1400オーム
MPN73100-C32 MACOM Technology Solutions MPN73100-C32 -
RFQ
 ECAD 9744 0.00000000 マコムテクノロジーソリューション - バルク アクティブ -65°C〜175°C（タタ CS32 MPN73100 CS32 - 1 （無制限） 1465-MPN73100-C32 1 500 MW - ピン -シングル 100V 2OHM @ 10MA、1GHz
PMEG6020ELR Nexperia USA Inc. PMEG6020ELR -
RFQ
 ECAD 8345 0.00000000 Nexperia USA Inc. * バルク アクティブ PMEG6020 ダウンロード 0000.00.0000 1
SZ-E10ET415 Sanken SZ-E10ET415 2.8725
RFQ
 ECAD 4225 0.00000000 サンケン - バルク アクティブ 表面マウント DO-218AB SZ-E10 ショットキー DO-218AB ダウンロード ROHS準拠 1261-SZ-E10ET415 ear99 8541.10.0080 750 高速回復= <500ns 150 v 1.1 V @ 45 a 30 µA @ 150 V -55°C〜150°C 45a -
DZ23C36-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C36-HE3_A-08 -
RFQ
 ECAD 6424 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-Q101 、DZ23 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 300 MW SOT-23-3 ダウンロード 112-DZ23C36-HE3_A-08TR ear99 8541.10.0050 1 1ペア共通カソード 100 Na @ 27 V 36 v 40オーム
MBR1060-LS Diodes Incorporated MBR1060-LS -
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - バルク 廃止 穴を通して TO-220-2 MBR1060 ショットキー TO-220AC - 31-MBR1060-LS 廃止 1 高速回復= <500ns 60 V 950 mv @ 10 a 100 µA @ 60 V -65°C〜150°C 10a 400pf @ 4V、1MHz
2KBP005M-E4/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP005M-E4/45 -
RFQ
 ECAD 9713 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 2kbp005 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 30 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 50 V 2 a 単相 50 v
SR803-TP Micro Commercial Co SR803-TP 0.2714
RFQ
 ECAD 8886 0.00000000 Micro Commercial Co - バルク アクティブ 穴を通して do-201ad、軸 SR803 ショットキー DO-201AD ダウンロード 353-SR803-TP ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 30 V 650 mv @ 8 a 500 µA @ 30 V -55°C〜125°C 8a 500pf @ 4V、1MHz
VUO125-18NO7 IXYS vuo125-18no7 -
RFQ
 ECAD 9600 0.00000000 ixys - 箱 廃止 -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント PWS-C vuo125 標準 PWS-C - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 10 1.07 V @ 50 a 200 µA @ 1800 V 166 a 3フェーズ 1.8 kv
PAA7T7S00675 Powerex Inc. PAA7T7S00675 -
RFQ
 ECAD 3051 0.00000000 Powerex Inc. * バルク アクティブ PAA7T7 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 10
1N4758UR-1 Microchip Technology 1N4758UR-1 3.4650
RFQ
 ECAD 2070 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±10％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab、メルフ（ガラス） 1 W do-213ab - 影響を受けていない 150-1N4758UR-1 ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 42.6 v 56 v 110オーム
DD600N18KXPSA1 Infineon Technologies DD600N18KXPSA1 318.4400
RFQ
 ECAD 9312 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ シャーシマウント モジュール 標準 BG-PB60E2A-1 ダウンロード ROHS3準拠 448-DD600N18KXPSA1 ear99 8541.30.0080 2 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 1800 v 600a 1.32 V @ 1.8 ka 40 mA @ 1.8 kV 150°C
BB 857 E7902 Infineon Technologies BB 857 E7902 -
RFQ
 ECAD 4605 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SC-80 BB 857 SCD-80 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 0.52pf @ 28V、1MHz シングル 30 V 12.7 C1/C28 -
PZ1AL9V1B_R1_00001 Panjit International Inc. PZ1AL9V1B_R1_00001 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123F PZ1AL9V1 1 W SOD-123FL ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3757-PZ1AL9V1B_R1_00001CT ear99 8541.10.0050 3,000 10 µA @ 5 V 9.1 v 4オーム
SMZJ3808BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3808BHE3_A/i -
RFQ
 ECAD 6276 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMZJ3808 1.5 w do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,200 5 µA @ 47.1 v 62 v 100オーム
1N5988D-1 Microchip Technology 1N5988D-1 5.1900
RFQ
 ECAD 2689 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） - 影響を受けていない 150-1N5988D-1 ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 25 µA @ 1 V 3.3 v 95オーム
1N751C-1E3/TR Microchip Technology 1N751C-1E3/TR 4.6800
RFQ
 ECAD 8224 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード 影響を受けていない 150-1N751C-1E3/TR ear99 8541.10.0050 202 1.1 V @ 200 mA 1 µA @ 1 V 5.1 v 17オーム
B330A-13-F-2477 Diodes Incorporated B330A-13-F-2-2477 -
RFQ
 ECAD 4038 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - バルク 前回購入します 表面マウント DO-214AC、SMA ショットキー SMA - 31-B330A-13-F-2-2477 1 高速回復= <500ns 30 V 500 mV @ 3 a 100 µA @ 30 V -55°C〜150°C 3a 200pf @ 4V、1MHz
BZD27C51PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C51PW 0.1092
RFQ
 ECAD 1078 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -55°C〜175°C 表面マウント SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 mA 1 µA @ 39 v 51 v 60オーム
CMHZ4680 BK TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CMHZ4680 BK TIN/LEAD -
RFQ
 ECAD 3943 0.00000000 Corp - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード 影響を受けていない 1514-CMHZ4680BKTIN/LEAD ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 MA 4 µA @ 1 V 2.2 v
MB356W Diodes Incorporated MB356W -
RFQ
 ECAD 7420 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4 平方、MB-W 標準 MB-W ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた MB356WDI ear99 8541.10.0080 100 1.2 V @ 17.5 a 10 µA @ 600 V 35 a 単相 600 V
NTE5069A NTE Electronics, Inc NTE5069A 0.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 nte Electronics、Inc - バッグ アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1 W DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 2368-NTE5069A ear99 8541.10.0050 1 4.7 v 8オーム
CDLL985A Microchip Technology CDLL985A 2.9400
RFQ
 ECAD 5391 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±10％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL985 500 MW DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 500 NA @ 76 v 100 V 500オーム
ZMY120B Diotec Semiconductor ZMY120B 0.0913
RFQ
 ECAD 7691 0.00000000 diotec半導体 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ -50°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ 1.3 w melf do-213ab ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー 2796-ZMY120BTR 8541.10.0000 5,000 1 µA @ 60 V 120 v 80オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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