画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MUR840HC0G | - | ![]() | 1615 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | MUR840 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 8 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 8a | - | |||||||||
![]() | BZT55B7V5 | 0.0385 | ![]() | 7713 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | 500 MW | Qmmelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT55B7V5TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 5 V | 7.5 v | 7オーム | ||||||||||||
![]() | SDT40100CTFP | 0.7316 | ![]() | 3984 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SDT40100 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 790 mV @ 20 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | BZT52B39-E3-08 | 0.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT52 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B39 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 29 v | 39 v | 50オーム | ||||||||||||
![]() | SBM260VAL-AU_R1_000A1 | 0.4100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | SBM260 | ショットキー | SOD-123FL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-SBM260VAL-AU_R1_000A1TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 540 mV @ 2 a | 50 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 2a | 100pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | VX80M45PW-M3/p | 2.1115 | ![]() | 8928 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | ショットキー | TO-247AD | ダウンロード | 影響を受けていない | 112-VX80M45PW-M3/p | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 40a | 610 mv @ 40 a | 550 µA @ 45 V | -40°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | CD5535B | 2.0349 | ![]() | 7082 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD5535B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 10 Na @ 13.5 v | 15 V | 100オーム | ||||||||||||
MMBZ5250B-HE3-08 | - | ![]() | 7032 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5250 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 15 V | 20 v | 25オーム | |||||||||||||
BZT52C10-G RHG | 0.0445 | ![]() | 6519 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 7 V | 10 v | 20オーム | ||||||||||||
![]() | MBRS1560CT | 0.6496 | ![]() | 2360 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS1560 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS1560CTTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 15a | 750 mV @ 7.5 a | 100 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | MMSZ5259AS_R1_00001 | 0.2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | MMSZ5259 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-MMSZ5259AS_R1_00001CT | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 100 Na @ 30 V | 39 v | 80オーム | |||||||||||
![]() | vss8d2m6-m3/i | 0.4500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | S8D2 | ショットキー | Slimsmaw | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 480 mV @ 1 a | 200 µA @ 60 V | -40°C〜175°C | 2a | 430pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | MMSZ5262C-HE3_A-18 | 0.0566 | ![]() | 1939年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-MMSZ5262C-HE3_A-18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 39 v | 51 v | 125オーム | ||||||||||||||
![]() | 30FQ045 | 64.5600 | ![]() | 2315 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | ショットキー | DO-4 (DO-203AA) | - | 影響を受けていない | 150-30FQ045 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 45 v | 630 mV @ 30 a | 1.5 mA @ 45 v | -55°C〜175°C | 30a | - | ||||||||||||
![]() | Jan1n3313rb | - | ![]() | 3712 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 11.4 v | 14 v | 1.2オーム | |||||||||||||
![]() | MMSZ5227B | 0.2100 | ![]() | 540 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 mV @ 10 Ma | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 24オーム | ||||||||||||
![]() | SM2000GP | 0.1263 | ![]() | 4703 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 標準 | melf do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2796-SM2000GPTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 2000 v | 1.1 V @ 1 µa | 1.5 µs | 5 A @ 2 V | -50°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||
![]() | SMZJ3804BHE3/5B | - | ![]() | 1436 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ38 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 32.7 v | 43 v | 53オーム | ||||||||||||
![]() | VS-80-7628 | - | ![]() | 5510 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | 80-7628 | - | 112-VS-80-7628 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4758CP/TR12 | 2.2800 | ![]() | 3900 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4758 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 42.6 v | 56 v | 110オーム | |||||||||||
![]() | ugb10ccthe3_a/i | - | ![]() | 6057 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-ugb10ccthe3_a/itr | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 5a | 1.1 V @ 5 a | 25 ns | 10 µA @ 150 v | -40°C〜150°C | ||||||||||
BZX84C7V5-HE3_A-18 | 0.0498 | ![]() | 3247 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX84 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 112-BZX84C7V5-HE3_A-18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15オーム | ||||||||||||||||
![]() | V60D100CHM3/i | 2.5900 | ![]() | 930 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | V60D100 | ショットキー | TO-263AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 30a | 810 mv @ 30 a | 1 MA @ 100 V | -40°C〜150°C | ||||||||||
![]() | BZG05C51-E3-TR3 | - | ![]() | 4227 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05C | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 39 v | 51 v | 115オーム | |||||||||||
![]() | STTH30L06P | - | ![]() | 7333 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | SOD-93-2 | stth30 | 標準 | SOD-93-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.55 V @ 30 a | 90 ns | 25 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | |||||||||
![]() | MD200C16D2 | 34.0700 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | 標準 | D2 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MD200C16D2 | ear99 | 8 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1600 v | 200a | 1.3 V @ 300 a | 9 ma @ 1600 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | edzfjte6112b | - | ![]() | 5148 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | edz | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -55°C〜125°C | 表面マウント | edzfjt | 100 MW | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-EDZFJTE6112BTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||
![]() | 1N2978 | 6.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 1N2978 | 10 W | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N2978 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.5 V @ 2 a | 14 v | 3オーム | |||||||||||
BAS21-QVL | 0.0175 | ![]() | 1848年年 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS21 | 標準 | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 200 v | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 na @ 200 v | 150°C | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | ||||||||||
BZT52C27-HE3_A-08 | 0.0533 | ![]() | 4313 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-BZT52C27-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 20 V | 27 v | 80オーム |
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