RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
2EZ16_R2_00001	0.0648	RFQ	6944	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	2EZ16		2 W	DO-15	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-2EZ16_R2_00001CT	ear99	8541.10.0050	500,000							500 NA @ 12.2 v						16 v	8オーム
R4340	102.2400	RFQ	2133	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA		標準		do-205aa	-			影響を受けていない	150-R4340	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 200 a		50 µA @ 400 V	-65°C〜200°C	150a	-
KBU6M	-	RFQ	3266	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip 、kbu		標準		KBU	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0080	1					1 V @ 6 a		10 µA @ 1 V		6 a		単相	1 kV
1N5265A	2.7450	RFQ	7102	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5265		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 45 V						62 v	185オーム
SMLW RVG	0.3800	RFQ	4440	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123W		標準		SOD-123W	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 800 Ma		1 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	800mA	7pf @ 4V、1MHz
1N5235B	0.0200	RFQ	561	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	15,000					1.2 V @ 200 mA		3 µA @ 5 V						6.8 v	5オーム
1N5261	2.1000	RFQ	1931年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5261	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 34 v						47 v	105オーム
1N3291AR	102.2400	RFQ	3341	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA	1N3291	標準、逆極性		do-205aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N3291ARMS	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 200 a		50 µA @ 400 V	-65°C〜200°C	150a	-
MBR10200CT	-	RFQ	5561	ダイオードが組み込まれています	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	MBR10200	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けた	MBR10200CTDI	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	5a	910 mv @ 5 a		100 µA @ 200 V	-55°C〜175°C
SMBG5367BE3/TR13	1.1400	RFQ	2341	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5367		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 31 V						43 v	20オーム
VS-VSKJS409/150	87.7100	RFQ	9753	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	add-a-pak	VSKJS409	ショットキー		Add-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSVSKJS409150	ear99	8541.10.0080	10	高速回復= <500ns	1ペア共通アノード	150 v	200a	1.03 V @ 200 a		6 MA @ 150 v	-55°C〜175°C
mtzj5v1sb r0g	0.0305	RFQ	4032	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ag	mtzj5		500 MW	DO-34	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							5 µA @ 1.5 v						5.07 v	80オーム
jantx1n968b-1/tr	2.3408	RFQ	5484	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n968b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 14 V						20 v	25オーム
SMAJ4732CE3/TR13	0.6450	RFQ	3467	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAJ473		2 W	DO-214AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						4.7 v	8オーム
jan1n2834b	-	RFQ	8237	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2834		10 W	TO-204AD（to-3）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 a		10 µA @ 51.7 v						68 v	8オーム
MMBZ5229ELT3G	-	RFQ	9926	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ52		225 MW	SOT-23-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V						4.3 v	22オーム
1N3322ra	8.5000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3322		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N3322ra	ear99	8541.10.0080	10					1.5 V @ 10 a		5 µA @ 18 V						25 v	2.7オーム
1N1374	44.3850	RFQ	2608	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-	スタッドマウント	do-203aa	1N137		10 W	do-203aa	-			影響を受けていない	150-1N1374	ear99	8541.10.0050	1													91 v	35オーム
1N5954CP/TR8	-	RFQ	5943	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5954		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 121.6 v						160 v	700オーム
jantx1n4958us/tr	9.4297	RFQ	7998	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W	D-5B	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4958us/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		25 µa @ 7.6 v						10 v	2オーム
MBRB30150CTH-TP	0.9264	RFQ	7802	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB30150	ショットキー		d2pak	ダウンロード				353-MBRB30150CTH-TP	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	30a	850 mV @ 15 a		10 µA @ 150 v	-55°C〜175°C
jantxv1n4984d	23.4600	RFQ	8313	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸			5 W	E 、軸	-			影響を受けていない	150-jantxv1n4984d	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		2 µA @ 91.2 v						120 v	170オーム
jantx1n980cur-1/tr	13.9384	RFQ	3030	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N980		500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n980cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 47 v						62 v	185オーム
jantxv1n6328/tr	14.8200	RFQ	5131	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-jantxv1n6328/tr	ear99	8541.10.0050	106					1.4 V @ 1 a		50 na @ 11 v						15 V	10オーム
GBPC2506-E4/51	5.2000	RFQ	7800	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	箱	アクティブ		-55°C〜150°C	QC端子	4 平方、GBPC	GBPC2506	標準		GBPC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	100					1.1 V @ 12.5 a		5 µA @ 600 v		25 a		単相	600 V
TZX5V6D-TR	0.2300	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZX	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	TZX5V6		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V						5.6 v	40オーム
jans1n4494us	-	RFQ	8208	Semtech Corporation	MIL-PRF-19500/406	バルク	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	sq-melf				-	ダウンロード				600-jans1n4494us	ear99	8541.10.0050	1							250 na @ 128 v						160 v	1000オーム
vs-murb1520-1pbf	-	RFQ	5199	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	To-262-3 Long Leads	murb1520	標準		TO-262-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		200 v		1.05 V @ 15 a	22 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	15a	-
120NQ045-1	25.5842	RFQ	1657	SMCダイオードソリューション	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	ハーフパック	120nq	ショットキー		PRM1-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	120NQ045-1SMC	ear99	8541.10.0080	27	高速回復= <500ns		45 v		610 mv @ 120 a		10 mA @ 45 v	-55°C〜150°C	120a	5200PF @ 5V、1MHz
V8K202DUHM3/h	0.3663	RFQ	9416	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-powertdfn		ショットキー		フラットパック5x6（デュアル）	ダウンロード			影響を受けていない	112-V8K202DUHM3/HTR	ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns	2独立	200 v	1.8a	920 mv @ 4 a		10 µA @ 200 v	-40°C〜150°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²