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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZG03C180-M3-18	0.5000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG03C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.39％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03C180		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 130 v						180 v	400オーム
ugb10bcthe3_a/i	-	RFQ	5346	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3		標準		TO-263AB	ダウンロード			影響を受けていない	112-ugb10bcthe3_a/itr	ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	5a	1.1 V @ 5 a	25 ns	10 µA @ 100 V	-40°C〜150°C
1N5527C	3.6176	RFQ	3370	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5527C	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 6.8 v						7.5 v	35オーム
PDZ4.7B/ZLF	-	RFQ	2271	NXP USA Inc.	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ					PDZ4.7				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934069111135	ear99	8541.10.0050	3,000
PMEG45T15EPDZ	0.9200	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	PMEG45	ショットキー		CFP15	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns		45 v		580 mV @ 15 a	20 ns	100 µA @ 45 V	150°C （最大）	15a	2200pf @ 1V、1MHz
STPS20M60SG-TR	3.3700	RFQ	5198	stmicroelectronics	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	STPS20	ショットキー		d²pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		60 V		565 mV @ 20 a		125 µA @ 60 V	150°C （最大）	20a	-
1SMA5941BT3G	0.4700	RFQ	12	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	1SMA5941		1.5 w	SMA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000						1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 35.8 v						47 v	67オーム
1F7G-TP	-	RFQ	9917	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	R-1 、軸	1F7G	標準		R-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns		1000 V		1.3 V @ 1 a	500 ns	5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
VT30L60C-E3/4W	1.1233	RFQ	9599	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	VT30L60	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VT30L60CE34W	ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	15a	600 mV @ 15 a		4 ma @ 60 v	-40°C〜150°C
MMBD3004CC	0.0622	RFQ	8224	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	MMBD3004	標準		SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-MMBD3004CCTR	ear99	8541.10.0070	6,000		高速回復= <500ns		350 V		1.25 V @ 200 mA	50 ns	100 Na @ 240 v	-65°C〜150°C	225MA	5PF @ 1V、1MHz
BZG03B20-HM3-18	0.2310	RFQ	4632	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZG03B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03B20		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 15 V						20 v	15オーム
SMB3EZ17D5-TP	-	RFQ	5462	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMB3EZ17		3 W	do-214aa	-	ROHS3準拠			353-SMB3EZ17D5-TPTR	ear99	8541.10.0050	3,000						1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 13 V						17 v	6オーム
PZ1AH22B-AU_R1_000A1	0.0756	RFQ	9783	Panjit International Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123H	PZ1AH22		1 W	SOD-123HE	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	567,000								1 µA @ 16 V						22 v	15オーム
MMSZ5233C-HE3-08	0.0454	RFQ	2997	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5233		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								5 µA @ 3.5 v						6 v	7オーム
ferd20m60st	1.3800	RFQ	1	stmicroelectronics	-	チューブ	前回購入します			穴を通して	TO-220-3	FERD20	フェルド（フィールドエフェクト整流器ダイオード）		TO-220	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		60 V		560 mV @ 20 a		230 µA @ 60 V	175°C （最大）	20a	-
CZRA4756-G	0.1550	RFQ	3691	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	CZRA4756		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		641-CZRA4756-GTR	ear99	8541.10.0050	2,000								5 µA @ 35.8 v						47 v	80オーム
MBRBU30100CTA	0.7050	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3		ショットキー		TO-263	-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-MBRBU30100CTATR	ear99		3,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	30a	640 mV @ 15 a		200 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
jans1n4127d-1	101.3100	RFQ	4108	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 42.6 v						56 v	300オーム
BZS55C13 RXG	0.0340	RFQ	4621	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	1206 （3216 メトリック）	BZS55		500 MW	1206	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000						1.5 V @ 10 Ma		100 Na @ 10 V						13 v	26オーム
udzlvfhte-1756	0.4400	RFQ	1	Rohm Semiconductor	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.25％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-90、SOD-323F	udzlvfhte-1756		200 MW	UMD2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								1 µA @ 43 v						56 v
SS22AQ	0.0640	RFQ	750	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-SS22AQTR	ear99		7,500
BZX55C22	0.0290	RFQ	5172	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZX55C22TR	ear99	8541.10.0050	10,000						1 V @ 100 MA		100 Na @ 17 V						22 v	55オーム
BZV85-C68,113	0.0400	RFQ	59	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.3 w	DO-41	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1						1 V @ 50 mA		50 Na @ 48 v						68 v	200オーム
rs3ahe3_a/i	0.2549	RFQ	3493	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	RS3A	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		高速回復= <500ns		50 v		1.3 V @ 2.5 a	150 ns	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	3a	44pf @ 4V、1MHz
vs-16edh06-m3/i	1.1900	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3		標準		TO-263AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns		600 V		2.15 V @ 16 a	30 ns	20 µA @ 600 v	-55°C〜175°C	16a	-
DBL104G	0.2250	RFQ	6811	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-dip （0.300 "、7.62mm）	DBL104	標準		dbl	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50						1.1 V @ 1 a		2 µA @ 400 V		1 a		単相	400 V
jantx1n5534bur-1	14.7600	RFQ	2125	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N5534		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 12.6 v						14 v	100オーム
BZB784-C3V6,115	1.0000	RFQ	3948	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	SC-70、SOT-323	BZB784-C3V6		180 MW	SOT-323	ダウンロード						0000.00.0000	1	1ペア共通アノード					900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V						3.6 v	90オーム
BAS40/ZL215	-	RFQ	5114	Nexperia USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BAS40				ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	3,000
cdll5232b/tr	2.7132	RFQ	2588	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll5232b/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V						5.6 v	11オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²