画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1SMB5925_R1_00001 | 0.0810 | ![]() | 2109 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB5925 | 1.5 w | SMB (DO-214AA) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 500,000 | 5 µA @ 8 V | 10 v | 5オーム | |||||||||||||
JANTX1N4614D-1 | - | ![]() | 6017 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | 廃止 | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3.5 µA @ 1 V | 1.8 v | 1200オーム | |||||||||||||||
![]() | MBR4045PT-BP | 0.9683 | ![]() | 1978年年 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | MBR4045 | ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 353-MBR4045PT-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 40a | 610 mv @ 20 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | AZ23C27-TP | 0.0426 | ![]() | 6069 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C27 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | 353-AZ23C27-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 20 V | 27 v | 80オーム | ||||||||||||||
jan1n4971d | 18.6750 | ![]() | 6367 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4971 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 27.4 v | 36 v | 11オーム | |||||||||||||
![]() | CD6319 | 2.1014 | ![]() | 6934 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | - | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD6319 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SK56B | 0.3900 | ![]() | 4626 | 0.00000000 | うねり | - | バッグ | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2616-SK56B | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 60 V | 670 mV @ 5 a | 20 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 5a | 96pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
jan1n4972c | 14.9250 | ![]() | 6755 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4972 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 29.7 v | 39 v | 14オーム | |||||||||||||
![]() | 30CTQ035S | 1.2835 | ![]() | 3957 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 30ctq | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2796-30CTQ035S | 8541.10.0000 | 25,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 15a | 620 mv @ 15 a | 50 µA @ 35 V | -50°C〜175°C | |||||||||||
![]() | CDS5527bur-1/tr | - | ![]() | 9643 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS5527BUR-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | murb2020c-tp | 0.6354 | ![]() | 3230 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | murb2020 | 標準 | d2pak | ダウンロード | 353-MURB2020C-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.15 V @ 20 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 20a | - | ||||||||||||
![]() | SMBJ5942A/TR13 | 1.5600 | ![]() | 4830 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5942 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 38.8 v | 51 v | 70オーム | ||||||||||||
CMR1U-01M TR13 TIN/LEAD | - | ![]() | 5034 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | SMA | ダウンロード | 影響を受けていない | 1514-CMR1U-01MTR13TIN/LEAD | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||||
![]() | SS36 R7G | - | ![]() | 5960 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | SS36 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 60 V | 750 mV @ 3 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | MMSZ4706-G3-18 | 0.0409 | ![]() | 3098 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ4706 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 Na @ 14.4 v | 19 v | ||||||||||||||
![]() | jantxv1n4471 | - | ![]() | 7010 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/406 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.5 w | 軸 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 Na @ 14.4 v | 18 v | 11オーム | |||||||||||||||||
![]() | JANKCA1N4111D | - | ![]() | 3984 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-jankca1n4111d | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 12.92 v | 17 v | 100オーム | ||||||||||||||
![]() | FM1200W | 0.0420 | ![]() | 2283 | 0.00000000 | Rectron USA | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | SMX | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2516-FM1200WTR | ear99 | 8541.10.0080 | 60,000 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 2 V @ 500 Ma | 5 µA @ 1200 v | -55°C〜150°C | 500mA | 35pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N5242B | 0.0271 | ![]() | 6213 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5242 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1N5242BTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 9 V | 12 v | 30オーム | ||||||||||||
![]() | BZX84C20LT3 | - | ![]() | 6907 | 0.00000000 | onsemi | BZX84CXXXLT1G | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C20 | 225 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55オーム | ||||||||||||
![]() | DPAD50 TO-72 4L ROHS | 7.6500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 線形統合システム、Inc。 | DPAD | バルク | アクティブ | 穴を通して | to-206af、to-72-4金属缶 | 標準 | to-72-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 2独立 | 45 v | 50ma | 1.5 V @ 1 MA | 50 PA @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | BZT52B7V5JSHE3-TP | 0.0616 | ![]() | 1043 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZT52B7 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | 353-BZT52B7V5JSHE3-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | MBR2X050A180 | 43.6545 | ![]() | 6918 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | MBR2X050 | ショットキー | SOT-227 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 180 v | 50a | 920 mv @ 50 a | 3 ma @ 180 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||
MMBZ4713-G3-08 | - | ![]() | 7171 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4713 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 10 Na @ 22.8 v | 30 V | |||||||||||||||
![]() | Jan1n3017bur-1/tr | 12.3158 | ![]() | 3458 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3017bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 150 µA @ 5.2 v | 7.5 v | 4オーム | |||||||||||||
![]() | 1N4493US | 15.8550 | ![]() | 9895 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4493 | 1.5 w | a sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N4493USMS | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 NA @ 120 V | 150 v | 700オーム | ||||||||||||
![]() | STTH20004TV1 | 31.3300 | ![]() | 2978 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | ISOTOP | Stth20004 | 標準 | ISOTOP® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 400 V | 120a | 1.2 V @ 100 a | 100 ns | 100 µA @ 400 V | 150°C (最大) | ||||||||||
BAT54C-G3-18 | 0.0501 | ![]() | 1477 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAT54 | ショットキー | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通カソード | 30 V | 200MA (DC) | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125°C (最大) | |||||||||||
![]() | BZX884S-C3V6-Qyl | 0.0426 | ![]() | 8175 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.56% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-882 | 365 MW | DFN1006BD-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | MMBZ5234C-TP | 0.0488 | ![]() | 5833 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | ±1.94% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5234 | 350 MW | SOT-23 | ダウンロード | 353-MMBZ5234C-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 100 MA | 5 µA @ 4 V | 6.2 v | 7オーム |
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