画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMSZ5263C-E3-08 | 0.0433 | ![]() | 4590 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5263 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 43 v | 56 v | 150オーム | ||||||||||||
![]() | jan1n6326cus/tr | 63.8550 | ![]() | 5700 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jan1n6326cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 9 V | 12 v | 7オーム | ||||||||||||||
UZ808 | 22.4400 | ![]() | 8019 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 穴を通して | A 、軸 | 3 W | A 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-UZ808 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4478 | 6.9600 | ![]() | 7489 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N4478 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N4478ms | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 50 Na @ 28.8 v | 36 v | 27オーム | |||||||||||
![]() | NTE5324W | 7.0400 | ![]() | 37 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | -55°C〜125°C(TJ) | 穴を通して | 4スケア | 標準 | - | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2368-NTE5324W | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 12.5 a | 10 µA @ 400 V | 25 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||
![]() | 1N4731ABULK | 0.1300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | EIC半導体Inc。 | - | バッグ | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2439-1N4731Abulk | 1,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 4.3 v | 9オーム | |||||||||||||
![]() | Jan1n3012rb | 435.8700 | ![]() | 9819 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/124 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 10 W | do-213aa | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 121.6 v | 160 v | 200オーム | |||||||||||||
![]() | jantxv1n3827d-1 | 36.1800 | ![]() | 8906 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3827 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 2 V | 5.6 v | 5オーム | |||||||||||
![]() | 1N5545bur-1/tr | 6.6300 | ![]() | 3619 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ear99 | 8541.10.0050 | 146 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 27 V | 30 V | 100オーム | |||||||||||||||
jans1n4959c | 415.7700 | ![]() | 2302 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 5 W | E 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-jans1n4959c | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 10 µA @ 8.4 v | 11 v | 2.5オーム | ||||||||||||||
![]() | 1 PMT5927BE3/TR7 | 0.7350 | ![]() | 7459 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5927 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 6.5オーム | |||||||||||
![]() | 1N4134/tr | 2.3408 | ![]() | 3711 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AA | 400 MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4134/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 10 Na @ 69.16 v | 91 v | 1.2オーム | ||||||||||||
![]() | GDZ9V1LP3Q-7 | 0.0498 | ![]() | 8052 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0201 (0603 メトリック) | 250 MW | X3-DFN0603-2 | ダウンロード | 31-gdz9v1lp3q-7 | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 500 NA @ 6 V | 9.1 v | ||||||||||||||||
![]() | 1N5253B-TR | 0.2300 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5253 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 na @ 19 v | 25 v | 35オーム | |||||||||||
![]() | DZ2703600L | - | ![]() | 4924 | 0.00000000 | パナソニック電子コンポーネント | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | - | 表面マウント | 2-SMD 、フラットリード | DZ27036 | 120 MW | sssmini2-f4-b | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 10 µA @ 1 V | 3.6 v | 130オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5081 | 23.4000 | ![]() | 2168 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | 軸 | 3 W | 軸 | - | 影響を受けていない | 150-1N5081 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 µA @ 30.4 v | 40 v | 27オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5922C | 6.0300 | ![]() | 4231 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N5922 | 1.25 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 6 V | 7.5 v | 3オーム | ||||||||||||
![]() | TS10P06GHD2G | - | ![]() | 7909 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS10P06 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 10 a | 10 µA @ 1000 v | 10 a | 単相 | 800 V | |||||||||||
![]() | MMSZ4695-HF | 0.0476 | ![]() | 2783 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ4695 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 6.6 v | 8.7 v | |||||||||||||
Jan1n754d-1/tr | 5.8919 | ![]() | 1746 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n754d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 5オーム | |||||||||||||
![]() | BZX84W-C4V3-QF | 0.0263 | ![]() | 4885 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101、bzx84w-q | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.98% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BZX84W | 275 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZX84W-C4V3-QFTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90オーム | |||||||||||
![]() | jantx1n4621ur-1/tr | 8.1662 | ![]() | 2502 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4621ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3.5 µA @ 2 V | 3.6 v | 1700オーム | |||||||||||||
![]() | TFZGTR11B | 0.0886 | ![]() | 5094 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | - | -55°C〜150°C | 表面マウント | 2-SMD 、フラットリード | TFZGTR11 | 500 MW | tumd2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 Na @ 8 V | 11 v | 10オーム | ||||||||||||
![]() | GBJ2508-03-G | 1.5677 | ![]() | 9680 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbj | GBJ2508 | 標準 | GBJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1 V @ 12.5 a | 10 µA @ 800 V | 25 a | 単相 | 800 V | |||||||||||
![]() | RGL1D | 0.0691 | ![]() | 45 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-213AA | 標準 | DO-213AA 、ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-rgl1dtr | 8541.10.0000 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -50°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | bzt52c3v6k rkg | 0.0474 | ![]() | 2998 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | ||||||||||||
![]() | MMB2G-G | - | ![]() | 3510 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | 標準 | MMB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 V @ 800 Ma | 5 µA @ 200 V | 800 Ma | 単相 | 200 v | ||||||||||||||
![]() | FS2AFL-TP | 0.0560 | ![]() | 7741 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | FS2A | 標準 | DO-221AC | ダウンロード | 353-FS2AFL-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.3 V @ 2 a | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 2a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
jan1n4134d-1/tr | 11.7838 | ![]() | 7936 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4134d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 69.2 v | 91 v | 1200オーム | ||||||||||||||
![]() | GBU2006 | 0.4470 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | GBU | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | 標準 | GBU | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-GBU2006 | ear99 | 1,000 | 1.1 V @ 10 a | 5 µA @ 600 v | 20 a | 単相 | 600 V |
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