画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MURSD1040CTA-TP | 0.3381 | ![]() | 2875 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | MURSD1040 | 標準 | dpak(to-252) | ダウンロード | 353-MURSD1040CTA-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 10a | 1.25 V @ 5 a | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | SML4754-E3/5A | 0.4700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4754 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 29.7 v | 39 v | 60オーム | ||||||||||||
![]() | BZX84W-B47-QF | 0.0312 | ![]() | 1432 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101、bzx84w-q | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1.91% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BZX84W | 275 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZX84W-B47-QFTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 32.9 v | 47 v | 170オーム | |||||||||||
![]() | 1N4737G R0G | 0.0633 | ![]() | 8018 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C(タタ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4737 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 5 V | 7.5 v | 4オーム | |||||||||||
![]() | 1n4584aur-1/tr | 27.3900 | ![]() | 6550 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 0°C〜75°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4584AUR-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 25オーム | ||||||||||||||
![]() | PMEG3020CPAS115 | - | ![]() | 2037 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
1N3673AR | 6.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N3673AR | 標準、逆極性 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1055 | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 12 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 12a | - | |||||||||||
BZD17C15P RFG | - | ![]() | 6510 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 11 v | 15 V | 10オーム | ||||||||||||
1N6336US | 14.7750 | ![]() | 3745 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 25 V | 33 v | 40オーム | |||||||||||||||
![]() | G1KFS | 0.0180 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-G1KFSTR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG1030EJ 115 | 0.4700 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | PMEG1030 | ショットキー | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 10 v | 530 mv @ 3 a | 3 ma @ 10 v | 150°C (最大) | 3a | 85pf @ 1V、1MHz | ||||||||||
![]() | ES5DC | 0.3285 | ![]() | 81 | 0.00000000 | MDD | SMC | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 3372-ES5DCTR | 6,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||
![]() | PDS5100HQ-13D | 1.0000 | ![]() | 8600 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | Powerdi™5 | ショットキー | Powerdi™5 | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 710 mv @ 5 a | 3.5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 5a | - | |||||||||||||
![]() | Hz11a1ta-e | 0.1100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Hz | バルク | アクティブ | ±1.82% | 175°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 µA @ 7.5 v | 11 v | 25オーム | |||||||||||||
![]() | jantxv1n4965dus/tr | 33.1950 | ![]() | 2996 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jantxv1n4965dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 15.2 v | 20 v | 4.5オーム | ||||||||||||||
![]() | BZX79-B3V9,143 | 0.2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | カットテープ(CT) | アクティブ | ±2% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79-B3V9 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | |||||||||||
![]() | jantx1n3324rb | - | ![]() | 8182 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 22.8 v | 30 V | 3オーム | |||||||||||||
![]() | SMBJ5333B/TR13 | - | ![]() | 6146 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 300 µA @ 1 V | 3.3 v | 3オーム | ||||||||||||
![]() | jantx1n4979cus/tr | 24.7500 | ![]() | 2301 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jantx1n4979cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 56 v | 75 v | 55オーム | ||||||||||||||
![]() | BZX84C3V9T-7-F | 0.0630 | ![]() | 4902 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOT-523 | BZX84 | 150 MW | SOT-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | |||||||||||
![]() | RS3K R7 | - | ![]() | 3433 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-RS3KR7TR | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 3 a | 500 ns | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||
![]() | BZX384-A3V6X | 0.1463 | ![]() | 3201 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX384-A | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZX384-A3V6XTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 95オーム | |||||||||||
![]() | MTZJ15SB R0G | 0.0305 | ![]() | 5383 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | MTZJ15 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 na @ 11 v | 14.26 v | 40オーム | ||||||||||||
![]() | jantxv1n3050bur-1 | - | ![]() | 9728 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
1SMA5946 R3G | - | ![]() | 9438 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA5946 | 1.5 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 500 NA @ 56 v | 75 v | 140オーム | |||||||||||||
![]() | 1SS82TA-E | 0.1300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 200 v | 1 V @ 100 MA | 100 ns | 200 Na @ 200 V | 175°C | 200mA | 1.5pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | SMAZ5943B-M3/61 | 0.1063 | ![]() | 2595 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAZ5943 | 500 MW | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 42.6 v | 56 v | 86オーム | |||||||||||
![]() | 1n4617ur/tr | 3.4500 | ![]() | 8878 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ear99 | 8541.10.0050 | 286 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 2.4 v | 1400オーム | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n6342cus/tr | 57.2550 | ![]() | 8976 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jantxv1n6342cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 43 v | 56 v | 100オーム | ||||||||||||||
![]() | BZV55-C24,135 | 0.0200 | ![]() | 220 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | llds;ミニフル | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZV55-C24,135-954 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 NA @ 700 mV | 24 v | 70オーム |
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