画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N5239 | 50.5950 | ![]() | 2418 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-2N5239 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 2N4401BU | - | ![]() | 8397 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 600 Ma | - | npn | 750mv @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma、1V | 250MHz | |||
![]() | 2SCR293PHZGT100 | 0.7700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-243AA | 2 W | SOT-89 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-2SCR293PHZGT100DKR | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 30 V | 1 a | 100na(icbo) | npn | 350mv @ 25ma 、500ma | 270 @ 100MA 、2V | 320MHz | ||
![]() | FJX2907ATF | - | ![]() | 8317 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | - | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | FJX290 | 325 MW | SC-70 (SOT323) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 60 V | 600 Ma | 10na (icbo) | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | 200MHz | ||
![]() | PBSS4130QAZ | 0.0970 | ![]() | 9718 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-XDFN露出パッド | PBSS4130 | 325 MW | DFN1010D-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 30 V | 1 a | 100na(icbo) | npn | 245MV @ 50MA、1a | 180 @ 1a 、2v | 190MHz | ||
![]() | MNS2N3700UB/TR | 13.8000 | ![]() | 7068 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 100 | ||||||||||||||||||||
![]() | NMBT3906VL | 0.0200 | ![]() | 400 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-NMBT3906VL-954 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | JANSP2N2906AUB | 148.2202 | ![]() | 9783 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/291 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 500 MW | ub | - | 影響を受けていない | 150-JANSP2N2906AUB | 1 | 60 V | 600 Ma | 50NA | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 40 @ 150ma 、10V | - | ||||||
![]() | 2N1613 | 20.3500 | ![]() | 91 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | - | バルク | 廃止 | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 2N16 | 800 MW | to-39 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0095 | 16 | 30 V | 500 Ma | 10na (icbo) | npn | 1.5V @ 15MA、150ma | 40 @ 150ma 、10V | - | ||
![]() | PMD16K80 | 2.6000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | to-204aa、to-3 | to-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-PMD16K80 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 80 v | 20 a | - | npn-ダーリントン | - | - | - | |||
![]() | D44T1 | 0.7330 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | D44T | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | 31.2 w | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-D44T1 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 250 v | 2 a | 10µA | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 30 @ 500MA 、10V | 15MHz | ||
![]() | 2SC2383-y-ap | - | ![]() | 2401 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 2SC2383 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 353-2SC2383-Y-PAPTB | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 160 v | 1 a | 10µA | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 160 @ 200ma 、5v | 20MHz | ||
![]() | 2N6467 | - | ![]() | 3193 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 廃止 | - | 穴を通して | TO-213AA、to-66-2 | 40 W | to-66 | ダウンロード | 影響を受けていない | 1514-2N6467 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 4 a | - | - | - | 5MHz | |||||
![]() | bc857bw、135 | 0.0200 | ![]() | 23 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BC857 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||
![]() | BC807-40W/MI135 | 0.0200 | ![]() | 7245 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||
![]() | TN6717A | 0.1200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | TN6717 | 1 W | TO-226-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 v | 1.2 a | 100na(icbo) | npn | 350mv @ 10ma 、250ma | 50 @ 250ma、1V | - | ||
![]() | BC857BW-TP | 0.0355 | ![]() | 2267 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BC857 | 150 MW | SOT-323 | ダウンロード | 353-BC857BW-TP | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 220 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||
![]() | DTA143TET1 | 1.0000 | ![]() | 4812 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | DTA143 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||
![]() | FJP5027O | - | ![]() | 8801 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | FJP5027 | 50 W | TO-220-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 800 V | 3 a | 10µa(icbo) | npn | 2V @ 300MA 、1.5a | 20 @ 200ma 、5v | 15MHz | |||
jansd2n3499 | 41.5800 | ![]() | 1624 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/366 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 1 W | to-39 | - | 影響を受けていない | 150-Jansd2N3499 | 1 | 100 V | 500 Ma | 10µa(icbo) | npn | 600MV @ 30MA、300MA | 100 @ 150ma 、10V | - | |||||||
![]() | 2SD863E-AE | 0.1400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||
![]() | 2SA1207T-AA | 0.1200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | sanyo | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||
![]() | 2N222222AUA/TR | 25.9217 | ![]() | 1348 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 2N2222 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD | 650 MW | 4-SMD | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-2N2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 Ma | 50NA | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | |||
![]() | MNS2N3637UB | 12.1900 | ![]() | 6676 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-MNS2N3637UB | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | PN3642 | 0.0500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 45 v | 500 Ma | 50NA | npn | 220MV @ 15MA、150MA | 40 @ 150ma 、10V | - | |||||
jansl2n2907a | 99.0906 | ![]() | 5767 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/291 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-206aa | 500 MW | TO-18(to-206aa | - | 影響を受けていない | 150-jansl2n2907a | 1 | 60 V | 600 Ma | 50NA | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | |||||||
![]() | BCP53-10T1 | 0.2600 | ![]() | 46 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | BCP53 | 1.5 w | SOT-223 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 v | 1.5 a | - | PNP | 500MV @ 50MA 、500MA | 63 @ 150MA 、2V | 50MHz | ||
![]() | 2SC1009A-T1B-AT | 0.1500 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||
![]() | NSS35200CF8TIG | 1.0000 | ![]() | 6223 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | 635 MW | Chipfet™ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 35 v | 2 a | 100NA | PNP | 300MV @ 20MA 、2a | 100 @ 1.5a 、2V | 100MHz | |||
![]() | 2N5317 | 519.0900 | ![]() | 2781 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | スタッドマウント | TO-211MA | 87 W | to-61 | - | 影響を受けていない | 150-2N5317 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | - | PNP | - | - | - |
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