画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SA1207T-AA | 0.1200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | sanyo | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||
![]() | 2N222222AUA/TR | 25.9217 | ![]() | 1348 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 2N2222 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD | 650 MW | 4-SMD | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-2N2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 Ma | 50NA | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | |||
![]() | MNS2N3637UB | 12.1900 | ![]() | 6676 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-MNS2N3637UB | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | PN3642 | 0.0500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 45 v | 500 Ma | 50NA | npn | 220MV @ 15MA、150MA | 40 @ 150ma 、10V | - | |||||
jansl2n2907a | 99.0906 | ![]() | 5767 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/291 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-206aa | 500 MW | TO-18(to-206aa | - | 影響を受けていない | 150-jansl2n2907a | 1 | 60 V | 600 Ma | 50NA | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | |||||||
![]() | BCP53-10T1 | 0.2600 | ![]() | 46 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | BCP53 | 1.5 w | SOT-223 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 v | 1.5 a | - | PNP | 500MV @ 50MA 、500MA | 63 @ 150MA 、2V | 50MHz | ||
![]() | 2SC1009A-T1B-AT | 0.1500 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||
![]() | NSS35200CF8TIG | 1.0000 | ![]() | 6223 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | 635 MW | Chipfet™ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 35 v | 2 a | 100NA | PNP | 300MV @ 20MA 、2a | 100 @ 1.5a 、2V | 100MHz | |||
![]() | 2N5317 | 519.0900 | ![]() | 2781 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | スタッドマウント | TO-211MA | 87 W | to-61 | - | 影響を受けていない | 150-2N5317 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | - | PNP | - | - | - | ||||
![]() | PN3643 | 0.0400 | ![]() | 40 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 30 V | 500 Ma | 50NA | npn | 220MV @ 15MA、150MA | 100 @ 150ma 、10V | - | |||||
![]() | NCC1053/TR | - | ![]() | 8468 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-NCC1053/tr | 1 | |||||||||||||||||
2SA1770S-AN | - | ![]() | 9850 | 0.00000000 | sanyo | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | SC-71 | 2SA1770 | 1 W | 3-NMP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 160 v | 1.5 a | 1µa(icbo) | PNP | 500MV @ 50MA 、500MA | 100 @ 100MA 、5V | 120MHz | |||
![]() | KSD1408OTU | 1.0000 | ![]() | 9824 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 25 W | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 4 a | 30µa(icbo) | npn | 1.5V @ 300MA、3a | 70 @ 500MA 、5V | 8MHz | |||||
![]() | BC238BBU | 0.0200 | ![]() | 5464 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | - | ROHS3準拠 | 2156-BC238BBU-FS | ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 25 v | 100 Ma | 15na | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 180 @ 2MA 、5V | 250MHz | ||||
![]() | PMBT2227AYS-QH | 0.0620 | ![]() | 6956 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | PMBT2227 | 250MW | 6-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-PMBT2227AYS-QHTR | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 40V | 600MA | 10na (icbo) | NPN、PNP | 1V @ 50ma 、500ma / 1.6v @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | 300MHz 、200MHz | ||
![]() | rjp63k2dpk-m2#t0 | 7.2000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||
![]() | MPS6521 | 0.0400 | ![]() | 116 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92(to-226) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 25 v | 100 Ma | 50na(icbo) | npn | 500MV @ 5MA 、50mA | 300 @ 2MA 、10V | - | |||||
![]() | MPSH24 | - | ![]() | 3934 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 3,322 | 30 V | 50 Ma | 50na(icbo) | npn | - | 30 @ 8ma 、10V | 400MHz | |||||
![]() | 2SB772-GR-BP | - | ![]() | 8913 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-225AA、to-126-3 | 2SB772 | 1.25 w | TO-126 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 30 V | 3 a | 1µA | PNP | 500MV @ 200MA 、2a | 200 @ 1a 、2V | 50MHz | |||
![]() | MMPQ3904R1 | 1.3300 | ![]() | 9074 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 16-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MMPQ3904 | 1W | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2832-MMPQ3904R1TR | ear99 | 8541.21.0080 | 189 | 40V | 200mA | 50NA | 4 npn | 300mv @ 5ma 、50ma | 75 @ 10ma、1V | 250MHz | ||
![]() | BUX32 | - | ![]() | 2583 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | - | バルク | アクティブ | -65°C〜175°C | 穴を通して | to-204aa、to-3 | 150 W | to-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0075 | 3 | 800 V | 8 a | 200µA | npn | 2V @ 2a 、8a | 8 @ 6a、3V | 60MHz | |||
![]() | 2SC4520S-TD-E | 0.2000 | ![]() | 39 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | |||||||||||||||
![]() | D44D2 | - | ![]() | 2720 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | 2.1 w | TO-220 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 110 | 40 v | 6 a | 10µA | npn-ダーリントン | 1.5V @ 5MA 、5a | 2000 @ 1a 、2V | - | |||
![]() | IGB03N120H2ATMA1616 | - | ![]() | 8180 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 1 | |||||||||||||||||
![]() | 2SD1835T-AA | - | ![]() | 9791 | 0.00000000 | sanyo | * | バルク | 廃止 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-2SD1835T-AA-600057 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | 2SA1020-O | - | ![]() | 3483 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SA1020 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µa(icbo) | PNP | 500mv @ 50ma、1a | 70 @ 500MA 、2V | 100MHz | ||||
![]() | 2N2994 | 27.6600 | ![]() | 7538 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 5 W | to-5aa | - | 影響を受けていない | 150-2N2994 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 1 a | - | npn | 3V @ 50µA 、200µA | - | - | ||||
jantx2n2222ap | 15.0290 | ![]() | 6039 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-206aa | 500 MW | TO-18(to-206aa | - | 影響を受けていない | 150-jantx2n2222ap | 1 | 50 v | 800 Ma | 50NA | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | |||||||
![]() | BSS80C | 0.0300 | ![]() | 6085 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 790 | |||||||||||||||
![]() | PDTC143EMB315 | 0.0300 | ![]() | 119 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 |
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