画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 得 | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KSB1116AGTA | - | ![]() | 3286 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | KSB11 | 750 MW | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 60 V | 1 a | 100na(icbo) | PNP | 300MV @ 50MA、1a | 200 @ 100MA 、2V | 120MHz | |||||||
![]() | DDTA144WKA-7-F | - | ![]() | 5494 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | DDTA144 | 200 MW | SC-59-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 56 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | |||||
jansh2n2218a | 283.9200 | ![]() | 6140 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/251 | バルク | アクティブ | -55°C〜200°C (TJ | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 800 MW | to-39 | - | 影響を受けていない | 150-jansh2n2218a | 1 | 50 v | 800 Ma | 10na | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 40 @ 150ma 、10V | - | |||||||||||
![]() | KSP06BU | 1.0000 | ![]() | 5024 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | KSP06 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 v | 500 Ma | 100NA | npn | 250MV @ 10MA 、100mA | 50 @ 100MA、1V | 100MHz | ||||||
![]() | MPS4250G | - | ![]() | 8545 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | MPS425 | 625 MW | to-92(to-226) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 40 v | 50 Ma | 10na (icbo) | PNP | 250mv @ 500µa 、10ma | 250 @ 10ma 、5v | - | |||||||
![]() | BC847A_R1_00001 | 0.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | BC847 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BC847 | 330 MW | SOT-23 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-BC847A_R1_00001DKR | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 110 @ 2MA 、5V | 100MHz | |||||
![]() | MMBT5551-HF | 0.2600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | MMBT5551 | 300 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 160 v | 600 Ma | 50na(icbo) | npn | 200mV @ 5MA 、50mA | 200 @ 10MA 、5V | 300MHz | |||||||
![]() | 2SD2662T100 | 0.6700 | ![]() | 455 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 2SD2662 | 2 W | MPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 30 V | 1.5 a | 100na(icbo) | npn | 350mv @ 50ma、1a | 270 @ 100MA 、2V | 330MHz | ||||||
![]() | DTC143ESA-AP | - | ![]() | 6026 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | TO-226-3 | DTC143 | 300 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 353-DTC143ESA-PAPTB | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 20 @ 10MA 、5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||
![]() | 2N5550BU | 0.0200 | ![]() | 7394 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 13,374 | 140 v | 600 Ma | 100na(icbo) | npn | 250mv @ 5ma 、50ma | 60 @ 10ma 、5v | 300MHz | |||||||||
![]() | PDTC143ZQCZ | 0.2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント、濡れ可能な側面 | 3-XDFN露出パッド | PDTC143 | 360 MW | DFN1412D-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 v | 100 Ma | 100NA | npn-バイアス化 | 100MV @ 250µA、5MA | 100 @ 10ma 、5v | 230 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | SG2821J | - | ![]() | 7033 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 18-cdip (0.300 "、7.62mm) | SG2821 | - | 18カーディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-SG2821J | ear99 | 8541.29.0095 | 21 | 95V | 500mA | - | 8 npnダーリントン | 1.6V @ 500µA、350MA | 1000 @ 350MA 、2V | - | ||||||
![]() | MMBTRA226S | 0.0477 | ![]() | 5635 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | MMBTRA226 | 200 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-MBTRA226STR | 8541.21.0000 | 3,000 | 800 Ma | 10µA | pnp-前バイアス | - | 56 @ 50MA 、5V | 200 MHz | 2.2 KOHMS | 10 Kohms | |||||||
![]() | NTE54 | 3.7400 | ![]() | 27 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | 2W | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-NTE54 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 150V | 8a | npn | 40 @ 2a 、2V | 30MHz | - | ||||||||
![]() | KSD2012YTU | - | ![]() | 5339 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | KSD2012 | 25 W | TO-220F-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 3 a | 100µa(icbo) | npn | 1V @ 200MA 、2a | 100 @ 500MA 、5V | 3MHz | |||||||
![]() | BD538 | 0.4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 2N2813 | 117.9178 | ![]() | 1464 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 2N2813 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | PEMD6,115 | - | ![]() | 8814 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PEMD6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | |||||||||||||||||||
![]() | PUMD2/DG/B3,115 | - | ![]() | 1347 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | PUMD2 | 300MW | 6-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934066961115 | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100NA | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 150mv @ 500µa 、10ma | 60 @ 5MA 、5V | 230MHz、180MHz | 22kohms | 22kohms | ||||
![]() | PXT3904 | 0.0840 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-243AA | 500 MW | SOT-89 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-PXT3904TR | ear99 | 1,000 | 40 v | 200 ma | 50na(icbo) | npn | 300mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10ma、1V | 300MHz | ||||||||
![]() | PEMH7,115 | - | ![]() | 1169 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | PEMH7 | 300MW | SOT-666 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 1µA | 2 npn- バイアス(デュアル) | 100MV @ 250µA、5MA | 200 @ 1MA 、5V | - | 4.7kohms | - | |||||
![]() | MMBT3906LP-7 | 0.3800 | ![]() | 103 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 3-ufdfn | MMBT3906 | 250 MW | x1-dfn1006-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 200 ma | 50na(icbo) | PNP | 400mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10ma、1V | 300MHz | ||||||
![]() | ABC857A-HF | 0.0506 | ![]() | 5420 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 641-ABC857A-HFTR | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 100 Ma | 15NA | 650mv @ 5ma 、100ma | 125 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||||||
![]() | PMBTA42,185 | 0.0200 | ![]() | 4801 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMBTA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 30,000 | |||||||||||||||||||
![]() | PBSS4240Y 、115 | - | ![]() | 2824 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | 430 MW | 6-tssop | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-PBSS4240Y 、115-954 | 1 | 40 v | 2 a | 100na(icbo) | npn | 320MV @ 200MA 、2a | 300 @ 1a 、2V | 230MHz | |||||||||
![]() | 2N6490G | 1.3000 | ![]() | 169 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | 2N6490 | 1.8 w | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 15 a | 1ma | PNP | 3.5V @ 5a 、15a | 20 @ 5a 、4V | 5MHz | ||||||
![]() | 2N3868S | 10.9459 | ![]() | 5214 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | 2N3868 | 1 W | to-39 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 3 Ma | 100µa(icbo) | PNP | 1.5V @ 250MA 、2.5a | 30 @ 1.5a 、2V | - | ||||||||
![]() | BCW61DE6327 | 0.0400 | ![]() | 64 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 330 MW | PG-SOT23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 7,454 | 32 v | 100 Ma | 20na(icbo) | PNP | 550MV @ 1.25MA 、50mA | 380 @ 2MA 、5V | 250MHz | |||||||
![]() | SG2803L-883B | - | ![]() | 9216 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 20-CLCC | SG2803 | - | 20-clcc (8.89x8.89 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-SG2803L-883B | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 50V | 500mA | - | 8 npnダーリントン | 1.6V @ 500µA、350MA | - | - | ||||||
![]() | 2N4311 | 14.6400 | ![]() | 7630 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 1 W | to-5aa | - | 影響を受けていない | 150-2N4311 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 5 a | - | PNP | - | - | - |
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