SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価( amp) 現在 -テスト 電力 -出力 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) ノイズ図 IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) vce(on max) @ vge 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ(最大) NTCサーミスタ 入力容量( cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2)
NTMFS4C01NT1G onsemi NTMFS4C01NT1G -
RFQ
ECAD 6071 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn NTMFS4 モスフェット(金属酸化物) 5-dfn ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 30 V 47a 4.5V 、10V 0.9mohm @ 30a 、10V 2.2V @ 250µA 139 NC @ 10 V ±20V 10144 PF @ 15 V - 3.2W
SMMBT5088LT1G onsemi SMMBT5088LT1G 0.4900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 SMMBT5088 300 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 30 V 50 Ma 50na(icbo) npn 500MV @ 1MA 、10ma 300 @ 100µA 、5V 50MHz
STD4NK80ZT4 STMicroelectronics std4nk80zt4 1.9100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics SuperMesh™ テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 std4nk80 モスフェット(金属酸化物) dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 800 V 3a(tc) 10V 3.5OHM @ 1.5A 、10V 4.5V @ 50µA 22.5 NC @ 10 V ±30V 575 PF @ 25 V - 80W
IPD11DP10NMATMA1 Infineon Technologies IPD11DP10NMATMA1 1.8500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™ テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 IPD11D モスフェット(金属酸化物) PG-to252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 100 V 3.4a 10V 111mohm @ 18a 、10v 4V @ 1.7MA 74 NC @ 10 V ±20V 3200 PF @ 50 V - 3W (TA )、125W(TC
IRF8910TRPBF-1 Infineon Technologies IRF8910TRPBF-1 -
RFQ
ECAD 1715 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) IRF89 モスフェット(金属酸化物) 2W (TA) 8-SO - 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル(デュアル) 20V 10a(ta) 13.4mohm @ 10a 、10V 2.55V @ 250µA 11NC @ 4.5V 960pf @ 10V -
IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies IKWH50N65EH7XKSA1 6.2400
RFQ
ECAD 230 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ アクティブ ダウンロード 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 240
FF600R12KE7PEHPSA1 Infineon Technologies FF600R12KE7PEHPSA1 261.2688
RFQ
ECAD 9955 0.00000000 Infineon Technologies C 、TrenchStop™ トレイ アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント モジュール 標準 AG-62mmhb - ROHS3準拠 8 ハーフブリッジインバーター トレンチフィールドストップ 1200 v 600 a 1.75V @ 15V 、600A 100 µA いいえ 92300 PF @ 25 V
MII150-12A4 IXYS MII150-12A4 -
RFQ
ECAD 4306 0.00000000 ixys - アクティブ 150°C (TJ) シャーシマウント Y3-DCB MII150 760 w 標準 Y3-DCB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2 ハーフブリッジ npt 1200 v 180 a 2.7V @ 15V 、100A 7.5 Ma いいえ 6.6 nf @ 25 v
JANSL2N2906AUB Microchip Technology jansl2n2906aub 148.2202
RFQ
ECAD 6032 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/291 バルク アクティブ -65°C〜200°C 表面マウント 3-SMD 、リードなし 500 MW ub - 影響を受けていない 150-jansl2n2906aub 1 60 V 600 Ma 50NA PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 40 @ 150ma 、10V -
RN4904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904 0.4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4904 200mw US6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 47kohms 47kohms
MJE18002D2 Motorola MJE18002D2 0.4600
RFQ
ECAD 13 0.00000000 モトローラ - バルク アクティブ -65°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 50 W TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 450 v 2 a 100µA npn 750mv @ 200ma、1a 14 @ 400MA、1V 13MHz
PMX400UPZ Nexperia USA Inc. PMX400UPZ 0.4800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 0201 (0603 メトリック) モスフェット(金属酸化物) DFN0603-3 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 15,000 pチャネル 20 v 900ma(ta) 1.8V 、4.5V 500mohm @ 1a 、4.5V 900MV @ 250µA 2.4 NC @ 4.5 v ±12V 146 PF @ 10 V - 500MW
MCQ4828A-TP Micro Commercial Co MCQ4828A-TP 0.9100
RFQ
ECAD 43 0.00000000 Micro Commercial Co - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MCQ4828 モスフェット(金属酸化物) 1.25W 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 4,000 2 nチャンネル(デュアル) 60V 4.5a(ta) 56mohm @ 4.5a 、10V 3V @ 250µA 10.5NC @ 10V 540pf @ 30V -
RQ6A050ZPTR Rohm Semiconductor RQ6A050ZPTR 0.9500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 RQ6A050 モスフェット(金属酸化物) TSMT6(SC-95) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 12 v 5a(ta) 1.5V 、4.5V 26mohm @ 5a 、4.5V 1V @ 1MA 35 NC @ 4.5 v ±10V 2850 PF @ 6 V - 950MW
PJL9807_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9807_R2_00001 0.1699
RFQ
ECAD 7645 0.00000000 Panjit International Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) PJL9807 モスフェット(金属酸化物) 1.7W 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 3757-PJL9807_R2_00001TR ear99 8541.29.0095 2,500 2 P-Channel (デュアル) 30V 4a(ta) 52mohm @ 3a 、10V 2.5V @ 250µA 4.8NC @ 4.5V 516pf @ 15V -
AOT416L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT416L -
RFQ
ECAD 8231 0.00000000 アルファ&オメガ半導体Inc. SDMOS™ バルク 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 AOT41 モスフェット(金属酸化物) TO-220 - 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 100 V 4.7a 7V 、10V 37mohm @ 20a 、10V 4V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±25V 1450 PF @ 50 V - 1.92W
IPI16CNE8N G Infineon Technologies IPI16CNE8N g -
RFQ
ECAD 1583 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads IPI16C モスフェット(金属酸化物) PG-to262-3 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 500 nチャネル 85 v 53a(tc) 10V 16.5mohm @ 53a、10V 4V @ 61µA 48 NC @ 10 V ±20V 3230 PF @ 40 V - 100W (TC)
ALD114835SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD114835SCL 6.9000
RFQ
ECAD 290 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® チューブ アクティブ 0°C〜70°C (TJ 表面マウント 16-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) ALD114835 モスフェット(金属酸化物) 500MW 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 1014-1060 ear99 8541.21.0095 50 4 n チャネル、マッチングペア 10.6V 12ma、3ma 540OHM @ 0V 3.45V @ 1µA - 2.5pf @ 5V 枯渇モード
MCT03N06-TP Micro Commercial Co MCT03N06-TP 0.1645
RFQ
ECAD 7983 0.00000000 Micro Commercial Co - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA MCT03 モスフェット(金属酸化物) SOT-223 ダウンロード 353-MCT03N06-TP ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 3a 4.5V 、10V 105mohm @ 3a、10V 2V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ±20V 247 PF @ 30 V - 1.2W
AUIRF9952QTR Infineon Technologies auirf9952qtr -
RFQ
ECAD 6192 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) auirf9952 モスフェット(金属酸化物) 2W 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない SP001517940 ear99 8541.29.0095 4,000 nおよびpチャネル 30V 3.5a 、2.3a 100mohm @ 2.2a 、10V 3V @ 250µA 14NC @ 10V 190pf @ 15V ロジックレベルゲート
NVMFS5C673NLWFAFT3G onsemi NVMFS5C673NLWFAFT3G 0.7043
RFQ
ECAD 4318 0.00000000 onsemi aec-q101 テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -55°C〜175°C 表面マウント 8-powertdfn NVMFS5 モスフェット(金属酸化物) 5-dfn ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 50a(tc) 4.5V 、10V 9.2mohm @ 25a 、10V 2V @ 35µA 9.5 NC @ 10 V ±20V 880 PF @ 25 V - 46W
TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L 、LXHQ 1.6500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ&リール( tr) アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ60S06 モスフェット(金属酸化物) DPAK+ ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 60 V 60a(ta) 6V 、10V 11.2mohm @ 30a 、10v 3V @ 1MA 156 NC @ 10 V +10V、-20V 7760 PF @ 10 V - 100W (TC)
FCPF380N65FL1-F154 onsemi FCPF380N65FL1-F154 3.2100
RFQ
ECAD 990 0.00000000 onsemi FRFET®、Superfet®ii チューブ 新しいデザインではありません -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック FCPF380 モスフェット(金属酸化物) TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 488-FCPF380N65FL1-F154 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 10.2a 380mohm @ 5.1a 、10V 5V @ 1MA 43 NC @ 10 V ±20V 1680 PF @ 100 V - 33W (TC)
CSD19536KTTT Texas Instruments CSD19536KTTT 6.0500
RFQ
ECAD 468 0.00000000 テキサスの楽器 Nexfet™ テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-4 、D²pak(3リード +タブ)、 To-263AA CSD19536 モスフェット(金属酸化物) DDPAK/TO-263-3 ダウンロード ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 200a(ta) 6V 、10V 2.4mohm @ 100a 、10V 3.2V @ 250µA 153 NC @ 10 V ±20V 12000 pf @ 50 v - 375W
BLS7G2729LS-350P,1 Ampleon USA Inc. BLS7G2729LS-350P 、1 716.0700
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Ampleon USA Inc. - バルク sicで中止されました 65 v 表面マウント SOT-539B BLS7G2729 2.7GHz〜2.9GHz ldmos SOT539B ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 20 デュアル、共通のソース - 200 ma 350W 13dB - 32 v
2SK669K onsemi 2SK669K 0.1000
RFQ
ECAD 4144 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 2,843
NVTYS025P04M8LTWG onsemi nvtys025p04m8ltwg 0.4514
RFQ
ECAD 7611 0.00000000 onsemi aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SOT-205、8-LFPAK56 モスフェット(金属酸化物) 8-lfpak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 488-NVTYS025P04M8LTWGTR ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 40 v 9.4a 4.5V 、10V 25mohm @ 25a 、10V 3V @ 255µA 16 NC @ 10 V ±20V 1080 PF @ 25 V - 3.8W (TA )、44.1W(TC)
2N6039 onsemi 2N6039 -
RFQ
ECAD 3448 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 -65°C〜150°C 穴を通して TO-225AA、to-126-3 2N6039 40 W TO-126 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 500 80 v 4 a 100µA npn-ダーリントン 2V @ 8MA 、2a 750 @ 2a、3V -
CPC3960ZTR IXYS Integrated Circuits Division CPC3960ZTR 0.8900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Ixys Integrated Circuits Division - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜125°C(TJ) 表面マウント TO-261-4、TO-261AA CPC3960 モスフェット(金属酸化物) SOT-223 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 600 V - 0V 44ohm @ 100ma、0V - ±15V 100 pf @ 25 v 枯渇モード 1.8W
TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60F10N1L 、LXGQ 2.3200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ&リール( tr) アクティブ 175°C 表面マウント TO-263-3 TK60F10 モスフェット(金属酸化物) TO-220SM - 3 (168 時間) ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 100 V 60a(ta) 6V 、10V 6.11mohm @ 30a 、10V 3.5V @ 500µA 60 NC @ 10 V ±20V 4320 PF @ 10 V - 205W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫