RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

トランジスタ（100539）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
TPCF8304 （TE85L	-	RFQ	5747	東芝の半導体と貯蔵	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）	表面マウント	8-SMD 、フラットリード	TPCF8304		モスフェット（金属酸化物）	330MW	vs-8（2.9x1.5	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.21.0095	4,000	2 P-Channel （デュアル）				30V	3.2a		72mohm @ 1.6a、10V	1.2V @ 1MA	14NC @ 10V		600pf @ 10V	ロジックレベルゲート
2SC3595D	0.6100	RFQ	7	sanyo	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	0000.00.0000	1
RM27P30LD	0.1500	RFQ	5544	Rectron USA	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-252-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2516-RM27P30LDTR		8541.10.0080	25,000		pチャネル			30 V	27a（tc）	4.5V 、10V	30mohm @ 12a 、10v	2.5V @ 250µA		±20V	930 PF @ 15 V	-	31.3W
fqu5n50tu	-	RFQ	6782	onsemi	QFET®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	to-251-3	fqu5		モスフェット（金属酸化物）		i-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	70		nチャネル			500 V	3.5a	10V	1.8OHM @ 1.75A 、10V	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	610 pf @ 25 v	-	2.5W （TA ）、50W（TC）
CEZ6R40SL-HF	0.8647	RFQ	2476	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）		p-pak （5x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		641-CEZ6R40SL-HFTR	ear99	8541.29.0095	2,500		nチャネル			65 v	27a	4.5V 、10V	4.5mohm @ 20a 、10V	3V @ 250µA	26 NC @ 4.5 v	±20V	1790 pf @ 30 v	-	73W
IKW50N65F5AXKSA1	-	RFQ	6525	Infineon Technologies	Automotive	チューブ	廃止	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	IKW50N	標準		270 w	PG-to247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	240			400V 、25A 、12OHM15V												77 ns	溝	650 V	80 a	150 a	2.1V @ 15V 、50a	490µj（on140µj （オフ）	108 NC	21ns/156ns
NDTL01N60ZT3G	-	RFQ	5410	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA	NDTL01		モスフェット（金属酸化物）		SOT-223	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000		nチャネル			600 V	250ma（tc）	10V	15OHM @ 400MA 、10V	4.5V @ 50µA	4.9 NC @ 10 V	±30V	92 PF @ 25 V	-	2W （TC）
ISZ0702NLSATMA1	1.2900	RFQ	9	Infineon Technologies	Optimos™5	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn	ISZ0702N		モスフェット（金属酸化物）		PG-TSDSON-8-25	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000		nチャネル			60 V	17a	4.5V 、10V	4.5mohm @ 20a 、10V	2.3V @ 26µA	39 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 30 V	-	2.5W （TA ）、65W（TC）
IPP65R600C6XKSA1	-	RFQ	2398	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	IPP65R		モスフェット（金属酸化物）		PGから220-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500		nチャネル			650 V	7.3a（tc）	10V	600mohm @ 2.1a 、10V	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 PF @ 100 V	-	63W
RM7N600LD	0.5800	RFQ	4789	Rectron USA	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-252-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2516-RM7N600LD		8541.10.0080	4,000		nチャネル			600 V	7a（tc）	10V	580mohm @ 3a 、10V	4V @ 250µA		±30V	587 PF @ 50 V	-	63W
IPU60R1K0CE	1.0000	RFQ	1724	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）		PG-to251-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル			600 V	6.8a（tc）	10V	1OHM @ 1.5A 、10V	3.5V @ 130µA	13 NC @ 10 V	±20V	280 PF @ 100 V	-	61W （TC）
IXTP110N055T2	3.0400	RFQ	19	ixys	trencht2™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IXTP110		モスフェット（金属酸化物）		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル			55 v	110a（tc）	10V	6.6mohm @ 25a 、10V	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	3060 PF @ 25 V	-	180W
IHW30N90T	2.6600	RFQ	5	Infineon Technologies	TrenchStop®	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3		標準		428 w	PG-to247-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			600V 、30A、15OHM、15V													トレンチフィールドストップ	900 V	60 a	90 a	1.7V @ 15V 、30A	1.8mj （オフ）	280 NC	45ns/556ns
2SC5265LS	1.0000	RFQ	5955	onsemi	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
SIPC69N65C3X1SA1	-	RFQ	7421	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ				SIPC69					-	ROHS3準拠	2（1 年）	影響を受けていない	SP000437778		0000.00.0000	1						-
2N6542	56.0700	RFQ	9853	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204aa、to-3				100 W	TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N6542	ear99	8541.29.0095	1																	300 V	5 a						-	PNP	-	-	-
UJ4SC075018L8S	21.0900	RFQ	6800	Qorvo	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	8-POWERSFN	UJ4SC075		sicfet		通行料金	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		nチャネル			750 V	53a（tc）	12V	23mohm @ 50a、12v	6V @ 10MA	37.8 NC @ 15 V	±20V	1414 PF @ 400 v	-	349W
SI7788DP-T1-GE3	1.3183	RFQ	3551	Vishay Siliconix	trenchfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	PowerPak®SO-8	SI7788		モスフェット（金属酸化物）		PowerPak®SO-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	3,000		nチャネル			30 V	50a（tc）	4.5V 、10V	3.1mohm @ 15a 、10V	2.5V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	5370 PF @ 15 V	-	5.2W
DTA114EE3HZGTL	0.4100	RFQ	3	Rohm Semiconductor	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	SC-75、SOT-416	DTA114			150 MW	EMT3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	846-DTA114EE3HZGTLTR	ear99	8541.21.0075	3,000																	50 v	100 Ma						500na	pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	30 @ 5MA 、5V	250 MHz	10 Kohms	10 Kohms
PN2222ARP	-	RFQ	7038	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	TO-226-3	PN2222			625 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	1																	40 v	1 a						10na	npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	300MHz
EC4H09C-TL-H	-	RFQ	1156	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）	表面マウント	4-ufdfn	EC4H09			120MW	4-ECSP1008	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	10,000				15dB													3.5V	40ma							npn		70 @ 5MA、1V	26GHz			1.3db @ 2GHz
2SB1406-AN	0.1900	RFQ	12	onsemi	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0075	1
2SK2111-D-T1-AZ	0.4300	RFQ	8	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1,000
MCH6606-TL-E	-	RFQ	9032	onsemi	*	テープ＆リール（ tr）	廃止				MCH6606		-			-		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000													-
FQI4N20	-	RFQ	4903	フェアチャイルド半導体	QFET™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）		i2pak（to-262）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	950		nチャネル			200 v	3.6a（tc）	10V	1.4OHM @ 1.8A 、10V	5V @ 250µA	6.5 NC @ 10 V	±30V	220 PF @ 25 V	-	3.13W （TA ）、45W（TC）
NVMFS020N10MCL	-	RFQ	8561	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-		NVMFS020		-			-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		-				-	-	-	-		-		-	-
FQB19N20CTM	1.5300	RFQ	7254	onsemi	QFET®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	FQB19N20		モスフェット（金属酸化物）		d²pak（ to-263）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800		nチャネル			200 v	19a（tc）	10V	170mohm @ 9.5a 、10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1080 PF @ 25 V	-	3.13W
aa1a4m-t（nd）-a	0.4400	RFQ	17	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0095	1
PH3530DL115	0.4600	RFQ	24	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	3,000
ISC0602NLSATMA1	1.5700	RFQ	8	Infineon Technologies	Optimos™5	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	ISC0602N		モスフェット（金属酸化物）		PG-TDSON-8-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000		nチャネル			80 v	14a（タタ66a（tc）	4.5V 、10V	7.3mohm @ 20a 、10V	2.3V @ 29µA	22 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 40 v	-	2.5w

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²