画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在の評価( amp) | 電力 -出力 | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ノイズ図 | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | sud50n03-12p-e3 | - | ![]() | 6246 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | sud50 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 30 V | 17.5a | 4.5V 、10V | 12mohm @ 20a 、10v | 3V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±20V | 1600 pf @ 25 v | - | 6.5W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | sti6n80k5 | - | ![]() | 2935 | 0.00000000 | stmicroelectronics | SuperMesh5™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | sti6 | モスフェット(金属酸化物) | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 800 V | 4.5a | 10V | 1.6OHM @ 2A 、10V | 5V @ 100µA | 7.5 NC @ 10 V | 30V | 255 PF @ 100 V | - | 85W | ||||||||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-13 | 0.3500 | ![]() | 8525 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | DMG1013 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | pチャネル | 20 v | 820ma(ta) | 1.8V 、4.5V | 750MOHM @ 430MA 、4.5V | 1V @ 250µA | 0.62 NC @ 4.5 v | ±6V | 59.76 PF @ 16 V | - | 310MW | |||||||||||||||||||||||||
APTGF25H120T1G | - | ![]() | 3563 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | 廃止 | - | シャーシマウント | SP1 | 208 w | 標準 | SP1 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | フルブリッジインバーター | npt | 1200 v | 40 a | 3.7V @ 15V 、25a | 250 µA | はい | 1.65 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSBC144EF3T5G | 0.5100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-1123 | NSBC144 | 254 MW | SOT-1123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 250mv @ 300µa 、10ma | 80 @ 5MA 、10V | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFPG42 | 2.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 1000 V | 3.9a(tc) | 10V | 4.2OHM @ 2.5A 、10V | 4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±20V | - | 150W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP22N60N | 4.6700 | ![]() | 638 | 0.00000000 | onsemi | Supremos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | FCP22N60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 22a(tc) | 10V | 165mohm @ 11a 、10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ±45V | 1950 PF @ 100 V | - | 205W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFB093608SVV2R250XTAM1 | - | ![]() | 2694 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 65 v | 表面マウント | H-37275G-6/2 | PTFB093608 | 920MHz〜960MHz | ldmos | H-37275G-6/2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP000957080 | ear99 | 8541.29.0095 | 250 | - | 360W | 20db | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC816-25WX | 0.2100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 自動車、AEC-Q101、BC816W | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BC816 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 80 v | 500 Ma | 100µA | npn | 400mv @ 5ma 、50ma | 160 @ 100MA、1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
IXFA72N30X3-TRL | 6.6640 | ![]() | 8017 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™x3 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | IXFA72 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 238-IXFA72N30X3-TRLTR | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 300 V | 72a(tc) | 10V | 19mohm @ 36a 、10v | 4.5V @ 1.5MA | 82 NC @ 10 V | ±20V | 5400 PF @ 25 V | - | 390W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BSL302SNH6327XTSA1 | - | ![]() | 2939 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | モスフェット(金属酸化物) | PG-TSOP6-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 7.1a(ta) | 4.5V 、10V | 25mohm @ 7.1a 、10V | 2V @ 30µA | 6.6 NC @ 5 V | ±20V | 750 PF @ 15 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5E030AJTCL | 0.4600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-96 | RQ5E030 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 3a(ta) | 4.5V | 75mohm @ 3a 、4.5V | 1.5V @ 1MA | 2.1 NC @ 4.5 v | ±12V | 240 PF @ 15 V | - | 1W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK4150TZ-E | 0.6300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | ルネサス | - | バルク | 廃止 | 150°C | 穴を通して | TO-226-3 | モスフェット(金属酸化物) | to-92 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-2SK4150TZ-E | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 250 v | 400ma(ta) | 2.5V 、4V | 5.7OHM @ 200MA 、4V | 1.5V @ 1MA | 3.7 NC @ 4 V | ±10V | 80 pf @ 25 v | - | 750MW | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DMS3014SFG-7 | 0.5400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | DMS3014 | モスフェット(金属酸化物) | PowerDi3333-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 30 V | 9.5a(ta) | 1.8V 、4.5V | 13mohm @ 10.4a 、10V | 2.2V @ 250µA | 45.7 NC @ 10 V | ±12V | 4310 PF @ 15 V | ショットキーダイオード(ボディ) | 1W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SQJ403BEEP-T1_BE3 | 1.6000 | ![]() | 7997 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SQJ403BEEP-T1_BE3TR | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 30a(tc) | 4.5V 、10V | 8.5mohm @ 10a 、10V | 2.5V @ 250µA | 164 NC @ 10 V | ±20V | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFW530ATM | 0.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 100 V | 14a(tc) | 10V | 110mohm @ 7a 、10V | 4V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ±20V | 790 PF @ 25 V | - | 3.8W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DNLS540E-13 | - | ![]() | 5515 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 31-DNLS540E-13TR | 廃止 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUT300N08S5N011ATMA1 | 6.8700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-POWERSFN | モスフェット(金属酸化物) | PG-HSOF-8-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 80 v | 410a | 6V 、10V | 1.1mohm @ 100a 、10V | 3.8V @ 275µA | 231 NC @ 10 V | ±20V | 16250 pf @ 40 v | - | 375W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ICA32V09X1SA1 | - | ![]() | 5871 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | バルク | 廃止 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001113916 | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK5P60W5、RVQ | 1.3300 | ![]() | 1789 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | dtmosiv | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 600 V | 4.5a(ta) | 10V | 990mohm @ 2.3a 、10V | 4.5V @ 230µA | 11.5 NC @ 10 V | ±30V | 370 pf @ 300 v | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP31D7LDW-7 | 0.0706 | ![]() | 6056 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | DMP31 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-363 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | dmp31d7ldw-7di | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 550ma(ta) | 900mohm @ 420ma 、10V | 2.6V @ 250µA | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857CMB 、315 | 0.0200 | ![]() | 178 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-xfdfn | BC857 | 250 MW | DFN1006B-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BC857CMB、315-954 | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 Ma | 15NA | PNP | 300MV @ 500µA 、10mA | 420 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
IXTA230N04T4 | 3.5176 | ![]() | 4167 | 0.00000000 | ixys | 溝 | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | IXTA230 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 40 v | 230a | 10V | 2.9mohm @ 115a 、10V | 4V @ 250µA | 140 NC @ 10 V | ±15V | 7400 PF @ 25 V | - | 340W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SQJ407EP-T1_BE3 | 1.4800 | ![]() | 1406 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SQJ407EP-T1_BE3TR | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 60a(tc) | 4.5V 、10V | 4.4mohm @ 10a 、10v | 2.5V @ 250µA | 260 NC @ 10 V | ±20V | 10700 PF @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT13003SU-E1 | - | ![]() | 3249 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | チューブ | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-225AA、to-126-3 | APT13003 | 1.1 w | TO-126 | - | 1 (無制限) | 影響を受けた | 31-apt13003SU-E1 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 450 v | 1.3 a | 10µA | npn | 600mv @ 250ma、1a | 13 @ 500MA 、2V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AON2240 | 0.2051 | ![]() | 5556 | 0.00000000 | アルファ&オメガ半導体Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-udfn露出パッド | aon22 | モスフェット(金属酸化物) | 6-dfn (2x2) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 40 v | 8a(ta) | 4.5V 、10V | 21mohm @ 8a 、10V | 2.4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ±20V | 415 PF @ 20 V | - | 2.8W |
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