画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT29F2G08ABDHC-ET:D TR | - | ![]() | 1139 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA(10.5x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | W25Q16DWNB02 | - | ![]() | 1025 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | - | - | - | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | - | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16DWNB02 | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 40µs、3ms | ||||
![]() | DS1250YP-70+ | 105.7650 | ![]() | 3148 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 34-POWERCAP™モジュール | DS1250Y | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 34-POWERCAPモジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | -4941-DS1250YP-70+ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 40 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | nvsram | 512k x 8 | 平行 | 70ns | |||
![]() | MT29F4T08GMLBEJ4:b | - | ![]() | 4393 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F4T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | 557-MT29F4T08GMLBEJ4:b | 廃止 | 1,120 | 不揮発性 | 4tbit | フラッシュ | 512g x 8 | 平行 | - | ||||||||
![]() | W9412G6JB-5I TR | - | ![]() | 3682 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | W9412G6 | SDRAM | 2.7V〜2.3V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W9412G6JB-5ITR | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 700 ps | ドラム | 8m x 16 | lvttl | 15ns | ||
![]() | SM662GEF BFST | 178.9800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662GEFBFST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||||||
![]() | cy62256ll-70zrxit | - | ![]() | 9894 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | Cy62256 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 256kbit | 70 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | S70FL01GSAGBHEC10 | 72.3653 | ![]() | 7724 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | トレイ | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 338 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 6.5 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||
![]() | 6116SA20SOI | 2.9400 | ![]() | 326 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | 6116SA | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 24-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 16kbit | 20 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | 24FC16-I/MS | 0.3900 | ![]() | 8893 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 24FC16 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | 150-24FC16-I/MS | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 450 µs | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | S29GL512T11DHB020 | 13.1600 | ![]() | 6496 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 64-lbga | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 520 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | cav25512hu5e-gt3 | 1.6025 | ![]() | 8754 | 0.00000000 | onsemi | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | Cav25512 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-udfn(3x2) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 10 MHz | 不揮発性 | 512kbit | Eeprom | 64k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | SM662GBBベスト | 20.5200 | ![]() | 1814年年 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GBB-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC | - | ||||
![]() | CY7C09349AV-12AXC | - | ![]() | 70 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C09349 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0041 | 13 | 50 MHz | 揮発性 | 72kbit | 12 ns | sram | 4k x 18 | 平行 | - | 確認されていません | ||||
![]() | 4x70k14183-c | 35.0000 | ![]() | 4325 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-4x70K14183-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 70V05L12PFI8 | - | ![]() | 5216 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-LQFP | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 64-TQFP(14x14 | - | 800-70V05L12PFI8TR | 1 | 揮発性 | 64kbit | 12 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 12ns | |||||||||
![]() | S25FL129P0XBHI300A | 1.9600 | ![]() | 9834 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | fl-p | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL129 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 5µs、3ms | ||||
![]() | AT25SF041B-MHD-T | 0.6700 | ![]() | 1699 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | AT25SF041 | フラッシュ - | 2.5V〜3.6V | 8-udfn (5x6) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1265-AT25SF041B-MHD-TDKR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 6,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 50µs 、800µs | ||||
![]() | CAT28F020H-12T | - | ![]() | 9503 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | CAT28F020 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 不揮発性 | 2mbit | 120 ns | フラッシュ | 256k x 8 | 平行 | 120ns | ||||||
Cy7C1382D-200AXC | - | ![]() | 1395 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1382 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | Cy7C1413UV18-300BZC | 73.0000 | ![]() | 606 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1413 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | - | 適用できない | 3A991B2A | 1 | 300 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 2m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | ||||||
![]() | 24LC014H-I/SN | 0.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC014H | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 1kbit | 400 ns | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | CY7C1049CV33-15VXET | - | ![]() | 6776 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 36-bsoj(0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1049 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 36-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | IS61LPS51236A-250B3I | - | ![]() | 1076 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61LPS51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 2.6 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
cat24c02wi-g | - | ![]() | 9027 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT24C02 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||||||
![]() | M25P40-VMP6G | - | ![]() | 2494 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25P40 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 294 | 50 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
![]() | 70V07L25PF8 | - | ![]() | 9641 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 80-lqfp | 70V07L | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 80-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 256kbit | 25 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | 93lc86at-e/sn | 0.6450 | ![]() | 8289 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93LC86 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 3 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | マイクロワイヤ | 5ms | ||||
N25Q064A13E12D1E | - | ![]() | 2973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,122 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||||
![]() | CY7C1440KV25-250BZXIT | 66.4475 | ![]() | 7991 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1440 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | 2.6 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - |
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