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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
SM671PXB-ADSS Silicon Motion, Inc. SM671PXB-ADSS -
RFQ
 ECAD 6383 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-ufs™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA SM671 フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） - 153-BGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 1984-SM671PXB-ADSS 廃止 1 不揮発性 80gbit フラッシュ 10g x 8 UFS2.1 -
AS4C16M16D2-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D2-25bin 4.8100
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA AS4C16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TFBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-2374 ear99 8542.32.0032 209 400 MHz 揮発性 256mbit 400 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS61NLP102418-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-200B3LI-TR -
RFQ
 ECAD 2426 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61NLP102418 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200 MHz 揮発性 18mbit 3.1 ns sram 1m x 18 平行 -
M29F400FT55M3E2 Micron Technology Inc. M29F400FT55M3E2 -
RFQ
 ECAD 2597 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -M29F400FT55M3E2 ear99 8542.32.0071 40 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
CY7C1069DV33-10BVXIT Infineon Technologies Cy7C1069DV33-10BVXIT -
RFQ
 ECAD 6321 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy7C1069 sram-非同期 3V〜3.6V 48-VFBGA （8x9.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 16mbit 10 ns sram 2m x 8 平行 10ns
S29GL064N90TFI020 Cypress Semiconductor Corp S29GL064N90TFI020 11.3500
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 ECAD 9 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp gl-n トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 2832-S29GL064N90TFI020 45 不揮発性 64mbit 90 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 90ns 検証
CAT28C256LI15 onsemi CAT28C256LI15 -
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 ECAD 8976 0.00000000 onsemi - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 28-dip （0.600 "、15.24mm） CAT28C256 Eeprom 4.5v〜5.5V 28-pdip ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 13 不揮発性 256kbit 150 ns Eeprom 32k x 8 平行 5ms
PC28F640J3F75B Alliance Memory, Inc. PC28F640J3F75B 5.1900
RFQ
 ECAD 9239 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-PC28F640J3F75BTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 64mbit 75 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 CFI 75ns
IS25LX256-JHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX256-JHLA3 4.5578
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 ECAD 7912 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga IS25LX256 フラッシュ 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LX256-JHLA3 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 SPI -OCTAL I/O -
71V416VS10BEI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416VS10BEI -
RFQ
 ECAD 1920 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA 71V416V sram-非同期 3V〜3.6V 48-cabga （9x9） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
CY7C1265V18-450BZC Infineon Technologies Cy7C1265V18-450bzc -
RFQ
 ECAD 7411 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1265 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない -cy7c1265v18 3A991B2A 8542.32.0041 105 450 MHz 揮発性 36mbit sram 1m x 36 平行 -
S25FS064SAGMFV010M Cypress Semiconductor Corp S25FS064SAGMFV010M -
RFQ
 ECAD 2466 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FS-S バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） S25FS064 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-SOIC ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B1A 8542.32.0071 1 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi -
AT24C256C-SSHL-T Microchip Technology AT24C256C-SSHL-T 0.8400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT24C256C Eeprom 1.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 4,000 1 MHz 不揮発性 256kbit 550 ns Eeprom 32k x 8 i²c 5ms
NP8P128AE3BSM60E Micron Technology Inc. NP8P128AE3BSM60E -
RFQ
 ECAD 8814 0.00000000 Micron Technology Inc. OMN EO™ トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NP8P128A PCM （プラム） 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 128mbit 135 ns PCM （プラム） 16m x 8 平行、 spi 135ns
SST39SF040-70-4C-WHE-T Microchip Technology SST39SF040-70-4C-WHE-T 2.0250
RFQ
 ECAD 7815 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST39 MPF™ テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-TFSOP （0.488 "、幅 12.40mm） SST39SF040 フラッシュ 4.5v〜5.5V 32-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 4mbit 70 ns フラッシュ 512k x 8 平行 20µs
W25Q16DWNB04 Winbond Electronics W25Q16DWNB04 -
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 ECAD 7725 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 - - - W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16DWNB04 廃止 1 104 MHz 不揮発性 16mbit 7 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 40µs、3ms
CY7C1041CV33-12BAI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1041CV33-12BAI 5.0400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けた 2156-CY7C1041CV33-12BAI-428 1
S25FL129P0XBHIZ03 Infineon Technologies S25FL129P0XBHIZ03 -
RFQ
 ECAD 7726 0.00000000 Infineon Technologies fl-p テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga S25FL129 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 5µs、3ms
IS42S32800D-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7TL-TR -
RFQ
 ECAD 7773 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 -
CY7C1061AV33-12ZXCT Infineon Technologies Cy7C1061AV33-12ZXCT -
RFQ
 ECAD 2040 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy7C1061 sram-非同期 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 16mbit 12 ns sram 1m x 16 平行 12ns
FM24C17ULVM8X Fairchild Semiconductor FM24C17ULVM8X -
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 ECAD 3499 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FM24C17 Eeprom 2.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.32.0071 1 100 kHz 不揮発性 16kbit 3.5 µs Eeprom 2k x 8 i²c 15ms
71V65803S150BQG Renesas Electronics America Inc 71V65803S150BQG 26.1188
RFQ
 ECAD 8294 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA 71v65803 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 165-CABGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 150 MHz 揮発性 9mbit 3.8 ns sram 512K x 18 平行 -
S29GL128S11TFV010 Infineon Technologies S29GL128S11TFV010 -
RFQ
 ECAD 5756 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、GL-S トレイ sicで中止されました -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 91 不揮発性 128mbit 110 ns フラッシュ 8m x 16 平行 60ns
R1LV0408DSA-5SI#B0 Renesas Electronics America Inc R1LV0408DSA-5SI ＃B0 -
RFQ
 ECAD 8694 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅） R1LV0408D sram 2.7V〜3.6V 32 STSOP - 適用できない 3 （168 時間） 影響を受けていない 1 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
DS28E81+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS28E81+ -
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 ECAD 8363 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - チューブ アクティブ - - DS28E81 - - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 90-28810+000 0000.00.0000 10
M3004316045NX0ITBY Renesas Electronics America Inc M3004316045NX0ITBY 11.4980
RFQ
 ECAD 3026 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） ミスター（磁気抵抗ラム） 2.7V〜3.6V 54-tsop - ROHS3準拠 800-M3004316045NX0ITBY 96 不揮発性 4mbit 45 ns ラム 256k x 16 平行 45ns
W25Q64FWSSAG Winbond Electronics w25q64fwssag -
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 ECAD 2331 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q64 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64FWSSAG 廃止 1 104 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 60μs5ms
FM28V020-SGTR Cypress Semiconductor Corp FM28V020-SGTR 11.9900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp f-ram™ バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） FM28V020 フラム（強誘電性ラム） 2V〜3.6V 28-SOIC ダウンロード 1 不揮発性 256kbit 140 ns フラム 32k x 8 平行 140ns 確認されていません
627554400A Infineon Technologies 627554400A -
RFQ
 ECAD 8113 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 - 未定義のベンダー 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
S29GL01GT10DHI020 Infineon Technologies S29GL01GT10DHI020 16.3300
RFQ
 ECAD 232 0.00000000 Infineon Technologies gl-t トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 260 不揮発性 1gbit 100 ns フラッシュ 128m x 8 平行 60ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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