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メモリ（69470）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CG8273AA | - |  | 6791 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | Cy7C1420JV18-300BZC | - | | 2924 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1420 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA （15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | ||||
| W634GU8QB09I | 6.6186 | | 5948 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-VFBGA | W634GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W634GU8QB09I | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 1.06 GHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | 28C64A-25B/UC | 17.3400 | | 419 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | 廃止 | - | 28C64A | Eeprom | 4.5v〜5.5V | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 不揮発性 | 64kbit | 250 ns | Eeprom | 8k x 8 | 平行 | 1ms | |||||||
 | MT29F4G08ABBDAH4：d | 4.0428 | | 2512 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | |||||
 | IS42S32160B-75EBLI | - | | 9013 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-WBGA （11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 144 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | |||
| 652504-B21-C | 37.5000 | | 9591 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-652504-B21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 70914S20PF8 | - | | 6101 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 80-lqfp | 70914S | sram- デュアルポート、同期 | 4.5v〜5.5V | 80-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 36kbit | 20 ns | sram | 4k x 9 | 平行 | - | ||||
| M58LT128KST8ZA6E | - | | 2815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | ||||
| 7130SA12PDG | - | | 9740 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | 0°C〜70°C（Ta） | 穴を通して | 48-dip（0.600 "、15.24mm） | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 48-pdip | - | 800-7130SA12PDG | 1 | 揮発性 | 8kbit | 12 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 12ns | |||||||||
 | W74M25JVSFIQ TR | 3.4754 | | 8941 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | W74M25 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W74M25JVSFIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
 | 71342LA20JG8 | 27.6552 | | 3102 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 52-lcc | 71342la | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc （19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 400 | 揮発性 | 32kbit | 20 ns | sram | 4k x 8 | 平行 | 20ns | ||||
| 71342SA45J | - | | 5957 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 52-lcc | 71342SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc （19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 24 | 揮発性 | 32kbit | 45 ns | sram | 4k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
 | Cy2149-35pc | 5.6700 | | 175 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 穴を通して | 18-dip（0.300 "、7.62mm） | Cy2149 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 18-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4kbit | 35 ns | sram | 1k x 4 | 平行 | 35ns | ||||
| PCA24S08AD112 | - | | 6572 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | ||||||||||||||||||
 | IS66WVO32M8DALL-200BLI | 6.9500 | | 47 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | IS66WVO32M8 | psram（pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS66WVO32M8DALL-200BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | psram | 32m x 8 | SPI -OCTAL I/O | 40ns | |||
 | CY15B108QN-20LPXI | 31.5350 | | 9444 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Excelon™-LP 、F-Ram™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-UQFN | Cy15B108 | フラム（強誘電性ラム） | 1.8V〜3.6V | 8-gqfn （3.23x3.28） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 20 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラム | 1m x 8 | spi | - | ||||
| INT70P1783 | - | | 2407 | 0.00000000 | IBM | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 1 | ||||||||||||||||||||
 | 71V321S25PF | - | | 5777 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 64-LQFP | 71V321S | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 64-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 揮発性 | 16kbit | 25 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
| MT29F1T08EBLCEJ4-ES：c | - | | 6774 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F1T08EBLCEJ4-ES：c | 1 | ||||||||||||||||||||||
| Cy7C1019DV33-10BVXI | 2.5200 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy7C1019 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 48-VFBGA （6x8） | ダウンロード | 120 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 10ns | 確認されていません | ||||||||
| 5962-8700205UA | 227.7712 | | 7258 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | -55°C〜125°C | 表面マウント | 48-lcc | 5962-8700205 | sram- デュアルポート、同期 | 4.5v〜5.5V | 48-lcc（ 14.22x14.22） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 800-5962-8700205UA | 34 | 揮発性 | 16kbit | 45 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 45ns | |||||
| MT29F1G16ABBDAHC：D Tr | - | | 8439 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | ||||||
 | MT58L64L18CT-10 | 7.0500 | | 22 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
| MT29F2G08ABAEAH4-IT：e | - | | 1690 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||||
 | 24AA014HT-I/ST | 0.4050 | | 8612 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | 24AA014 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 不揮発性 | 1kbit | 900 ns | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | |||
| SM671PBB-ADST | - | | 6912 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM671PBB-ADST | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||
 | AS6C1608B-45TIN | 11.6114 | | 8327 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | AS6C1608 | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1450-AS6C1608B-45TIN | ear99 | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 16mbit | 45 ns | sram | 2m x 8 | 平行 | 45ns | |||
 | MT29F512G08EBHAFJ4-3T：TR | - | | 7205 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT29F512G08EBHAFJ4-3T：ATR | 廃止 | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
| BR24H16F-5ACE2 | 0.7300 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8ソップ | ダウンロード | 1 （無制限） | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 3.5ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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