画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EDB8132B4PB-8D-FR TR | - | ![]() | 3916 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 168-wfbga | EDB8132 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 168-FBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||
![]() | MX30LF2G18AC-TI | 5.0100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | マクロニックス | MX30LF | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MX30LF2 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 2Gbit | 20 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | MK22FN1M0VLL12557 | - | ![]() | 4610 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | S29CD016J1JDGH017 | - | ![]() | 9976 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CD-J | トレイ | 廃止 | -40°C〜145°C(ta) | 表面マウント | 死ぬ | S29CD016 | フラッシュ - | 1.65V〜2.75V | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 49 | 40 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 54 ns | フラッシュ | 512K x 32 | 平行 | 60ns | |||
![]() | S29AL016J70FFN020 | - | ![]() | 2064 | 0.00000000 | Infineon Technologies | al-j | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29AL016 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
S70GL02GP11FFIR20 | - | ![]() | 7136 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S70GL02 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 64-FBGA (11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | -S70GL02GP11FFIR20 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 不揮発性 | 2Gbit | 110 ns | フラッシュ | 256m x 8、128m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | C-3200D4SR8RN/8G | 142.5000 | ![]() | 2282 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-C-3200D4SR8RN/8G | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 501536-001-C | 62.5000 | ![]() | 2601 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-501536-001-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | w25x16vssig | - | ![]() | 3638 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25x16 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 75 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 3ms | ||||
![]() | 24LC014-I/SN | 0.3600 | ![]() | 1048 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC014 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 1kbit | 900 ns | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | |||
70V3589S133BFI | 197.0600 | ![]() | 8071 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 208-LFBGA | 70V3589 | sram- デュアルポート、同期 | 3.15V〜3.45V | 208-CABGA (15x15 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 133 MHz | 揮発性 | 2mbit | 4.2 ns | sram | 64k x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | GS840Z18CGT-250I | 10.4100 | ![]() | 144 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 100-lqfp | GS840Z | sram- zbt | 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V | 100-TQFP (20x14 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS840Z18CGT-250I | ear99 | 8542.32.0041 | 72 | 250 MHz | 揮発性 | 4mbit | sram | 256k x 18 | 平行 | - | |||
24FC512T-E/OT | 2.0250 | ![]() | 6 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | SC-74A 、SOT-753 | 24FC512 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | SOT-23-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 512kbit | 900 ns | Eeprom | 64k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | Cy7C1011CV33-15AXI | 2.1100 | ![]() | 472 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-LQFP | Cy7C1011 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TQFP (10x10) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 2mbit | 15 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | AT49F002-70VI | - | ![]() | 5110 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.488 "、幅 12.40mm) | AT49F002 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-VSOP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | AT49F00270VI | ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 不揮発性 | 2mbit | 70 ns | フラッシュ | 256k x 8 | 平行 | 50µs | |||
![]() | AT27C020-90TI | - | ![]() | 6451 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT27C020 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | AT27C02090TI | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 156 | 不揮発性 | 2mbit | 90 ns | eprom | 256k x 8 | 平行 | - | |||
![]() | 11AA02E64T-I/TT | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | TO-236-3 | 11AA02 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 100 kHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | 単一ワイヤ | 5ms | ||||
![]() | cy62256ll-70zrxi | 1.1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | Cy62256 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0041 | 259 | 揮発性 | 256kbit | 70 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 70ns | 確認されていません | |||||
![]() | 4x70p98203-c | 130.0000 | ![]() | 7108 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-4x70p98203-c | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | w971gg6nb-25 tr | 3.8000 | ![]() | 22 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | W971GG6 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TFBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | SSTL_18 | 15ns | |||
![]() | AT49F512-70JI | - | ![]() | 7388 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-lcc | AT49F512 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 不揮発性 | 512kbit | 70 ns | フラッシュ | 64k x 8 | 平行 | 50µs | ||||
![]() | 71V016SA20YGI | 2.4900 | ![]() | 365 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | 71V016 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1mbit | 20 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 20ns | |||||||
![]() | AT28HC256-12FM/883 | 263.8347 | ![]() | 5926 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 28-cflatpack | AT28HC256 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 28 フラットパック、セラミックボトムブレーズ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0051 | 15 | 不揮発性 | 256kbit | 120 ns | Eeprom | 32k x 8 | 平行 | 10ms | ||||
![]() | S25FL128SDPBHBC00 | - | ![]() | 6881 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S25FL128SDPBHBC00 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | AM27S21A/B2A | 18.0600 | ![]() | 584 | 0.00000000 | 高度なマイクロデバイス | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 20-CLCC | AM27S21A | - | 4.5v〜5.5V | 20-CLCC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1kbit | 40 ns | プロム | 256 x 4 | 平行 | - | ||||
![]() | JS28F640J3F75G | - | ![]() | 2999 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | JS28F640J3 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | -JS28F640J3F75G | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 64mbit | 75 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 75ns | |||
![]() | Cy62157EV30LL-45BVIT | 8.9600 | ![]() | 8857 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy62157 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 8mbit | 45 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | LE25FU206AMB-TLM-H-SA | 0.3400 | ![]() | 48 | 0.00000000 | sanyo | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||
![]() | BR25A256F-3MGE2 | 1.8600 | ![]() | 6715 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.173 "、幅4.40mm) | BR25A256 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 10 MHz | 不揮発性 | 256kbit | Eeprom | 32k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | ndl26pfi-9met tr | 6.6986 | ![]() | 4501 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-VFBGA | NDL26 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1982-NDL26PFI-9METTR | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns |
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