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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS46TR81280BL-125JBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81280BL-125JBLA2 -
RFQ
 ECAD 2694 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA IS46TR81280 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （8x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR81280BL-125JBLA2 ear99 8542.32.0032 136 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT52L512M32D2PF-093 WT:B Micron Technology Inc. MT52L512M32D2PF-093 WT：b -
RFQ
 ECAD 9388 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 178-VFBGA MT52L512 SDRAM- lpddr3 1.2V 178-FBGA （11.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,890 1067 MHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
S29AL016J70BAI010 Infineon Technologies S29AL016J70BAI010 2.0992
RFQ
 ECAD 7583 0.00000000 Infineon Technologies al-j トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA S29AL016 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-FBGA （8.15x6.15） - ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 676 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
BR24S32FVT-WE2 Rohm Semiconductor BR24S32FVT-WE2 0.5502
RFQ
 ECAD 8829 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） BR24S32 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-TSSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 32kbit Eeprom 4k x 8 i²c 5ms
CY27C256A-70WC Cypress Semiconductor Corp Cy27C256A-70WC 2.6400
RFQ
 ECAD 3499 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 28-CDIP （0.600 "、15.24mm ）ウィンドウ Cy27C256 EPROM -UV 4.5v〜5.5V 28-cerdip ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.32.0061 1 不揮発性 256kbit 70 ns eprom 32k x 8 平行 -
S29GL256P10FAI022 Infineon Technologies S29GL256P10FAI022 9.1700
RFQ
 ECAD 4187 0.00000000 Infineon Technologies GL-P テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 400 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 32m x 8 平行 100ns
N25Q128A23BSF40E Micron Technology Inc. N25Q128A23BSF40E -
RFQ
 ECAD 4742 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q128A23 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 240 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
71V424L12PHGI8 Renesas Electronics America Inc 71V424L12PHGI8 8.4001
RFQ
 ECAD 2458 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） 71V424 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 揮発性 4mbit 12 ns sram 512k x 8 平行 12ns
AS4C16M32MD1-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MD1-5bin 5.7164
RFQ
 ECAD 3580 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 90-VFBGA AS4C16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1121 ear99 8542.32.0028 160 200 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
IS25LX256-JHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX256-JHLA3-TR 4.3200
RFQ
 ECAD 2460 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga IS25LX256 フラッシュ 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LX256-JHLA3-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 SPI -OCTAL I/O -
CT51264BF160B-C ProLabs CT51264BF160B-C 19.7500
RFQ
 ECAD 9443 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-CT51264BF160B-C ear99 8473.30.5100 1
W25M02GVTBIR Winbond Electronics W25M02GVTBIR -
RFQ
 ECAD 4974 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25M02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GVTBIR 廃止 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
MT29F1T08EELEEJ4-QJ:E Micron Technology Inc. MT29F1T08EELEEJ4-QJ：e 26.4750
RFQ
 ECAD 2373 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F1T08EELEEJ4-QJ：e 1
GVT71256D36T-5 Galvantech GVT71256D36T-5 4.4500
RFQ
 ECAD 9444 0.00000000 Galvantech - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp GVT71256D sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 揮発性 9mbit 3 ns sram 256k x 36 平行 -
M25P16-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25P16-VMN6TP TR -
RFQ
 ECAD 5326 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25P16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
NM24C02M8 onsemi NM24C02M8 -
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 onsemi - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） NM24C02 Eeprom 4.5v〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 95 100 kHz 不揮発性 2kbit 3.5 µs Eeprom 256 x 8 i²c 10ms
UPD44164182BF5-E33Y-EQ3-A Renesas Electronics America Inc UPD44164182BF5-E33Y-EQ3-A 37.1700
RFQ
 ECAD 654 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1
MX75U25690FXDR02 Macronix MX75U25690FXDR02 -
RFQ
 ECAD 5236 0.00000000 マクロニックス MXSMIO™ トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MX75U25690 フラッシュ - 1.65V〜2V 24-cspbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1092-1267 3A991B1A 8542.32.0071 480 120 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi -
IS42R32800J-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42R32800J-7Tli -
RFQ
 ECAD 1889 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ IS42R32800 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 240
S34MS01G100BHB003 Cypress Semiconductor Corp S34MS01G100BHB003 -
RFQ
 ECAD 8038 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-1 テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA S34MS01 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-BGA （11x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 不揮発性 1gbit 45 ns フラッシュ 128m x 8 平行 45ns
IS25LP032D-JBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JBLA3 1.7900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） IS25LP032 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LP032D-JBLA3 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 800µs
GD25LQ32DWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32DWIGR 0.8494
RFQ
 ECAD 7584 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD25LQ32 フラッシュ - 1.65V〜2V 8-wson ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 2.4ms
MT29F1T08EBLCHD4-M:C Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCHD4-M：c 20.9850
RFQ
 ECAD 1058 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F1T08EBLCHD4-M：c 1
CY7C027V-25ACKJ Cypress Semiconductor Corp Cy7C027V-25ACKJ 33.7300
RFQ
 ECAD 186 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C027 sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 512kbit 25 ns sram 32k x 16 平行 25ns
DS1265AB-70IND Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1265AB-70IND -
RFQ
 ECAD 6122 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 36-dip モジュール（0.610 "、15.49mm） DS1265AB nvsram （不揮発性 sram） 4.75v〜5.25V 36-EDIP ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 9 不揮発性 8mbit 70 ns nvsram 1m x 8 平行 70ns
MT41K64M16TW-107 XIT:J TR Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107 XIT：J TR 4.0457
RFQ
 ECAD 8956 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K64M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
CY62146CV30LL-55BAI Cypress Semiconductor Corp Cy62146CV30LL-55BAI 2.3000
RFQ
 ECAD 216 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MOBL2™ バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA Cy62146 sram-非同期 2.7V〜3.3V 48-FBGA （7x8.5） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 55 ns sram 256k x 16 平行 55ns
IS42SM32400G-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32400G-75BLI -
RFQ
 ECAD 1200 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42SM32400 sdram-モバイル 2.7V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 133 MHz 揮発性 128mbit 6 ns ドラム 4m x 32 平行 -
S25FS064SAGMFI010 Infineon Technologies S25FS064SAGMFI010 2.9600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies FS-S トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） S25FS064 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 280 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi -
CYK512K16SCAU-70BAXI Infineon Technologies CYK512K16SCAU-70BAXI -
RFQ
 ECAD 2030 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA CYK512K16 psram（pseudo sram 2.7V〜3.3V 48-FBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 8mbit 70 ns psram 512K x 16 平行 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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