画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Cy7C195-15VC | 6.2300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 24-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | Cy7C195 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 24-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 256kbit | 15 ns | sram | 64k x 4 | 平行 | 15ns | ||||
CAT64LC40YI-GT3 | - | ![]() | 7392 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | CAT64LC40 | Eeprom | 2.5V〜6V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 256 x 16 | spi | 5ms | |||||||
![]() | IS49NLS96400A-25EWBLI | 54.4856 | ![]() | 1626 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49NLS96400A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 15 ns | ドラム | 64m x 9 | HSTL | - | |||||
![]() | FM24C64fln | 0.5300 | ![]() | 8822 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | FM24C64 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8ディップ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | 不揮発性 | 64kbit | 900 ns | Eeprom | 8k x 8 | i²c | 6ms | |||
![]() | w25q64jwxgiq tr | 0.8975 | ![]() | 4002 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-xson (4x4) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64JWXGIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
CAT24AA16WI-GT3 | - | ![]() | 9179 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT24 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 400 ns | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | NM24C03FLZEM8 | 0.8100 | ![]() | 3777 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | NM24C03 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 15ms | |||
24LC16B/p | 0.4700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | 24LC16B | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 60 | 400 kHz | 不揮発性 | 16kbit | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | IS46TR16128CL-125KBLA1-TR | 5.9302 | ![]() | 5807 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | MT40A256M16GE-062E:b | - | ![]() | 1604 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA (9x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
MT40A2G8NRE-083E:B TR | - | ![]() | 1252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (8x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 2g x 8 | 平行 | - | |||||
FM25C040ULMT8 | 0.4600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | FM25C040 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | spi | 15ms | |||||
![]() | W25Q16DWNB04 | - | ![]() | 7725 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | - | - | - | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | - | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16DWNB04 | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 40µs、3ms | ||||
![]() | W9825G2JB-6 TR | - | ![]() | 3159 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-TFBGA | W9825G2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||
S70GL02GT12FHIV20 | 25.7425 | ![]() | 4783 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S70GL02 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA (11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 900 | 不揮発性 | 2Gbit | 120 ns | フラッシュ | 256m x 8、128m x 16 | 平行 | - | |||||
![]() | AM27S35PC | 7.9200 | ![]() | 43 | 0.00000000 | 高度なマイクロデバイス | - | バルク | アクティブ | 0°C〜75°C(Ta) | 穴を通して | 24-dip (0.300 "、7.62mm) | AM27S35 | プロム | 4.75v〜5.25V | 24-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 8kbit | 40 ns | プロム | 1k x 8 | 平行 | - | ||||
AS4C128M16D3L-12BAN | 6.6800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Alliance Memory | aec-q100 | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | AS4C128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-BGA(13x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1306 | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | SST39LF200A-45-4C-EKE-T | - | ![]() | 6384 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST39 MPF™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | SST39LF200A | フラッシュ | 3V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2mbit | 45 ns | フラッシュ | 128k x 16 | 平行 | 20µs | ||||
![]() | IS62C1024-70Q | 1.5000 | ![]() | 45 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32ソップ | - | 3277-IS62C1024-70Q | ear99 | 8542.32.0041 | 100 | 揮発性 | 1mbit | sram | 128k x 8 | 平行 | 70ns | 確認されていません | ||||||||
S-93C56BD0I-T8T1G | 0.2609 | ![]() | 6802 | 0.00000000 | Ablic Inc. | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 93C56B | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 2 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 128 x 16 | マイクロワイヤ | 8ms | ||||||
![]() | IDT71V67802S166PF8 | - | ![]() | 3664 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71v67802 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71v67802S166pf8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | ||
![]() | Cy7C2563Kv18-450bzc | - | ![]() | 6684 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C2563 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | 24FC02T-E/MUY | 0.2700 | ![]() | 937 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | 24FC02 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-udfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 2kbit | 450 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | AT25SL321-SHE-T | 0.8600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | AT25SL321 | フラッシュ | 1.7V〜2V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 150µs 、5ms | ||||
![]() | FM25V02-PG | 13.8600 | ![]() | 962 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | DS28DG02G-3C+ | - | ![]() | 8623 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-wfqfn露出パッド | DS28DG02 | Eeprom | 2.2V〜5.25V | 36-TQFN (6x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 2 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | spi | - | ||||
![]() | AS4C64M8D1-5TCN | 3.8975 | ![]() | 2293 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS4C64 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1328 | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
S26KS512SDABHB030 | 15.1725 | ![]() | 7971 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、HyperFlash™KS | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-VBGA | S26KS512 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,690 | 100 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 96 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | - | ||||
24FC256T-I/ST | 1.2000 | ![]() | 2645 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 24FC256 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 256kbit | 400 ns | Eeprom | 32k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | w25q64jvsfim tr | 0.9468 | ![]() | 4046 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms |
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