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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
M10082040054X0PSAY Renesas Electronics America Inc M10082040054X0PSAY 24.2150
RFQ
 ECAD 9482 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） M10082040054 ミスター（磁気抵抗ラム） 1.71V〜2V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 800-M10082040054X0PSAY ear99 8542.32.0071 150 54 MHz 不揮発性 8mbit ラム 2m x 4 - -
W632GG8NB09I TR Winbond Electronics w632gg8nb09i tr 4.7803
RFQ
 ECAD 1956年年 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W632GG8NB09ITR ear99 8542.32.0036 2,000 1.066 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 SSTL_15 15ns
IS25LQ020B-JULE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JULE -
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 ECAD 5860 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-ufdfn露出パッド IS25LQ020 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-USON - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LQ020B-JULETR ear99 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 2mbit 8 ns フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 800µs
70261L12PFI Renesas Electronics America Inc 70261L12PFI -
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 ECAD 8981 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 - 800-70261L12PFI 1 揮発性 256kbit 12 ns sram 16k x 16 平行 12ns
IS62WV6416BLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416BLL-55BLI-TR 1.9026
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 ECAD 6963 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62Wv6416 sram-非同期 2.5V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 2,500 揮発性 1mbit 55 ns sram 64k x 16 平行 55ns
S25FL256SDSBHI210 Infineon Technologies S25FL256SDSBHI210 3.6107
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 ECAD 4446 0.00000000 Infineon Technologies fl-s トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,380 80 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
CAT25160VP2I-GT3-CS Catalyst Semiconductor Inc. CAT25160VP2I-GT3-CS 0.2900
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 ECAD 3 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wfdfn露出パッド CAT25160 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-tdfn （2x3） ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 10 MHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8 spi 5ms
IDT6116LA35SOGI Renesas Electronics America Inc IDT6116LA35SOGI -
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 ECAD 9909 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） IDT6116 sram-非同期 4.5v〜5.5V 24-SOIC ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 6116la35sogi ear99 8542.32.0041 310 揮発性 16kbit 35 ns sram 2k x 8 平行 35ns
M25P32-VMP6G Micron Technology Inc. M25P32-VMP6G -
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 ECAD 1631 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25p3​​ 2 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VFQFPN （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 75 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi 15ms、5ms
CY7C1356S-166BGC Infineon Technologies Cy7C1356S-166BGC -
RFQ
 ECAD 5058 0.00000000 Infineon Technologies - バッグ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA Cy7C1356 sram- sdr 3.135V〜3.6V 119-PBGA - ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 9mbit 3.5 ns sram 512K x 18 平行 -
W25Q21EWXHSE Winbond Electronics w25q21ewxhse -
RFQ
 ECAD 4052 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド W25Q21 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-xson （2x3） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q21EWXHSE 1 104 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o -
W25M02GWTCIG TR Winbond Electronics W25M02GWTCIG TR -
RFQ
 ECAD 5751 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25M02 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GWTCIGTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 2Gbit 8 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
CY7C1059H30-10ZSXI Infineon Technologies Cy7C1059H30-10ZSXI 13.8503
RFQ
 ECAD 6999 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 2.2V〜3.6V 44-TSOP II - ROHS3準拠 135 揮発性 8mbit 10 ns sram 1m x 8 平行 10ns
MX25L12845GMI-08G Macronix MX25L12845GMI-08G 1.9305
RFQ
 ECAD 4356 0.00000000 マクロニックス MX25XXX45 -MXSMIO™ チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MX25L12845 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 44 120 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 30µs 、750µs
CG7382AM Cypress Semiconductor Corp CG7382am -
RFQ
 ECAD 9667 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー 1
IS43DR16128C-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-3DBL 9.5500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1567 ear99 8542.32.0036 209 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
GD55LT01GEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEF2RR 17.1434
RFQ
 ECAD 6424 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD55LT テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 16ソップ - 1970-GD55LT01GEF2RRTR 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o -
CY7C10212CV33-12BAXE Infineon Technologies CY7C10212CV33-12BAXE -
RFQ
 ECAD 4655 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ sicで中止されました -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA Cy7C10212 sram-非同期 3V〜3.6V 48-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 4,160 揮発性 1mbit 12 ns sram 64k x 16 平行 12ns
CY7C1426UV18-300BZC Infineon Technologies Cy7C1426UV18-300BZC -
RFQ
 ECAD 4603 0.00000000 Infineon Technologies - バッグ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1426 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA - ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -cy7c1426uv18 3A991B2A 8542.32.0041 1 300 MHz 揮発性 36mbit sram 4m x 9 平行 -
AT28BV64-30PC Microchip Technology AT28BV64-30PC -
RFQ
 ECAD 7285 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 0°C〜70°C 穴を通して 28-dip （0.600 "、15.24mm） AT28BV64 Eeprom 2.7V〜3.6V 28-pdip ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない at28bv6430pc ear99 8542.32.0051 14 不揮発性 64kbit 300 ns Eeprom 8k x 8 平行 3ms
MT58L256L36DS-6 Micron Technology Inc. MT58L256L36DS-6 8.5300
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT58L256L36 sram-同期 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 8mbit 3.5 ns sram 256k x 36 平行 -
70V25L20PF8 Renesas Electronics America Inc 70V25L20PF8 -
RFQ
 ECAD 1901年 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 70V25L sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 750 揮発性 128kbit 20 ns sram 8k x 16 平行 20ns
AT28C010-20LM/883 Atmel AT28C010-20LM/883 255.8700
RFQ
 ECAD 6793 0.00000000 Atmel - チューブ 廃止 -55°C〜125°C 表面マウント 44-CLCC AT28C010 Eeprom 4.5v〜5.5V 44-clcc （16.55x16.55） ダウンロード ROHS非準拠 3A001A2C 8542.32.0051 29 不揮発性 1mbit 200 ns Eeprom 128k x 8 平行 10ms
CY7C027-12AC Cypress Semiconductor Corp CY7C027-12AC 41.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けた 2156-CY7C027-12AC-428 1
540746-002-00 Infineon Technologies 540746-002-00 -
RFQ
 ECAD 3008 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
6116LA20SOGI8 Renesas Electronics America Inc 6116LA20SOGI8 5.3440
RFQ
 ECAD 2486 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） 6116la sram-非同期 4.5v〜5.5V 24-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 16kbit 20 ns sram 2k x 8 平行 20ns
IS25LX256-JHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX256-JHLE-TR 3.8959
RFQ
 ECAD 3584 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga IS25LX256 フラッシュ 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LX256-JHLE-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 SPI -OCTAL I/O -
S25FL164K0XMFA011 Infineon Technologies S25FL164K0XMFA011 -
RFQ
 ECAD 9916 0.00000000 Infineon Technologies 自動車、AEC-Q100 、FL1-K チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） S25FL164 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 91 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
647869-B21-C ProLabs 647869-B21-C 22.5000
RFQ
 ECAD 1042 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-647869-B21-C ear99 8473.30.5100 1
IS43TR16512AL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-107MBL -
RFQ
 ECAD 3028 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-lfbga （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR16512AL-107MBL ear99 8542.32.0036 136 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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