画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BR93G56-3A | - | ![]() | 6970 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | BR93G56 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8ディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 3 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 128 x 16 | マイクロワイヤ | 5ms | ||||
![]() | Cy7C1515Sv18-250bzc | - | ![]() | 8914 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1515 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | - | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | 24LC08BT-I/MS16KVAO | - | ![]() | 2936 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 24LC08 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 不揮発性 | 8kbit | 900 ns | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | CY14B512Q1A-SXIT | - | ![]() | 9058 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | Cy14B512 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 2,500 | 40 MHz | 不揮発性 | 512kbit | nvsram | 64k x 8 | spi | - | ||||
![]() | AT24C32D-MAHM-T | 0.4400 | ![]() | 7602 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | AT24C32 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-mini | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 32kbit | 550 ns | Eeprom | 4k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | 70v9199l7pfi | - | ![]() | 4760 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 70V9199 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | - | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 90 | 揮発性 | 1.125mbit | 7 ns | sram | 128k x 9 | 平行 | - | |||||
![]() | M95512-RCS6TP/K | - | ![]() | 4793 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufbga wlcsp | M95512 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-wlcsp | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 16 MHz | 不揮発性 | 512kbit | Eeprom | 64k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | 71321LA55PFI8 | - | ![]() | 5718 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-LQFP | 71321LA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 64-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 16kbit | 55 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 55ns | |||||
![]() | 93LC86C-I/S15K | - | ![]() | 5580 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 死ぬ | 93LC86 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 3 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8、1k x 16 | マイクロワイヤ | 5ms | ||||
![]() | FT24C08A-ULR-T | - | ![]() | 2872 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C | 表面マウント | SC-74A 、SOT-753 | FT24C08 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | SOT-23-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 8kbit | 550 ns | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | N25Q016A11ESC40F TR | - | ![]() | 4655 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | N25Q016A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 4m x 4 | spi | 8ms、1ms | ||||
7143la20jg | 34.6525 | ![]() | 4677 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | 7143la | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC(24.21x24.21 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 18 | 揮発性 | 32kbit | 20 ns | sram | 2k x 16 | 平行 | 20ns | |||||
![]() | mt47h64m16nf-25e xit:m | - | ![]() | 7640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA (8x12.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,368 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | S99-50249 p | - | ![]() | 3654 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | ||||||||||||||||||
![]() | IS25WP128-JLLE-TR | 1.9402 | ![]() | 9184 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25WP128 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||||
![]() | 6116SA20TPG | - | ![]() | 7604 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 24-dip (0.300 "、7.62mm) | 6116SA | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 24-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 15 | 揮発性 | 16kbit | 20 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | DS1270Y-70IND# | 237.9756 | ![]() | 2604 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 36-dip モジュール(0.610 "、15.49mm) | DS1270Y | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 36-EDIP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | nvsram | 2m x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | Cy7C1020CV33-10ZCT | - | ![]() | 7802 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1020 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 512kbit | 10 ns | sram | 32k x 16 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | Cy10E484-5kcq | 69.9900 | ![]() | 311 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜75°C(Ta) | 表面マウント | 28-cflatpack | Cy10E484 | sram-非同期 | 4.94V〜5.46V | 28-cflatpack | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 16kbit | 5 ns | sram | 4k x 4 | 平行 | 5ns | ||||
IS61WV25616BLS-25TLI | 4.4433 | ![]() | 3313 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS61WV25616 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 4mbit | 25 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 25ns | |||||
70V631S10BC | 244.5046 | ![]() | 1576 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 256-lbga | 70V631 | sram- デュアルポート、非同期 | 3.15V〜3.45V | 256-CABGA (17x17) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 4.5mbit | 10 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | 10ns | |||||
![]() | R1LV0216BSB-7SI #B0 | - | ![]() | 9252 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | R1LV0216 | sram | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 2mbit | 70 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 70ns | 確認されていません | |||
![]() | 70V06S25PFI | - | ![]() | 8966 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-LQFP | 70V06S | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 64-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 揮発性 | 128kbit | 25 ns | sram | 16k x 8 | 平行 | 25ns | |||||
![]() | 25LC080DT-I/MS | 0.7500 | ![]() | 4223 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 25LC080 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 10 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | w25q64jvsfiq tr | 1.2800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
W29N08GVSIAA TR | 12.4950 | ![]() | 7256 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 256-W29N08GVSIAATR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 8gbit | 20 ns | フラッシュ | 1g x 8 | onfi | 25ns 、700µs | ||||||
![]() | IS42S16800E-75ETL-TR | - | ![]() | 2652 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | SMJ68CE16L-25JDM | 64.2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | テキサスの楽器 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | AT25HP256-10PI-2.7 | 5.2000 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Atmel | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | AT25HP256 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 10 MHz | 不揮発性 | 256kbit | Eeprom | 32k x 8 | spi | 10ms | ||||||
![]() | IS61NLP12836B-200TQI-TR | - | ![]() | 4240 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLP12836 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.1 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - |
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