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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W25M512JWFIQ TR Winbond Electronics w25m512jwfiq tr 5.6700
RFQ
 ECAD 4522 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25M512 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M512JWFIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 512mbit 7 ns フラッシュ 64m x 8 spi 5ms
MT47H64M16NF-187E:M Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-187E：m -
RFQ
 ECAD 9635 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,368 533 MHz 揮発性 1gbit 350 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
CY7C1313TV18-167BZC Infineon Technologies Cy7C1313TV18-167BZC -
RFQ
 ECAD 2103 0.00000000 Infineon Technologies - バッグ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1313 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA - ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 揮発性 18mbit sram 1m x 18 平行 -
W25Q128JVSJM Winbond Electronics w25q128jvsjm -
RFQ
 ECAD 6342 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
MT47H64M16HR-25E XIT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E XIT：H TR -
RFQ
 ECAD 2001年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
M58LT128KST8ZA6F TR Micron Technology Inc. M58LT128KST8ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 9711 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M58LT128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 52 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
AT49F4096A-12TI Microchip Technology AT49F4096A-12TI -
RFQ
 ECAD 3987 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） AT49F4096 フラッシュ 4.5v〜5.5V 48-tsop - ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない AT49F4096A12TI ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 4mbit 120 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 50µs
GD25WD40EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40EKIGR 0.3676
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25WD テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65v〜3.6V 8-USON（1.5x1.5 ダウンロード 1970-GD25WD40EKIGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 4mbit 6 ns フラッシュ 512k x 8 spi-デュアルi/o 100μs6ms
M29W800FT70N3E Micron Technology Inc. M29W800FT70N3E -
RFQ
 ECAD 6588 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
STK22C48-NF45TR Infineon Technologies STK22C48-NF45TR -
RFQ
 ECAD 1608 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） STK22C48 nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 28-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 不揮発性 16kbit 45 ns nvsram 2k x 8 平行 45ns
M29DW323DB70N6E Micron Technology Inc. M29DW323DB70N6E -
RFQ
 ECAD 9018 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29DW323 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -M29DW323DB70N6E 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
IS61LF51236A-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B3I-TR -
RFQ
 ECAD 6667 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61LF51236 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 512K x 36 平行 -
X5645S14I-2.7 Xicor-Division of Intersil X5645S14I-2.7 6.4000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 IntersilのXicor-division * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 0000.00.0000 1
DS2502PU-1188+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS2502PU-1188+ -
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-smd、Jリード DS2502 eprom -otp 2.8V〜6V 6-TSOC - 175-DS2502PU-1188+ 廃止 1 不揮発性 1kbit 15 µs eprom 1k x 1 1-Wire® -
M58BW016FB7T3T TR Micron Technology Inc. M58BW016FB7T3T TR -
RFQ
 ECAD 9122 0.00000000 Micron Technology Inc. - カットテープ（CT） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 80-BQFP M58BW016 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 80-PQFP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 500 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 512K x 32 平行 -
W25Q128FVSIG TR Winbond Electronics w25q128fvsig tr -
RFQ
 ECAD 1459 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
AT25DF021A-MAHNHR-T Adesto Technologies AT25DF021A-MAHNHR-T 1.4000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Adesto Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-ufdfn露出パッド AT25DF021 フラッシュ 1.7V〜3.6V 8-udfn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 5,000 85 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 12µs 、5ms
MT46V32M8TG-5B:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8TG-5B：G TR -
RFQ
 ECAD 4544 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208EGHBBG1-3RES：B TR -
RFQ
 ECAD 9922 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 272-VFBGA MT29F1T208 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 272-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 1.125tbit フラッシュ 144g x 8 平行 -
MT29F256G08CECEBJ4-37ITR:E Micron Technology Inc. MT29F256G08CECEBJ4-37ITR：e 22.0500
RFQ
 ECAD 7064 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 8542.32.0071 1,120 267 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
SST39VF3202C-70-4I-B3KE Microchip Technology SST39VF3202C-70-4I-B3KE 2.7900
RFQ
 ECAD 2033 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST39 MPF™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA SST39VF3202 フラッシュ 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない SST39VF3202C704IB3KE 3A991B1A 8542.32.0071 480 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 10µs
MX25L3235EZNI-10G Macronix MX25L3235EZNI-10G 0.8770
RFQ
 ECAD 9164 0.00000000 マクロニックス MX25XXX35/36 -MXSMIO™ トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MX25L3235 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 570 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi 50µs、3ms
MT42L128M64D2MC-18 IT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M64D2MC-18それ：TR -
RFQ
 ECAD 4028 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 240-WFBGA MT42L128M64 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 240-FBGA（14x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 533 MHz 揮発性 8gbit ドラム 128m x 64 平行 -
S29GL512S10TFI023 Infineon Technologies S29GL512S10TFI023 10.8400
RFQ
 ECAD 6234 0.00000000 Infineon Technologies gl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 60ns
R1LV5256ESA-5SI#B1 Renesas Electronics America Inc R1LV5256ESA-5SI ＃B1 2.1400
RFQ
 ECAD 9663 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） R1LV5256 sram 2.7V〜3.6V 28-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -1161-R1LV5256ESA-5SI ＃B1 ear99 8542.32.0041 234 揮発性 256kbit 55 ns sram 32k x 8 平行 55ns
AT93C46C-10PC-2.7 Microchip Technology AT93C46C-10PC-2.7 -
RFQ
 ECAD 1667 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 0°C〜70°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） 93C46C Eeprom 2.7V〜5.5V 8-pdip - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない AT93C46C10PC2.7 ear99 8542.32.0051 50 2 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 64 x 16 3線シリアル 10ms
CAT25C08Y-TE13 Catalyst Semiconductor Inc. CAT25C08Y-TE13 -
RFQ
 ECAD 5287 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） CAT25C08 Eeprom 2.5V〜6V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 2,000 10 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 spi 5ms
S29GL256S11TFI023 Infineon Technologies S29GL256S11TFI023 -
RFQ
 ECAD 6625 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、GL-S テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256mbit 110 ns フラッシュ 16m x 16 平行 60ns
CY15B102Q-SXE Infineon Technologies Cy15b102q-sxe 18.2800
RFQ
 ECAD 9538 0.00000000 Infineon Technologies Automotive、AEC-Q100 f-Ram™ チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） Cy15B102 フラム（強誘電性ラム） 2V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 94 25 MHz 不揮発性 2mbit フラム 256k x 8 spi -
M27V322-100B1 STMicroelectronics M27V322-100B1 -
RFQ
 ECAD 1099 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 42-dip（0.600 "、15.24mm） M27V322 eprom -otp 3V〜3.6V 42-pdip ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0061 9 不揮発性 32mbit 100 ns eprom 2m x 16 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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