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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
S34ML02G200GHI000 SkyHigh Memory Limited S34ML02G200GHI000 -
RFQ
 ECAD 9075 0.00000000 Skyhigh Memory Limited - トレイ sicで中止されました S34ML02 - ROHS準拠 3 （168 時間） 2120-S34ML02G200GHI000 3A991B1A 8542.32.0071 260 確認されていません
25LC080B-I/S15K Microchip Technology 25LC080B-I/S15K -
RFQ
 ECAD 7646 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 死ぬ 25LC080 Eeprom 2.5V〜5.5V 死ぬ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 10 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 spi 5ms
MR25H256AMDFR Everspin Technologies Inc. MR25H256AMDFR 8.5386
RFQ
 ECAD 9234 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド MR25H256 ミスター（磁気抵抗ラム） 2.7V〜3.6V 8-dfn-ep、小さな旗（5x6） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 819-MR25H256AMDFRTR ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 不揮発性 256kbit 9 ns ラム 32k x 8 spi -
S99AS016J0030 Infineon Technologies S99AS016J0030 -
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 ECAD 4835 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 前回購入します - 1
UPD431000AGW-80Y Renesas Electronics America Inc upd431000agw-80y 0.7800
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991 8542.32.0041 1
AT24C128W-10SI-2.7 Microchip Technology AT24C128W-10SI-2.7 -
RFQ
 ECAD 9896 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） AT24C128 Eeprom 2.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない AT24C128W-10SI2.7 ear99 8542.32.0051 94 1 MHz 不揮発性 128kbit 550 ns Eeprom 16k x 8 i²c 10ms
M29W400FT5AZA6F TR Micron Technology Inc. M29W400FT5AZA6F TR -
RFQ
 ECAD 4251 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
7130SA20J8 Renesas Electronics America Inc 7130SA20J8 -
RFQ
 ECAD 9546 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc 7130SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 400 揮発性 8kbit 20 ns sram 1k x 8 平行 20ns
S25FS256SDSMFI000 Cypress Semiconductor Corp S25FS256SDSMFI000 -
RFQ
 ECAD 9886 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FS-S トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FS256 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 1 80 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi - 確認されていません
24LC64T-I/MNY Microchip Technology 24LC64T-I/MNY 0.5700
RFQ
 ECAD 4015 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wfdfn露出パッド 24LC64 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-tdfn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 400 kHz 不揮発性 64kbit 900 ns Eeprom 8k x 8 i²c 5ms
W632GU8NB-15 Winbond Electronics W632GU8NB-15 4.6611
RFQ
 ECAD 3263 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
605313-071-C ProLabs 605313-071-C 62.5000
RFQ
 ECAD 2171 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-605313-071-C ear99 8473.30.5100 1
71V124HSA10PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124HSA10PH -
RFQ
 ECAD 2739 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-SOIC （0.400 "、幅 10.16mm） 71V124 sram-非同期 3.15V〜3.6V 32-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 1mbit 10 ns sram 128k x 8 平行 10ns
IS49NLS18160A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160A-25WBLI 30.5534
RFQ
 ECAD 2942 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49NLS18160A-25WBLI 104 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 HSTL -
NDL16PFJ-8KET TR Insignis Technology Corporation ndl16pfj-8ket tr 5.3800
RFQ
 ECAD 5882 0.00000000 Insignis Technology Corporation - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA NDL16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
24AA02HT-I/ST Microchip Technology 24AA02HT-I/ST 0.3600
RFQ
 ECAD 9460 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 24AA02 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 24AA02HT-I/STTR ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
IS42S16400F-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-7TLI-TR -
RFQ
 ECAD 6617 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 -
70V25L25PF Renesas Electronics America Inc 70V25L25PF -
RFQ
 ECAD 1310 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 70V25L sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 45 揮発性 128kbit 25 ns sram 8k x 16 平行 25ns
MT53D1024M32D4BD-046 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4BD-046 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 9130 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53D1024M32D4BD-046WT：DTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
IDT71V67703S80PF8 Renesas Electronics America Inc IDT71V67703S80PF8 -
RFQ
 ECAD 5079 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp IDT71v67703 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V67703S80PF8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 100 MHz 揮発性 9mbit 8 ns sram 256k x 36 平行 -
IS62WV2568FBLL-45HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568FBLL-45HLI 1.6913
RFQ
 ECAD 8772 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅） sram-非同期 2.2V〜3.6V 32 stsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS62WV2568FBLL-45HLI 234 揮発性 2mbit 45 ns sram 256k x 8 平行 45ns
M95512-RDW6TP STMicroelectronics M95512-RDW6TP 1.0700
RFQ
 ECAD 376 0.00000000 stmicroelectronics - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） M95512 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 4,000 16 MHz 不揮発性 512kbit Eeprom 64k x 8 spi 5ms
A8547957-C ProLabs A8547957-C 81.7500
RFQ
 ECAD 6331 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-A8547957-C ear99 8473.30.5100 1
AS4C512M16D3LC-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LC-10BCN 21.8600
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1450-AS4C512M16D3LC-10BCN 190 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IDT71016S12PH Renesas Electronics America Inc IDT71016S12ph -
RFQ
 ECAD 3029 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IDT71016 sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71016S12ph 3A991B2B 8542.32.0041 26 揮発性 1mbit 12 ns sram 64k x 16 平行 12ns
IDT6116LA35TPGI Renesas Electronics America Inc IDT6116LA35TPGI -
RFQ
 ECAD 5243 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 24-dip （0.300 "、7.62mm） IDT6116 sram-非同期 4.5v〜5.5V 24-pdip ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 6116LA35TPGI ear99 8542.32.0041 15 揮発性 16kbit 35 ns sram 2k x 8 平行 35ns
CY7C199L-20ZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C199L-20ZC 1.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） Cy7C199 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-tsop i ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1 揮発性 256kbit 20 ns sram 32k x 8 平行 20ns
AS7C32098A-10TCN Alliance Memory, Inc. AS7C32098A-10TCN 5.0129
RFQ
 ECAD 1075 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS7C32098 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 2mbit 10 ns sram 128k x 16 平行 10ns
MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U Micron Technology Inc. MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U -
RFQ
 ECAD 5653 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 mt29rz4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
IS25WP128F-RHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-RHLE 2.3339
RFQ
 ECAD 5919 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.65V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25WP128F-RHLE 480 166 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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