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メモリ（69470）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CG8249AA | - |  | 9679 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 234 | ||||||||||||||||||
 | ds28e01p-bos+t | - | | 1506 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 6-smd、Jリード | DS28E01 | Eeprom | 2.85V〜5.25V | 6-TSOC | - | ROHS3準拠 | 175-DS28E01P-BOS+TTR | 廃止 | 4,000 | 不揮発性 | 1kbit | 2 µs | Eeprom | 256 x 4 | 1-Wire® | - | ||||||
 | w25q128fvfiq tr | - | | 2863 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | ||||
 | SST38VF6401-90-5C-B3KE | 6.5800 | | 6079 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST38 | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFBGA | SST38VF6401 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 不揮発性 | 64mbit | 90 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 10µs | ||||
| SM671PXC-ADSS | - | | 6968 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM671PXC-ADSS | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 160gbit | フラッシュ | 20g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||
 | STK14D88-NF45ITR | - | | 2990 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | STK14D88 | nvsram （不揮発性 sram） | 2.7V〜3.6V | 32-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 不揮発性 | 256kbit | 45 ns | nvsram | 32k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
 | UCSV-MR-1X162RY-AC | 62.5000 | | 4551 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-UCSV-MR-1X162RY-AC | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | w631gg6mb11j tr | - | | 4766 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ＆リール（ tr） | 前回購入します | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA （7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W631GG6MB11JTR | 3,000 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||||
 | A2887204-C | 17.5000 | | 4357 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A2887204-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS61NLP51236-200B3li | - | | 5751 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLP51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
| IS25lp01gg-rhle | 13.1000 | | 7587 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25LP01GG-RHLE | 480 | ||||||||||||||||||||
| C-4800D5SR8S/8G | 82.5000 | | 6972 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-C-4800D5SR8S/8G | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 71V67602S150PFG | 24.4321 | | 9950 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | 71v67602 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 150 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.8 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
 | IS42S81600E-7TL-TR | - | | 8381 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S81600 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 8 | 平行 | - | |||
 | w25q32jwsniq | - | | 5989 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | W25Q32 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W25Q32JWSNIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 5ms | ||
| AS7C31026B-15TIN | 4.0100 | | 300 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1450-AS7C31026B-15TIN | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | ||||
| FM25V05-PGC | - | | 3633 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラム（強誘電性ラム） | 2V〜3.6V | 8-SOIC | - | 廃止 | 1 | 40 MHz | 不揮発性 | 512kbit | 9 ns | フラム | 64k x 8 | spi | - | ||||||||
 | at45db041e-sshn-t | 1.3700 | | 2722 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | AT45DB041 | フラッシュ | 1.65v〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 85 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 264バイトx 2048ページ | spi | 8µs、3ms | ||||
 | IDT71V416S15YI | - | | 6089 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） | IDT71V416 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 71V416S15YI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 16 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 15ns | |||
| MT62F1G32D2DS-023 AAT：b | 31.9350 | | 2628 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AAT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | |||||||||
 | Cy7C1170KV18-400BZXC | 38.8100 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1170 | sram- ddr II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 8 | 400 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
 | 70V9389L6PRF8 | - | | 4507 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 128-LQFP | 70V9389 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 128-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1.125mbit | 6.5 ns | sram | 64k x 18 | 平行 | - | ||||
 | MEM-4400-4GU8G-C | 150.0000 | | 1 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-MEM-4400-4GU8G-C | ear99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | S25FS512SDSBHM210 | 15.5700 | | 3844 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、FS-S | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FS512 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-bga （8x6） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 80 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||
 | A2810658-C | 17.5000 | | 8763 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A2810658-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | Cy7C1474v25-167bgc | - | | 6164 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 209-BGA | Cy7C1474 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 209-FBGA | - | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 167 MHz | 揮発性 | 72mbit | 3.4 ns | sram | 1m x 72 | 平行 | - | |||
| 71V65603S100BQGI8 | 28.5570 | | 8329 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-TBGA | 71v65603 | sram- sdr（zbt） | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 100 MHz | 揮発性 | 9mbit | 5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
 | MT35XU256ABA2G12-0AAT TR | - | | 9426 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xu256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | xccelaバス | - | ||||
 | AT28C256-15JU-043 | - | | 8283 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 32-lcc | AT28C256 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC（ 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 750 | 不揮発性 | 256kbit | 150 ns | Eeprom | 32k x 8 | 平行 | 10ms | ||||
 | S29GL032N11TFIV20 | - | | 7056 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-n | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | S29GL032 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 不揮発性 | 32mbit | 110 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 110ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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