画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS25LP040E-JNLE-TR | 0.4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IS25LP040 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 8 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 1.2ms | |||
![]() | DS1265AB-70+ | - | ![]() | 7666 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 36-dip モジュール(0.610 "、15.49mm) | DS1265AB | nvsram (不揮発性 sram) | 4.75v〜5.25V | 36-EDIP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | nvsram | 1m x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | 7025S35GI | - | ![]() | 3400 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 84-bpga | 7025S35 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 84-PGA (27.94x27.94 | - | 800-7025S35GI | 廃止 | 1 | 揮発性 | 128kbit | 35 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 35ns | |||||||
![]() | MT29F4T08EULEEM4-QC:e | 105.9150 | ![]() | 3388 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EULEEM4-QC:e | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | S27KL0643GABHI020 | 4.2525 | ![]() | 7973 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hyperram™kl | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | psram(pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2 | 8542.32.0041 | 3,380 | 200 MHz | 揮発性 | 64mbit | 35 ns | psram | 8m x 8 | SPI -OCTAL I/O | 35ns | ||||||
![]() | 7130SA20PF | - | ![]() | 7959 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 64-LQFP | 7130SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 64-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 揮発性 | 8kbit | 20 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | 70V26L15JI8 | - | ![]() | 5124 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-LCC | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 84-PLCC (29.31x29.31 | - | 800-70V26L15JI8TR | 1 | 揮発性 | 256kbit | 15 ns | sram | 16k x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||
![]() | S80KS2563GABHV023 | 11.1650 | ![]() | 6336 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hyperram™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-VBGA | psram(pseudo sram | 1.7V〜2V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 35 ns | psram | 32m x 8 | SPI -OCTAL I/O | 35ns | ||||||
![]() | Cy27C010-120WI | - | ![]() | 7063 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 28-CDIP (0.600 "、15.24mm )ウィンドウ | Cy27C010 | EPROM -UV | 4.5v〜5.5V | 28-cerdip | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0061 | 1 | 不揮発性 | 1mbit | 120 ns | eprom | 128k x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | mtfc4glwdm-4m aat a tr | 11.0850 | ![]() | 8067 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | mtfc4 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | mtfc4glwdm-4maatatr | 0000.00.0000 | 2,000 | |||||||||||||||||
![]() | MT29F2T08EMLCEJ4-R:C Tr | - | ![]() | 5391 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F2T08 | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-MT29F2T08EMLCEJ4-R:CTR | 廃止 | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | Cy7C144-55JC | - | ![]() | 6106 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | Cy7C144 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC(24.23x24.23 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 64kbit | 55 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 55ns | 確認されていません | |||
70V3589S133BCI8 | 197.0600 | ![]() | 4903 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 256-lbga | 70V3589 | sram- デュアルポート、同期 | 3.15V〜3.45V | 256-CABGA (17x17) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 2mbit | 4.2 ns | sram | 64k x 36 | 平行 | - | ||||
w25x16vzpig t&r | - | ![]() | 2554 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25x16 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 3ms | |||||
![]() | IS42S16400J-6BL-TR | 1.6875 | ![]() | 7569 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | IS49NLS96400-25BL | - | ![]() | 8691 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLS96400 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 64m x 9 | 平行 | - | |||
MX25V1606FM1I03 | 0.4900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MX25V1606 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi-デュアルi/o | 75µs 、4ms | |||||
![]() | MT29F2G080808ABAFAH4-S:F TR | - | ![]() | 5236 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | IS25LE01G-RILE-TR | 11.3848 | ![]() | 2500 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-lbga | フラッシュ - (slc) | 2.3V〜3.6V | 24-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25LE01G-RILE-TR | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 8 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、1ms | ||||||
![]() | 7006L20PFG8 | - | ![]() | 5210 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 64-LQFP | 7006L20 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 64-TQFP(14x14 | - | 800-7006L20PFG8TR | 廃止 | 250 | 揮発性 | 128kbit | 20 ns | sram | 16k x 8 | 平行 | 20ns | |||||||
![]() | W29GL128PH9T | - | ![]() | 7947 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | W29GL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 128mbit | 90 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 90ns | ||||
![]() | N25Q128A21BF840E | - | ![]() | 6945 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25Q128A21 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-VDFPN | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 320 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||||
IDT71256SA12YI8 | - | ![]() | 1181 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | IDT71256 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71256SA12YI8 | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 256kbit | 12 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | Cy7C136A55JXI | - | ![]() | 9325 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 52-lcc | Cy7C136 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 16kbit | 55 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | SST26VF032A-80-5I-S2AE | - | ![]() | 5134 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST26SQI® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | SST26VF032 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 90 | 80 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 1.5ms | ||||
![]() | w25q81ewsssg | - | ![]() | 6779 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q81 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q81EWSSSG | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||
![]() | IS25WP064A-JKLE | 1.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25WP064 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||||
![]() | BR93A66RFVT-WME2 | 0.8200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | BR93A66 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-TSSOP-B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 2 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 256 x 16 | マイクロワイヤ | 5ms | ||||
![]() | S25HS512TFANHI013 | 9.7825 | ![]() | 7119 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.7V〜2V | 8-wson (6x8) | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||||||
![]() | V1D59AA-C | 81.7500 | ![]() | 5458 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-V1D59AA-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
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